[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210320058.5 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102969337A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 禹元植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 周晓雨;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成沿与第一方向相交叉的第二方向延伸的选择线，其中，半导体衬底具有被隔离层分隔开并沿第一方向延伸的有源区；通过在选择线之间分别将第一杂质注入到有源区中而形成结，并形成填充在选择线之间的多个氧化物层；通过刻蚀所述多个氧化物层中的至少一个来形成暴露结的接触孔；通过将第二杂质注入到在形成接触孔时由于隔离层的损失而暴露的半导体衬底的有源区中来形成结延伸部；以及形成用于填充接触孔的接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括沿第一方向延伸的有源区；选择线，所述选择线沿与所述第一方向相交叉的第二方向设置在半导体衬底上；结，所述结分别设置在所述有源区上，处于所述选择线之间，并包括第一杂质；多个氧化物层，所述多个氧化物层填充所述选择线之间的空间；结延伸部，所述结延伸部耦接在所述结之下，并设置在所述半导体衬底的有源区上，其中，所述结延伸部包括第二杂质；以及接触插塞，所述接触插塞穿通所述多个氧化物层中的至少一个，并与所述结和所述结延伸部接触。
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