[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210293573.9 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103594513A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;蒋葳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上沿第一方向延伸的鳍片、鳍片上沿第二方向延伸的栅极堆叠结构，其特征在于：鳍片的下部分的材料导电性小于鳍片的上部分。本发明还提供了一种半导体器件制造方法，依照本发明的半导体器件及其制造方法，在鳍片沟道区下方刻蚀形成孔洞并且可以进一步填充氧化物，有效减小了沟道区底部泄漏电流同时还避免结电流和结电容增大，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底、衬底上沿第一方向延伸的鳍片、鳍片上沿第二方向延伸的栅极堆叠结构，其特征在于：鳍片的下部分的材料导电性小于鳍片的上部分。
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