[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201210241514.7 | 申请日： | 2012-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103545355A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上表面的高k栅介质层；位于所述高k栅介质层上表面或下表面的吸氧层；位于所述高k栅介质层上表面的栅电极；所述半导体器件的制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上表面形成高k栅介质层；在形成高k栅介质层之前或之后，在衬底上表面或高k栅介质层上表面形成吸氧层；在所述高k栅介质层上表面形成栅电极。本发明可以得到较低等效氧化物厚度的半导体器件，且可以提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；位于所述衬底上表面的高k栅介质层；位于所述高k栅介质层上表面的栅电极；其特征在于，还包括：位于所述高k栅介质层上表面或下表面的吸氧层。
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