[发明专利]半导体器件晶片的接合方法

摘要

半导体器件晶片的接合方法，不会在凸块之间形成导电路径，且使用了各向异性导电材料。将形成有多个具备多个凸起电极的半导体器件的第一半导体器件晶片接合于具备与该凸起电极对应的电极的第二半导体器件晶片，具有以下步骤：绝缘体覆盖步骤，用绝缘体覆盖第一半导体器件晶片的凸起电极侧，将绝缘体填充到凸起电极之间；凸起电极端面露出步骤，使覆盖有该绝缘体的第一半导体器件晶片的凸起电极侧平坦，使凸起电极的端面露出；接合步骤，在实施了凸起电极端面露出步骤后，使各向异性导电体介入到具有与凸起电极对应的电极的第二半导体器件晶片的电极与第一半导体器件晶片的凸起电极之间，将第一半导体器件晶片与第二半导体器件晶片接合，连接电极和凸起电极。

主权项

一种半导体器件晶片的接合方法，将形成有多个具备多个凸起电极的半导体器件的第一半导体器件晶片接合于具备与该凸起电极对应的电极的第二半导体器件晶片，该半导体晶片的接合方法的特征在于，具有以下步骤：绝缘体覆盖步骤，用绝缘体覆盖第一半导体器件晶片的该凸起电极侧，将该绝缘体填充到该凸起电极之间；凸起电极端面露出步骤，使覆盖有该绝缘体的第一半导体器件晶片的该凸起电极侧平坦，并且使该凸起电极的端面露出；以及接合步骤，在实施了该凸起电极端面露出步骤后，使各向异性导电体介入到具有与该凸起电极对应的电极的第二半导体器件晶片的该电极与第一半导体器件晶片的该凸起电极之间，将第一半导体器件晶片与第二半导体器件晶片接合，将该电极与该凸起电极连接。