[发明专利]接合方法、接合装置、接合系统有效
| 申请号： | 201080047559.X | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102598208A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 堤圭一郎;津野武志;后藤崇之;木之内雅人;铃木毅典;井手健介 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B23K20/00;B23K20/14;B23K20/24;B23K101/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本，*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明具备：通过向第一基板的第一基板表面和第二基板的第二基板表面照射粒子来使第二基板表面和第一基板表面活化的活化步骤(S2)；及在第一基板的温度与第二基板的温度的温度差成为规定值以下之后，使第二基板表面与第一基板表面接触，从而将第二基板与第一基板接合的接合步骤(S4)。根据此种接合方法，与在第一基板的温度与第二基板的温度的温度差成为规定值以下之前将两基板接合的其他的接合方法相比，能够进一步降低在得到的接合基板上产生的翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 方法 装置 系统 | ||
【主权项】：
一种接合方法，具备：通过向第一基板的第一基板表面和第二基板的第二基板表面照射粒子来使所述第二基板表面和所述第一基板表面活化的活化步骤；及在所述第一基板的温度与所述第二基板的温度的温度差成为规定值以下之后，使所述第二基板表面与所述第一基板表面接触，从而将所述第二基板与所述第一基板接合的接合步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
