[发明专利]半导体器件和在半导体器件外边缘处的终端结构有效
| 申请号： | 201110304948.2 | 申请日： | 2004-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102420241A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 阿肖克·沙拉;艾伦·埃尔班霍威;克里斯托弗·B·科康;史蒂文·P·萨普;彼得·H·威尔逊;巴巴克·S·萨尼 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体器件和在半导体器件外边缘处的终端结构。半导体器件包括：第一导电类型的漂移区；阱区，在漂移区上延伸并具有与第一导电类型相反的第二导电类型；有源沟槽，穿过阱区延伸并延伸进漂移区，沿着有源沟槽侧壁和底部设置介电材料，有源沟槽基本填充形成上电极的第一导电层和形成下电极的第二导电层，上电极设置在下电极上并通过电极间介电材料与下电极分离；源极区，具有第一导电类型，形成在与有源沟槽相邻的阱区中；第一终端沟槽，在阱区下延伸并设置在器件有源区外边缘处。终端结构包括具有第一导电类型的多个同心环柱，其形成在具有与第一导电类型相反的第二导电类型的终端区内并环绕在器件有源区周围，每个柱连接到导电场板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 外边 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的漂移区；阱区，在所述漂移区之上延伸，并具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；有源沟槽，穿过所述阱区延伸并延伸进所述漂移区，沿着所述有源沟槽的侧壁和底部设置介电材料，且所述有源沟槽基本上填充有形成上电极的第一导电层和形成下电极的第二导电层，所述上电极设置在所述下电极之上，并通过电极间介电材料与所述下电极分离；源极区，具有所述第一导电类型，其形成在与所述有源沟槽相邻的所述阱区中；以及第一终端沟槽，在所述阱区之下延伸，并设置在所述器件的有源区的外边缘处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞兆半导体公司，未经飞兆半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110304948.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：提供立体图像的主动型显示装置和驱动方法
- 下一篇：喷墨记录装置
- 同类专利
- 专利分类
