[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110253935.7 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102956702A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体层；对所述半导体层构图而形成的第一鳍片，对所述半导体层构图而形成的第二鳍片；所述第一鳍片与第二鳍片的顶面持平，二者的底面接于所述半导体层，且第二鳍片的高度高于第一鳍片的高度。根据本发明，能够在同一晶片上集成具有不同尺寸的多个半导体器件，从而能够缩短工艺流程并降低制造费用，并提供具有不同驱动能力的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体层；对所述半导体层构图而形成的第一鳍片，所述第一鳍片具有第一顶面和第一底面；对所述半导体层构图而形成的第二鳍片，所述第二鳍片具有第二顶面和第二底面；其中，所述第一顶面与所述第二顶面持平，所述第一底面和第二底面接于所述半导体层，且所述第二鳍片的高度高于所述第一鳍片的高度。
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