[发明专利]BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200910202031.4 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102110709A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 邱慈云;朱东园;钱文生;范永洁;刘冬华;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管，包括：集电区、基区和发射区。集电区由有源区中的P型杂质离子注入层构成，底部连接一形成于浅槽底部的P型埋层，通过P型埋层和集电区相邻的有源区的连接引出集电区。基区由集电区上部的N型杂质离子注入层构成，通过基区上部的P型外延层反型后引出。发射区为基区上部的P型外延层进行重掺杂后形成。本发明还公开了该BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益BiCMOS电路中的输出器件、为电路提供多一种器件选择；本发明还能降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | bicmos 工艺 中的 寄生 垂直 pnp 三极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管，其特征在于，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于第一个有源区中的一P型杂质离子注入层构成，所述集电区底部连接一P型埋层，所述P型埋层形成于所述集电区两侧的浅槽底部的，所述P型埋层还和第二个有源区相连，所述第二个有源区为和所述第一个有源区通过所述P型埋层所对应的沟槽相隔离的有源区，通过在所述第二个有源区形成P型杂质离子注入层并做金属接触引出所述集电区；一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区连接的一N型杂质离子注入层构成；一发射区，由所述基区上部的P型外延层构成，所述P型外延层为硅外延层、锗硅外延层或者锗硅碳外延层，所述发射区直接通过一金属接触引出；所述基区上部的P型外延层部分反型为N型，用作所述基区的连接。
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- 本发明涉及一种晶体管，在下层为N+型低电阻率层、上层为N-型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N+型发射区，发射区上面连接着N+型掺杂多晶硅，发射区周围有P型基区，基区的侧下面连接有P+型槽型栅区，其特点是：栅区的槽深大于0.5μm；栅区的深度大于3.5μm；相邻栅区的槽的距离小于50μm；发射区接触孔的宽度大于1μm；栅极金属是铝。本发明的优点是：具有更高的最大工作温度，能够在更酷热的环境中工作。
- 高频高增益硅PNP型开关晶体管-201620252077.2
- 龚利汀;陈丽兰 - 无锡固电半导体股份有限公司
- 2016-03-29 - 2016-08-24 - H01L29/732
- 本实用新型提供一种高频高增益硅PNP型开关晶体管，包括晶体管单元体，所述单元体包括基区扩散保护环、背面金属层、P型重掺杂衬底、P型外延层、N型基区、P型发射区、增阻环、钝化层、发射极金属和两个基极金属。本实用新型主要应用在变频调速与和节能设备，具有电流大，频率高，增益大，饱和压降低，开关速度快等特点。
- 偏置电阻器晶体管半导体器件及半导体器件-201520769857.X
- D·M·海明格尔;T·基纳 - 半导体元件工业有限责任公司
- 2015-09-30 - 2016-01-13 - H01L29/732
- 本实用新型涉及偏置电阻器晶体管半导体器件及半导体器件。一个目的是解决现有技术的问题。偏置电阻器晶体管半导体器件包括：基极端子；发射极端子；集电极端子；主要双极型晶体管，具有基极、与发射极端子耦合的发射极以及与集电极端子耦合的集电极；第一电阻器，具有与主要双极型晶体管的基极耦合的第一端子，并且具有与基极端子耦合的第二端子；及保护双极型晶体管，具有与主要双极型晶体管的集电极耦合的集电极、与主要双极型晶体管的发射极耦合的基极以及与基极端子耦合的发射极，保护双极型晶体管具有发射极到集电极区，发射极到集电极区被配置为响应于静电放电事件以雪崩模式操作。一个优点是可独立于主要晶体管确定半导体器件的ESD特性。
- NPN型大电流高增益达林顿晶体管-201520674610.X
- 龚利汀;陈丽兰;龚利贞 - 无锡固电半导体股份有限公司
- 2015-09-01 - 2015-12-09 - H01L29/732
- 本实用新型提供一种汽车空调调速装置用NPN型大电流高增益达林顿晶体管，此产品为两个芯片组合的金封管，芯片包括一N型衬底，形成于N型衬底背面的背面金属层；在N型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的P型基区和后级晶体管T2的P型基区；在前级晶体管T1的P型基区内形成有前级晶体管T1的N+型发射区；在后级晶体管T2的P型基区内形成有后级晶体管T2的N+型发射区；在N型衬底的正面覆盖有氧化层；N型衬底的正面氧化层之上还形成有连接前级晶体管T1的N+型发射区和后级晶体管T2的P型基区的连接金属层。该双电阻达林顿晶体管具有热稳定性好，开关时间速度快、抗烧毁性强、放大倍数大等特点。
- BCD工艺中纵向双极型晶体管-201310652819.1
- 金锋;邓彤 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2013-12-03 - 2015-06-03 - H01L29/732
- 本发明公开了一种BCD工艺中纵向双极型晶体管，发射区由形成轻掺杂注入区和重掺杂注入区叠加而成，轻掺杂注入区覆盖一个有源区，重掺杂注入区的仅覆盖在有源区的中心区域，在重掺杂注入区的最外侧边缘和轻掺杂注入区的最外侧边缘之间的区域形成由轻掺杂注入区组成的高阻环，高阻环定义出发射区的寄生电阻的大小并在纵向双极型晶体管的工作电流增加时形成负反馈效应，从而能抑制器件在大电流工作时由于正温度效应而产生的正反馈效应，从而能提升器件ICVC曲线的安全工作区。
- BCD工艺中的垂直型NPN器件及其制造方法-201310627726.3
- 钱文生;刘冬华;吴刚;石晶 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2013-11-29 - 2015-06-03 - H01L29/732
- 本发明公开了一种BCD工艺中的垂直型NPN器件，发射区由第一N+区和第二N-区组成，第二N-区的结深大于第一N+区的结深并环绕在第一N+区的周侧，在第二N-区的正下方不形成埋层注入区，埋层非注入区的低掺杂浓度使得第二N-区正下方的基区的结深向底部扩展。本发明还公开了一种BCD工艺中的垂直型NPN器件的制造方法。本发明器件的第二N-区能对第一N+区底部的基区进行横向耗尽，从而能够提高器件的BVEBO；本发明器件的埋层非注入区的设置能使得第二N-区正下方的基区向底部扩展，从而能降低由第二N-区的引入而产生的对器件的CE之间的穿通电压减少的影响，能够同时得到较大的BVEBO和BVCEO。
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