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[发明专利]三维存储器器件及其形成方法-CN202280002313.3在审
发明人：陈亮;黄诗琪;刘威;王言虹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种三维(3D)存储器器件包括沿第一方向布置的多个存储器堆叠体、以及设置在两个相邻存储器堆叠体之间的虚设块结构。每个存储器堆叠体包括沿垂直于第一方向的第二方向交替堆叠的多个第一导电层和多个第一电介质层。沟道结构沿第二方向延伸穿过多个第一导电层和多个第一电介质层。第一隔离结构设置在虚设块结构与多个存储器堆叠体中的一个存储器堆叠体之间。衬底设置在多个存储器堆叠体、虚设块结构和第一隔离结构下方。第二隔离结构设置在衬底中，并且第二隔离结构沿第二方向延伸。
三维存储器器件及其形成方法

[发明专利]三维存储器装置及其形成方法-CN202180002482.2在审
发明人：陈亮;刘威;王言虹;夏志良;周文犀;张坤;杨远程 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10B43/40 文献下载
摘要：一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构(102)、第二半导体结构(108)以及第一半导体结构(102)和第二半导体结构(108)之间的键合界面(103)。第一半导体结构(102)包括存储器单元阵列和与NAND存储器串(208)阵列的源极接触的第一半导体层(1002)。第二半导体结构(108)包括第二半导体层(3904)、存储器单元阵列的包括与第二半导体层(3904)的第一侧接触的第一晶体管(4020，4022)的第一外围电路(4016，4018)、以及NAND存储器串(208)阵列的包括与第二半导体层(3904)的第二侧接触的第二晶体管(4008，4010)的第二外围电路(4004，4006)，第二侧与第一侧相对。
三维存储器装置及其形成方法

[发明专利]三维存储器、电路芯片及其制备方法-CN202110269478.4有效
发明人：陈亮;刘威;王言虹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器、电路芯片及其制备方法。电路芯片的制备方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成多个间隔设置的浅沟槽隔离结构，相邻的所述浅沟槽隔离结构之间为有源区域；在所述浅沟槽隔离结构内形成辅助栅极，以及在所述有源区域内形成MOS器件，其中，所述MOS器件包括栅极结构与位于所述栅极结构两侧的源极和漏极，所述辅助栅极位于相邻的所述MOS器件中的一个所述MOS器件的源极与另一个所述MOS器件的漏极之间。本发明的电路芯片的尺寸较小。
三维存储器电路芯片及其制备方法

[发明专利]具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法-CN202180003352.0在审
发明人：朱宏斌;刘威;王言虹;江宁 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B69/00 文献下载
摘要：在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及在第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导体主体，以及在第二方向上与半导体主体的两个相对侧面接触的栅极结构。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路。
具有垂直晶体管存储器器件及其形成方法

[发明专利]具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法-CN202180003342.7在审
发明人：朱宏斌;刘威;王言虹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列，耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线；以及耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上延伸的多条字线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导体主体，以及在第三方向上与半导体主体的两个相对侧面接触并且在第二方向上与半导体主体的一个侧面接触的栅极结构。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路。
具有垂直晶体管存储器器件及其形成方法

[发明专利]具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法-CN202180003350.1在审
发明人：朱宏斌;刘威;王言虹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导体主体，以及与半导体主体的多个侧面接触的栅极结构。半导体主体的耦合到存储单元的一个端部与栅极结构齐平。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路。
具有垂直晶体管存储器器件及其形成方法

[发明专利]具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法-CN202180003353.5在审
发明人：朱宏斌;刘威;王言虹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B41/40 文献下载
摘要：在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及在第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导体主体，以及与半导体主体的所有侧面接触的栅极结构。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路。
具有垂直晶体管存储器器件及其形成方法

[发明专利]具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法-CN202180003356.9在审
发明人：朱宏斌;刘威;王言虹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、在第一半导体结构与第二半导体结构之间的第一键合界面、以及在第二半导体结构与第三半导体结构之间的第二键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元的第一阵列。第三半导体结构包括存储器单元的第二阵列。第一阵列和第二阵列中的存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。存储器单元的第一阵列经过第一键合界面耦合到外围电路。存储器单元的第二阵列经过第一键合界面和第二键合界面耦合到外围电路。
具有垂直晶体管存储器器件及其形成方法

[发明专利]三维存储器装置及其形成方法-CN202180002470.X在审
发明人：陈亮;刘威;王言虹;夏志良;周文犀;张坤;杨远程;黄诗琪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：在某些方面，一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一键合界面、以及第二半导体结构和第三半导体结构之间的第二键合界面。第一半导体结构包括NAND存储器串阵列和与NAND存储器串阵列的源极接触的第一半导体层。第二半导体结构包括NAND存储器串阵列的包括第一晶体管的第一外围电路、以及与第一晶体管接触的第二半导体层。第三半导体结构包括NAND存储器串阵列的包括第二晶体管的第二外围电路、以及与第二晶体管接触的第三半导体层。第一外围电路在第一键合界面与第二半导体层之间。第三半导体层在第二外围电路与第二键合界面之间。
三维存储器装置及其形成方法

[发明专利]三维存储器器件及其形成方法-CN202180002859.4在审
发明人： 王言虹;刘威;陈亮;夏志良;周文犀;张坤;杨远程 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括NAND存储器串阵列、包括第一晶体管的NAND存储器串阵列的第一外围电路、在NAND存储器串阵列与第一外围电路之间的多晶硅层、以及与第一晶体管接触的第一半导体层。多晶硅层与NAND存储器串阵列的源极接触。第二半导体结构包括NAND存储器串阵列的第二外围电路以及与第二晶体管接触的第二半导体层，该第二外围电路包括第二晶体管。第二半导体层在键合界面与第二外围电路之间。多晶硅层在第一半导体层与第二半导体层之间。
三维存储器器件及其形成方法

[发明专利]三维存储器器件及其形成方法-CN202180002867.9在审
发明人： 王言虹;刘威;陈亮;夏志良;周文犀;张坤;杨远程 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括NAND存储器串阵列、包括第一晶体管的NAND存储器串阵列的第一外围电路、在NAND存储器串阵列与第一外围电路之间的多晶硅层、以及与第一晶体管接触的第一半导体层。多晶硅层与NAND存储器串阵列的源极接触。第二半导体结构包括NAND存储器串阵列的第二外围电路以及与第二晶体管接触的第二半导体层，该第二外围电路包括第二晶体管。第二半导体层在键合界面与第二半导体层之间。多晶硅层在第一半导体层与第二半导体层之间。
三维存储器器件及其形成方法

[发明专利]三维存储器装置及其形成方法-CN202180002463.X在审
发明人：张坤;杨远程;周文犀;刘威;夏志良;陈亮;王言虹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：在某些方面，一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构和第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括第一半导体层、NAND存储器串阵列、以及NAND存储器串阵列的第一外围电路。NAND存储器串阵列的源极与第一半导体层的第一侧接触。第一外围电路包括与第一半导体层的与第一侧相对的第二侧接触的第一晶体管。第二半导体结构包括第二半导体层和NAND存储器串阵列的第二外围电路。第二外围电路包括与第二半导体层接触的第二晶体管。
三维存储器装置及其形成方法

[发明专利]三维存储器装置及其形成方法-CN202180002651.2在审
发明人：张坤;周文犀;刘威;夏志良;陈亮;王言虹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：公开了三维(3D)存储器装置及其形成方法。在特定方面，3D存储器装置包括第一半导体组件、第二半导体组件以及在第一半导体组件和第二半导体组件之间的组件间键合层。第一半导体组件包括第一阵列结构和第一外围结构。第一阵列结构包括具有多个交错的堆叠导电层和堆叠电介质层的第一存储器堆叠体。第一外围结构包括电连接到第一存储器堆叠体的多个第一外围电路。第二半导体组件包括第二阵列结构和第二外围结构。第二阵列结构包括具有多个交错的堆叠导电层和堆叠电介质层的第二存储器堆叠体。第二外围结构包括电连接到第二存储器堆叠体的多个第二外围电路。
三维存储器装置及其形成方法

[发明专利]三维存储器装置及其形成方法-CN202180002488.X在审
发明人：陈亮;刘威;王言虹;夏志良;周文犀;张坤;杨远程 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C19/28 文献下载
摘要：在某些方面，一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一键合界面、以及第二半导体结构和第三半导体结构之间的第二键合界面。第一半导体结构包括NAND存储器串阵列和与NAND存储器串阵列的源极接触的第一半导体层。第二半导体结构包括NAND存储器串阵列的包括第一晶体管的第一外围电路以及与第一晶体管接触的第二半导体层。第三半导体结构包括NAND存储器串阵列的包括第二晶体管的第二外围电路、以及与第二晶体管接触的第三半导体层。第二半导体层在第一键合界面与第一外围电路之间。第二外围电路在第二键合界面与第三半导体层之间。
三维存储器装置及其形成方法

[发明专利]三维存储器装置及其形成方法-CN202180002479.0在审
发明人：张坤;杨远程;周文犀;刘威;夏志良;陈亮;王言虹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在某些方面，一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一键合界面、以及第一半导体结构和第三半导体结构之间的第二键合界面。第一半导体结构包括NAND存储器串阵列和与NAND存储器串阵列的源极接触的第一半导体层。第二半导体结构包括NAND存储器串阵列的包括第一晶体管的第一外围电路、以及与第一晶体管接触的第二半导体层。第三半导体结构包括NAND存储器串阵列的包括第二晶体管的第二外围电路、以及与第二晶体管接触的第三半导体层。第二半导体层在第一键合界面与第一外围电路之间。第二外围电路在第二键合界面与第三半导体层之间。
三维存储器装置及其形成方法

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