[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810213404.3 | 申请日： | 2008-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101378078A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 北岛裕一郎 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王丹昕 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的名称是半导体器件及其制造方法，在MOS晶体管中，平行于栅极长度方向设置的沟槽结构或突起结构沿栅极宽度方向呈阶梯式形成，由此降低了每个阶梯的阶梯高度。即使MOS晶体管包括深沟槽或高突起以便增大每单位面积的驱动性能，也可通过离子注入法在沟道区、源极扩散层和漏极扩散层中实现均匀杂质浓度。相应地，可获得稳定的特征，即由于形成沟道的表面造成的特征变化不会出现，并且可提供具有降低的每单位面积导通电阻，高驱动性能的横向MOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；以及MOS晶体管，其中沟槽沿沟道方向在沟道区、源极扩散层和漏极扩散层中设置，所述MOS晶体管布置在所述半导体衬底上；其中，所述沟槽具有不均匀的深度，并且在垂直于所述沟道方向的方向上连续地包括在深度上呈阶梯式逐步变深的第一区和在深度上呈阶梯式逐步变浅的第二区。
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