[发明专利]半导体器件和同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法有效
| 申请号： | 200810081344.4 | 申请日： | 2008-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101262008A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 拉齐夫·V·约什;许履尘;欧阳旭 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/10;H01L29/78;H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了半导体器件和在同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法。该半导体器件包括具有两种晶体取向的半导体材料。该半导体材料形成器件的有源区。在两个晶体取向上形成器件沟道，其包括在半导体材料的第一晶体取向表面中形成的第一区域、以及在半导体材料的第二晶体取向表面中形成的第二区域，其中第一晶体取向表面与第二晶体取向表面形成夹角，并且器件沟道至少覆盖夹角的交叉点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 同一 芯片 集成 角形 器件 平面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有至少两种晶体取向的半导体材料，该半导体材料形成所述器件的有源区；和在所述至少两个晶体取向上形成的器件沟道，其包括在所述半导体材料的第一晶体取向表面中形成的第一区域和在所述半导体材料的第二晶体取向表面中形成的第二区域，其中所述第一晶体取向表面与所述第二晶体取向表面形成夹角，并且所述器件沟道至少覆盖所述夹角的交叉点。
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