[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710147698.X | 申请日： | 2007-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101286526A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李相敦 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L29/43;H01L29/49;H01L21/335;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件，包括：鳍式有源区，其由具有器件隔离结构的半导体基板所限定；凹陷部，其形成在所述鳍式有源区之上；以及栅电极，其包括用于填充所述凹陷部的硅锗(Si1－xGex)层(其中，0＜X＜1并且X是Ge摩尔分数)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：鳍式有源区，其限定于具有器件隔离结构的半导体基板上；凹陷部，其形成在所述鳍式有源区之上；以及栅电极，其形成在所述鳍式有源区之上以填充所述凹陷部，所述栅电极包含硅锗层。
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