[发明专利]半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序无效
| 申请号： | 200680054977.5 | 申请日： | 2006-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101467056A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/311 | 分类号： | G01R31/311;G01N21/956 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)，使用由多个层的每一层中的配线图案的图案数据组记述半导体器件的多个配线的构成的配线信息，将多个配线中通过分析区域的配线作为不良的候补配线而抽出，并且，在候补配线的抽出中，通过进行使用图案数据组的配线图案的等电位追踪，从而抽出候补配线。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 不良 分析 装置 方法 以及 程序 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体不良分析装置，分析半导体器件的不良，其特征在于，具备：检查信息取得模块，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；布图信息取得模块，取得所述半导体器件的布图信息；不良分析模块，参照所述不良观察图像和所述布图信息，进行与所述半导体器件的不良相关的分析，所述不良分析模块具有：区域设定模块，用于参照所述不良观察图像，对应于所述的反应信息而设定分析区域；配线信息分析模块，参照所述分析区域，对所述半导体器件的布图所包含的多个配线进行不良分析，所述布图信息，包含由所述半导体器件的层叠构造中的多个层的每一层中的配线图案的图案数据组记述所述半导体器件的所述多个配线的构成的配线信息，所述配线信息分析模块，将所述多个配线中通过所述分析区域的配线作为不良的候补配线而抽出，并且，在所述候补配线的抽出中，通过进行使用所述图案数据组的所述配线图案的等电位追踪，从而抽出所述候补配线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社，未经浜松光子学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680054977.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种对移动通信终端进行远程重启的方法
- 下一篇：半导体存储装置
- 同类专利
- 可见激光电路故障隔离-201780056484.3
- R·R·戈鲁甘萨;G·S·马蒂;M·维尔拉法纳 - 高通股份有限公司
- 2017-08-15 - 2019-05-03 - G01R31/311
- 在可见光故障分析工具中，透明覆盖片介于透镜与减薄的管芯之间，使得减薄的管芯对断裂是稳健的。另外，透明覆盖片具有比减薄的管芯更大的热质量，并且因此用作热沉以防止减薄的管芯中的有源电路在可见光故障分析期间过热。
- 光子辐射显微镜样品座、测试方法及显微镜装置-201811630274.3
- 丁德建;刘海岸;曹茂庆 - 上海华力集成电路制造有限公司
- 2018-12-29 - 2019-04-16 - G01R31/311
- 本发明公开了一种光子辐射显微镜样品座，包括：基板，所述基板上设置有用于承载样品的样品承载区；所述样品承载区内沿垂直方向贯穿所述基板；所述样品承载区内设有透光材质的承载板；金属电极，其设置在所述基板中并沿垂直方向贯穿所述基板；接合线，用于将所述待测样品的扎针区域与所述金属电极电连接。本发明使原有的正/背面探测式EMMI/OBIRCH应用分析设备具有从两面进行分析应用的能力。可更加方便快捷的精确定位缺陷位置。
- 叠层封装的测试装置和测试系统-201710898443.0
- 贾波;陈光跃;赵谦 - 华为技术有限公司
- 2017-09-28 - 2019-04-05 - G01R31/311
- 本申请提供一种叠层封装的测试装置和测试系统，该测试装置包括：POP和转接板，所述POP包括顶层封装和底层封装，所述转接板的上表面上设置有第一焊盘，所述转接板的底面设置有第二焊盘；所述顶层封装通过所述第一焊盘、所述第二焊盘和所述转接板上信号线，与所述底层封装电连接，所述底层封装的底面与电子设备系统的主板电连接；所述转接板上位于所述底层封装正上方的区域未设置信号线，所述第二焊盘设置在所述区域的周围。本申请可以实现在电子设备系统正常工作的状态下，实现对POP的顶层封装和底层封装的电磁注入的安全探测，降低了顶层封装和底层封装进行电磁探测时的电磁干扰，提高了POP安全探测的可靠性和稳定性。
- 用于动态分配扫描测试资源的电路和方法-201480003921.1
- R·A·帕瑞克基;S·拉维;P·纳拉亚南;M·谢蒂 - 德克萨斯仪器股份有限公司
- 2014-01-24 - 2019-03-15 - G01R31/311
- 公开一种测试被测设备(DUT)的方法和测试系统。生成与从测试系统接收到的测试图案结构关联的至少一个控制信号(705)。从DUT中数量为M的I/O端口选择M1个端口，以基于控制信号接收对应于测试图案结构的扫描输入(710)，以及从数量为M的I/O端口选择M2个端口，以基于控制信号提供扫描输出(715)。M1和M2中的每个是选自0到M的数值，其中M1和M2的总和小于或等于M。DUT的扫描测试基于提供扫描输入到M1个端口以及从M2个端口接收扫描输出来执行(730)。
- 芯片单粒子效应探测方法及装置-201610480725.4
- 李慧云;邵翠萍;刘玢玢 - 中国科学院深圳先进技术研究院
- 2016-06-27 - 2019-02-12 - G01R31/311
- 本发明公开了一种芯片单粒子效应探测方法及装置，其中方法包括：将待测芯片放入测试机台，触发待测芯片产生单粒子效应；利用使能信号随机关断待测芯片的扫描寄存器，形成随机观测矩阵；向待测芯片输入测试向量，获得待测芯片的输出测试向量，根据输出测试向量获得错误总数向量；对错误总数向量进行压缩感知信号重构，确定待测芯片内部敏感区域。本发明可以高效、便捷地对芯片单粒子效应进行探测。
- 可调谐波长电子光学分析器-201680072479.7
- U·金德利特;V·布鲁斯 - 高通股份有限公司
- 2016-11-30 - 2018-08-03 - G01R31/311
- 一种电子光学分析系统提供有波长可调谐激光器，使得DUT可由不同波长的激光照射。确定与来自以多个波长进行激光器照射的DUT的反射相对应的信号质量。每一波长的信号质量可以在一波长范围上与阈值信号质量相比较，或者彼此相比较，以标识提高分辨率并减少破坏性干扰和串扰的波长。
- 脉冲激光模拟单粒子试验系统及方法-201610055962.6
- 郝明明;雷志峰;路国光 - 工业和信息化部电子第五研究所
- 2016-01-26 - 2018-07-20 - G01R31/311
- 本发明涉及一种脉冲激光模拟单粒子试验系统及方法。所述系统包括：依激光光束前进方向设置的脉冲激光器、激光能量调节器、光束准直器、扫描振镜系统、F‑θ物镜以及测试电路；脉冲激光器输出激光光束；激光能量调节器调节激光光束的能量；光束准直器减小激光光束的发散角；扫描振镜系统控制激光光束的偏转；F‑θ物镜对激光光束进行聚焦，聚焦形成的光斑作用于测试样品；测试电路获取测试样品在激光作用下发生单粒子效应的测试数据。通过本发明，能够保证单粒子效应实验效果，且易于实现重复定位，并降低实验成本。
- 用于确定对随机电报信号敏感的集成电路部分的方法和装置-201680046733.6
- 约翰·梅兰森;艾伦·布莱楠;贾斯汀·多格提;莱姆雅·巴拉桑达拉姆 - 思睿逻辑国际半导体有限公司
- 2016-06-08 - 2018-04-17 - G01R31/311
- 根据本公开的实施例，一种用于确定对RTS噪声敏感的集成电路的位置的方法可包括向所述集成电路的扫描区域施加局部热量；响应于向所述扫描区域施加局部热量，观察表示对RTS噪声敏感的所述集成电路的一个或更多个电气参数的任何变化；对响应于向所述扫描区域施加局部热量而观察表示对RTS噪声敏感的所述集成电路的一个或更多个电气参数的变化作出响应，确定对RTS噪声敏感的所述位置。
- 利用EMMI检测芯片静态漏电的辅助电路的设计方法-201510222506.1
- 车文毅 - 上海坤锐电子科技有限公司
- 2015-05-04 - 2018-01-30 - G01R31/311
- 本发明公开一种利用EMMI检测芯片静态漏电的辅助电路的设计方法，包括步骤①对待测集成电路芯片，根据电路功能，划分成N个单元模块；②根据单元模块的多少，设置数量与之相同的PN结二极管，即N个二极管；③对各个单元模块分别设置模块电流复制和放大电路，使每个模块电流复制和放大电路分别与和其相对应的单元模块和二极管相连。本发明将不易被EMMI检测出的故障类型，转换为易被EMMI检测出的PN结空穴电子复合电流的变化，只要失效样本的失效类型可以导致电流的变化，都可以被EMMI检测出来，同时，等效地增加了使用EMMI进行故障分析时的检测灵敏度。
- 一种脉冲激光个数优化方法及单粒子翻转截面的测试方法-201210536186.3
- 封国强;上官士鹏;韩建伟;马英起;余永涛;姜昱光;朱翔;陈睿 - 中国科学院空间科学与应用研究中心
- 2012-12-12 - 2014-06-18 - G01R31/311
- 本发明涉及一种优化脉冲激光个数的方法，该方法用于优化脉冲激光测试器件单粒子翻转截面的脉冲激光个数，针对某一激光能量Ei，脉冲激光个数F采用如下步骤确定：步骤101）获取在该激光能量下的光斑面积τ和器件单个功能单元面积Δ；步骤102）获取激光个数判决参考值，该判决参考值为上述光斑面积τ和器件单个功能单元面积Δ的比值；步骤103）当判决参考值大于1时，所述激光个数依据光斑面积大小确定；当判决参考值小于1时，所述激光个数依据单个功能单元面积确定。当判决参考值n大于1时，所述激光个数F=1/kτ；当n小于1时，所述激光个数F=1/kΔ，其中k为调制因子，其取值范围为1-25。
- 一种动态EMMI系统及其实现方法和应用方法-201310165050.0
- 李强;蔡恩静 - 上海华力微电子有限公司
- 2013-05-07 - 2014-01-01 - G01R31/311
- 本发明公开了一种动态EMMI系统及其实现方法和应用方法，包括通用EMMI平台、安装有需分析芯片的通用PCB基板、信号发生器以及外部电源。本发明具有如下优点或者有益效果：1.采用简单的信号发生器和通用PCB基板，使SRAM等存储器芯片或者简单的逻辑IC进入预定工作模式，在此情况下进行EMMI热点的抓取，低成本的实现了动态EMMI操作；2.丰富了失效定位方法，对于不太容易定位的存储器芯片失效模式，能迅速定位到有缺陷的某个存储单元，极大的增加了后面的PFA效率和成功率，缩短了良率分析的周期，可广泛应用于各种良率提升分析和IP分析。
- 用于功率金属氧化物晶体管芯片的缺陷失效定位方法-201010547545.6
- 赖华平;金勤海;潘永吉 - 上海华虹NEC电子有限公司
- 2010-11-17 - 2012-05-23 - G01R31/311
- 本发明公开了一种用于功率金属氧化物晶体管芯片的缺陷失效定位方法，包括：1)用酸去除功率金属氧化物晶体管芯片表面的铝层；2)对于铝层下含有Ti/TiN扩散阻挡层的芯片，直接扎针栅极、源极、漏极灌电流作EMMI或OBIRCH分析，定位出缺陷；对于铝层下无扩散阻挡层的芯片，在芯片内的无晶体管区域用FIB淀积两个金属垫，再在每个金属垫的边上用FIB淀积一个与该金属垫相连接的金属条，两个金属条的另一端分别连接到栅极和源极，利用两个金属垫和芯片背面漏极完成EMMI或OBIRCH测试，定位出缺陷。本发明的效果远远好于液晶分析，而且可以快速、精确地找到缺陷位置。
- 存储芯片位线失效分析方法-201010181309.7
- 刘海君;赖李龙;高慧敏 - 武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2010-05-21 - 2011-11-23 - G01R31/311
- 本发明提供一种存储器芯片位线失效分析方法，用以对包含埋入式位线及金属位线结构的存储器芯片进行位线失效分析，每条所述埋入式位线与相应的所述金属位线之间通过多个位线接触窗相连，所述方法包括以下步骤：去除所述存储芯片的金属位线之上的钝化层、互连金属层及层间介质层，暴露出所述金属位线；通过电测试确定存储芯片上相互之间存在短路的两条金属位线，逐段切割其中的一条金属位线，使得该金属位线中连接于相邻位线接触窗的部分之间均被割断；去除存储芯片的衬底及包含在衬底内的埋入式位线，形成检测样片；对所述检测样片进行电势对比成像观测，确定所述短路金属位线的具体失效位置。
- 微光显微镜芯片失效分析方法及系统-201010027225.8
- 马香柏;李强;曾志敏 - 上海华虹NEC电子有限公司
- 2010-01-05 - 2011-07-06 - G01R31/311
- 本发明公开了一种微光显微镜芯片失效分析方法，利用硬件描述语言开发芯片测试激励；用软件对芯片测试激励进行仿真，仿真正常后将芯片测试激励烧入FPGA基板；FPGA基板输出多个激励pattern输出到待分析芯片的多个引脚，使待分析芯片电路进入故障激发模式；通过微光显微镜捕捉亮点，最后对亮点进行电路分析和失效分析。本发明还公开了一种微光显微镜芯片失效分析系统。本发明的微光显微镜芯片失效分析方法及系统，能实现多通道复杂测试向量施加，实现微光显微镜芯片缺陷定位，降低了芯片失效分析成本并提高分析效率。
- 基于光纤探针的脉冲激光模拟单粒子效应实验系统-201010162010.7
- 池雅庆;梁斌;何益百;刘必慰;陈书明;孙永节 - 中国人民解放军国防科学技术大学
- 2010-05-05 - 2010-09-15 - G01R31/311
- 本发明公开了一种基于光纤探针的脉冲激光模拟单粒子效应实验系统，目的是减小脉冲激光的束斑直径，实现深亚微米集成电路中单个器件或局部电路单粒子效应的模拟。该系统由脉冲激光器、光纤探针和探针台组成，光纤探针锥尖孔径为10nm至1μm之间；光纤探针的输入端连接脉冲激光器，光纤探针靠近输出端的光纤固定在探针台的探针夹中，光纤探针的输出端接触被测集成电路芯片的被测位置，光纤探针将脉冲激光从输入端传输到输出端；被测集成电路芯片采取安装在单粒子效应检测电路板中或不安装在单粒子效应检测电路板中两种方式。采用本发明能输出束斑直径小于等于1μm的脉冲激光，实现深亚微米集成电路中单个器件或局部电路的单粒子效应模拟，且降低了成本。
- 用于进行加速软错误率测试的系统和方法-200810040292.6
- 张荣哲;简维廷 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 2008-07-03 - 2010-01-06 - G01R31/311
- 本发明提供了供用户对半导体样本进行加速软错误测试(ASER)的装置。该装置包括用于支持辐射源的第一部件，其中辐射源可以是α粒子源或中子粒子源。该装置包括用于支持半导体样本的第二部件，其中半导体样本可以是硅晶片或半导体芯片或成品元件。该装置包括连接组件，用于将第一部件和第二部件彼此相对地放置在多个位置，以多种应力效率使半导体样本经受来自辐射源的辐射应力。优点是改善了ASER测试的可重复性和可信性，减弱了对进行ASER测试的操作员的辐射。
- 一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法-200910138901.6
- 李平;文玉梅;文静;李恋 - 重庆大学
- 2007-08-03 - 2009-11-18 - G01R31/311
- 本发明涉及一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法，特别是一种用于未封装的单个LED芯片或者有多个LED芯片的晶圆的检测方法。它通过检测控制和信号采集处理单元(9)控制光源(7)发射激励光束(4)照射在待测LED芯片/晶圆(2)的PN结(1)上，光照的同时，将所述PN结置于交变的磁场(11)中，PN结(1)上形成的交变自发光(3)由会聚透镜组(6)会聚至光电转换器(8)，光电转换器(8)将光信号转换成电信号，送入所述检测控制和信号采集处理单元(9)进行处理来实现对LED芯片/晶圆的检测。采用本发明所述方法可以对LED芯片/晶圆的PN结功能状态进行检测；还可以不接触LED芯片/晶圆实现对LED芯片/晶圆性能参数的检测。
- 基于芯片的电磁发射确定关于芯片内部操作的信息的方法-200680009135.8
- 约翰·慧一 - VNS组合有限公司
- 2006-11-03 - 2009-08-12 - G01R31/311
- 一种用于确定集成电路(IC)内部操作的新颖方法，包括测量来自集成电路芯片的电磁(EM)发射以及分析EM发射。在特定的方法中，利用封闭式RF探针测量来自IC的EM发射。在特定的方法中，测量以各种方式配置的IC的电磁发射。在正常操作模式下，在对IC供电并提供任何外部时钟信号时，测量EM发射。在测量正常操作模式下IC的EM发射之后，通过使外部时钟信号对IC无效并重新测量EM发射来重新配置IC。通过对IC断电、使外部时钟信号无效、然后对IC重新供电，使外部时钟信号无效。在另一第三测试模式下，在对IC持续供电时，使外部时钟信号重新有效。可以通过分析在三个测试模式中的一个或多个测试模式下所获得的频谱扫描数据，来确定关于IC内部时钟存在与否和/或操作是否正确的信息。
- 半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序-200680054964.8
- 真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏 - 浜松光子学株式会社
- 2006-10-23 - 2009-07-15 - G01R31/311
- 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、以及对半导体器件的不良进行分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)具有分析区域设定部，该分析区域设定部通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出起因于不良的反应区域，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。由此，实现了一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
- 半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序-200680054977.5
- 真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏 - 浜松光子学株式会社
- 2006-10-23 - 2009-06-24 - G01R31/311
- 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)，使用由多个层的每一层中的配线图案的图案数据组记述半导体器件的多个配线的构成的配线信息，将多个配线中通过分析区域的配线作为不良的候补配线而抽出，并且，在候补配线的抽出中，通过进行使用图案数据组的配线图案的等电位追踪，从而抽出候补配线。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
- 半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序-200680054968.6
- 真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏 - 浜松光子学株式会社
- 2006-10-23 - 2009-06-17 - G01R31/311
- 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
- 专利分类
