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[发明专利]一种基于DTMOS的电流镜单粒子瞬态加固方法-CN202310889763.5在审
发明人：陈建军;郭阳;梁斌;池雅庆;罗登;孙晗晗;王珣;沈凡;郭昊 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于DTMOS的电流镜单粒子瞬态加固方法，通过电流镜在有源设备的输出端子中产生电流的副本；电流镜包括一个根节点，并提供一个稳定的门源电压Vgs到多个叶节点，通过电路广泛地分布一个偏置；通过优化DTMOS的版图和电路结构，加入电容器和抵消电路，提高DTMOS的电流驱动能力和耐辐射能力，有效抑制SET引起的电路扰动，提高电路的可靠性和稳定性。通过辐射试验，可以测试DTMOS电流镜的性能和耐辐射能力。在电路中加入电容器和抵消电路，能够有效抑制SET引起的扰动，所提出的DTMOS电流镜具有较高的电流驱动能力和耐辐射能力，可用于高可靠性的空间集成电路IC，具有广阔的应用前景。
一种基于 dtmos 电流粒子瞬态加固方法

[发明专利]一种基于零极点双备份的抗辐射电荷泵锁相环-CN202310344663.4在审
发明人：袁珩洲;郭阳;梁斌;屈婉霞;陈建军;池雅庆;罗登;徐新宇;吴紫瑞;吴振宇;刘必慰;胡春媚;宋睿强 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H03L7/107 文献下载
摘要：本发明公开一种基于零极点双备份的抗辐射电荷泵锁相环，包括依次连接的鉴相器、电荷泵单元、用于将电压信号转换为电流信号的电压电流转换单元以及用于根据输入电流产生振荡信号的电流控制振荡器，电荷泵单元包括四条以上的电荷泵支路，各条电荷泵支路并联连接，其中至少两条电荷泵支路形成零点比例环节、至少两条电荷泵形成极点积分环节，零点比例环节的电荷泵支路的输出端与电流控制振荡器连接，极点积分环节的电荷泵支路的输出端通过电压电流转换单元与电流控制振荡器连接。本发明具有结构简单紧凑、成本低、抗辐射性能好，能够实现在单粒子轰击下锁相环不失锁等优点。
一种基于极点备份辐射电荷泵锁相环

[发明专利]一种下降沿触发器-CN202310311509.7在审
发明人：吴振宇;刘必慰;池雅庆;宋睿强;黄东昌;梁斌;郭阳;杨益斌;吕灵慧;张沛 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：本申请属于触发器技术领域，涉及一种下降沿触发器，包括：主锁存器单元、从锁存器单元、第一级时钟反相器单元以及第二级时钟反相器单元；主锁存器单元与从锁存器单元相连，主锁存器单元和从锁存器单元还分别与输入端和输出端相连；第一级时钟反相器单元与第二级时钟反相器单元相连且均与主锁存器单元相连，第一级时钟反相器单元和第二级时钟反相器单元还分别与时钟端和从锁存器单元相连；第一级时钟反相器单元包括第一晶体管和第二晶体管，第二级时钟反相器单元包括第三晶体管和第四晶体管，第一晶体管和第三晶体管的尺寸分别小于第二晶体管和第四晶体管。本申请能够提升触发器的性能并降低触发器的功耗。
一种下降触发器

[发明专利]一种倒封装芯片衬底减薄系统与方法-CN202210423266.1有效
发明人： 池雅庆;梁斌;陈建军;袁珩洲;罗登;郭阳;胡春媚;刘必慰;宋睿强;吴振宇 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒封装芯片衬底减薄系统及减薄方法，该系统包括抛光机台、研磨盘、第一限位器、供液器和第二限位器，所述研磨盘安装在抛光机台上，由抛光机台控制绕研磨盘的轴心线旋转或静止；所述第一限位器和第二限位器放置于研磨盘上；所述供液器，安装于抛光机台上，由抛光机台控制供液器将研磨液滴在研磨盘上；所述第一限位器的侧面与第二限位器的侧面接触。该方法基于上述系统来实施。本发明具有结构简单紧凑、操作简便、减薄效果好、能够大幅提高良品率等优点。
一种封装芯片衬底系统方法

[发明专利]加固电流镜电路及抗单粒子瞬态效应的加固方法-CN202111502387.7有效
发明人：郭阳;刘婧恬;梁斌;陈建军;池雅庆 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种加固电流镜电路及抗单粒子瞬态效应的加固方法，该电路包括：作为电流镜根节点的PMOS管MR，多个叶节点PMOS管、PMOS开关管以及反相器；所述PMOS管MR的栅极与漏极相连，连接到输入端，同时连接到PMOS开关管的源级；所述PMOS开关管的漏极连接到多个PMOS管的栅极，多个PMOS管的漏极为电流输出端；PMOS管MR和多个PMOS管的衬底和源极都接Vdd；在PMOS管MR旁边放置一个N型掺杂区的N阱接触，所述N阱接触不与电源相连。该方法可以基于上述电路来实现。本发明具有结构简单、操作简便、易实现、加固效果好等优点。
加固电流电路粒子瞬态效应方法

[发明专利]一种无频率损耗的集成电路抗单粒子翻转加固方法-CN202011554491.6有效
发明人：宋睿强;邵津津;刘必慰;吴振宇;梁斌;池雅庆;陈建军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H03K5/13 文献下载
摘要：本发明公开一种无频率损耗的集成电路抗单粒子翻转加固方法，步骤包括：S1.获取目标集成电路中所有的触发器；S2.遍历获取的所有触发器进行判断，每次判断时对当前触发器所在的数据通路进行静态时序分析，计算出数据通路的时序余量，并计算将当前触发器替换为所需的加固触发器后建立时间参数的增量值以及CLK‑Q延时的增量值，根据当前触发器对应的时序余量与增量值之间的差值判断当前触发器是否为所需筛选出的目的触发器；S3.将步骤S2筛选出的所有目的触发器替换为加固触发器，得到加固后的集成电路。本发明能够抗单粒子翻转，同时能够保持集成电路工作频率不变，实现无频率损耗。
一种频率损耗集成电路粒子翻转加固方法

[发明专利]一种具有抗辐照功能的分频器电路-CN201811434619.8有效
发明人：郭阳;袁珩洲;陈建军;梁斌;池雅庆;陈希 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H03K23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有抗辐照功能的分频器电路，包括三个以上的分频器单元以及一个投票器单元，各分频器单元的输出端分别与投票器单元的输入端连接，投票器单元的输出端反馈连接至各分频单元的输入端。本发明具有结构简单、成本低、具有抗辐照功能以及软错误率低等优点。
一种具有辐照功能分频器电路

[发明专利]一种具有抗辐照功能的交叉耦合压控振荡器-CN201811433877.4有效
发明人：郭阳;袁珩洲;陈建军;梁斌;池雅庆;陈希 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：本发明公开一种具有抗辐照功能的交叉耦合压控振荡器，包括依次连接的VCO单元、信号转换单元以及投票器单元，VCO单元包括三个以上的VCO电路，各个VCO电路分别输出一路相同相位的电流输出信号给信号转换单元，信号转换单元接收三路电流输出信号并转换为电压信号，转换后得到的三路电压输出信号提供给投票器单元，由投票器单元选择输出最终的电压输出信号。本发明具有结构简单、成本低、具有抗辐照功能以及软错误率低等优点。
一种具有辐照功能交叉耦合压控振荡器

[发明专利]多阈值标准单元库设计方法及多阈值标准单元库-CN202211065059.X在审
发明人：宋睿强;邵津津;刘必慰;胡春媚;吴振宇;池雅庆;梁斌;袁珩洲;陈建军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请涉及一种多阈值标准单元库设计方法及多阈值标准单元库。所述方法包括：获取标准单元库中的标准单元；标准单元包括功能晶体管和驱动晶体管；根据标准单元的电路结构，构建功能晶体管对应的功能晶体管版图和驱动晶体管对应的驱动晶体管版图；采用第一阈值图层覆盖功能晶体管版图中的功能晶体管，得到第一阈值功能晶体管版图，采用第二阈值图层覆盖驱动晶体管版图中的驱动晶体管，得到第二阈值驱动晶体管版图；拼接第一阈值功能晶体管版图和第二阈值驱动晶体管版图，得到多阈值标准单元，根据多阈值标准单元，得到多阈值标准单元库。采用本方法得到的多阈值标准单元库，能够在集成电路中更高效地进行功耗回收，降低集成电路的整体功耗。
阈值标准单元设计方法

[发明专利]一种电路功能可裁剪的数字信号处理芯片-CN202210903457.8有效
发明人：宋睿强;邵津津;胡春媚;吴振宇;刘必慰;梁斌;池雅庆;陈建军;袁珩洲 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本申请涉及一种电路功能可裁剪的数字信号处理芯片。所述处理芯片包括：主电路模块、多个内核子电路模块、多个高速外设子电路模块、多个低速外设子电路模块和多个输出选择电路；内核子电路模块、高速外设子电路模块和低速外设子电路模块分别连接对应的输出选择电路，每一输出选择电路连接主电路模块；输出选择电路包括多个二选一电路，每一二选一电路的第一输入端连接对应子电路模块的输出端，第二输入端连接固定的0电位或1电位，选择端连接主电路模块的使能端，输出端连接主电路模块；每一内核子电路模块、每一高速外设子电路模块和每一低速外设子电路模块分别连接对应的供电端口。采用本发明芯片能够实现电路可裁剪功能，并降低处理器功耗。
一种电路功能裁剪数字信号处理芯片

[发明专利]一种SERDES单粒子功能中断截面的测试方法及测试系统-CN202010088322.1有效
发明人： 池雅庆;梁斌;陈建军;郭阳;袁珩洲;刘必慰;宋睿强;吴振宇 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H04L1/24 文献下载
摘要：一种SERDES单粒子功能中断截面的测试方法及测试系统，方法包括：S1：控制被测SERDES运行于近端环回模式，用高能粒子辐照被测SERDES并统计总注量Q；S2：若Q达到预定值转S9，否转S3；S3：关闭PRBS产生器和PRBS检测器，传输COMMA码并开启字界对齐；S4：等待T时间，检测是否完成字界对齐，完成转S5，未完成则K值增1转S8；S5：停止传输COMMA码，关闭字界对齐，产生和检测指定码型的PRBS码；S6：开启字界对齐；S7：等待T时间，检测是否完成字界对齐，未完成转S2，完成则K值增1转S8；S8：重启被测SERDES运行于近端环回模式，转S2；S9：停止辐照，计算单粒子功能中断截面C＝K/Q。系统用来实施上述方法。本发明具有原理简单、易实现、能够提高SERDES单粒子功能中断测试准确度等优点。
一种 serdes 粒子功能中断截面测试方法系统

[发明专利]一种无频率损耗的集成电路抗单粒子瞬态加固方法-CN202011573585.8有效
发明人：宋睿强;邵津津;吴振宇;刘必慰;梁斌;池雅庆;陈建军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开一种无频率损耗的集成电路抗单粒子瞬态加固方法，步骤包括：S1.获取目标集成电路中各条数据路径的最后一级组合电路单元；S2.对获取的各最后一级组合电路单元进行静态时序分析，得到通过各最后一级组合电路单元的最大数据通路，并计算最大数据通路的时序余量；S3.根据计算出的各最大数据通路的时序余量对应确定具有匹配滤波参数的滤波单元；S4.将确定得到的滤波单元对应插入至各条数据路径中最后一级组合电路单元的输出端，得到加固后的集成电路。本发明能够抗单粒子瞬态，同时能够保持集成电路工作频率不变，实现无频率损耗。
一种频率损耗集成电路粒子瞬态加固方法

[发明专利]一种双向控制的流控振荡器-CN202210582884.0在审
发明人：袁珩洲;梁斌;郭阳;陈希;桑浩;颜广达;陈建军;池雅庆;罗登;徐新宇;吴紫瑞;盛汝琼 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H03K3/03 文献下载
摘要：本发明公开一种双向控制的流控振荡器，包括环形振荡器以及负反馈电路，所述负反馈电路的输出端与所述环形振荡器的电流控制端连接，由所述负反馈电路隔离电源噪声并对所述环形振荡器进行电流控制以实现频率粗调，所述环形振荡器的每一级的输出端还设置有变容管，通过控制各所述变容管的电容大小以实现振荡频率的细调。本发明能够实现低相位噪声的流控振荡器，同时还能够隔离电源噪声以及实现频率粗调和细调相结合。
一种双向控制振荡器

[发明专利]EDAC加固微处理器单粒子翻转截面的测试方法-CN202210601810.7在审
发明人： 池雅庆;梁斌;陈建军;袁珩洲;罗登;郭阳;胡春媚;刘必慰;宋睿强;吴振宇 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明公开一种EDAC加固微处理器单粒子翻转截面的测试方法，步骤包括：S1.配置被测EDAC加固微处理器的测试程序，并测试测试程序完成一次运行所用的时间、运行使用到的被测EDAC加固微处理器SRAM部件的面积；S2.根据测试得到的时间、面积初始化高能粒子注量率；S3.按照高能粒子注量率不断注入高能粒子辐照被测EDAC加固微处理器，并启动被测EDAC加固微处理器的测试程序，统计测试程序未在时间内运行完成以及运行结果错误的软错误次数，直至总注入量达到预设值；S4.根据统计的软错误次数以及总注入量计算被测EDAC加固微处理器的单粒子翻转截面。本发明具有实现方法简单、测试效率以及精度高等优点。
edac 加固微处理器粒子翻转截面测试方法

[发明专利]一种质子致单粒子翻转软错误率的获取方法-CN202010088378.7有效
发明人： 池雅庆;梁斌;陈建军;郭阳;袁珩洲;刘必慰;宋睿强;吴振宇 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种质子致单粒子翻转软错误率的获取方法，为：选取不同能量的质子对被测集成电路进行质子单粒子翻转辐照试验，测得被测集成电路在上述各能量质子辐照下质子直接电离和间接电离致单粒子翻转效应的单粒子翻转截面；拟合直接电离获得的单粒子翻转截面与质子能量关系数据点，获得拟合参数并得到软错误率e1、e2；拟合间接电离获得的单粒子翻转截面与质子能量关系数据点，获得拟合参数并得到软错误率e3；计算被测集成电路整体的质子致单粒子翻转软错误率e＝e1‑e2+e3。本发明具有原理简单、易实现、精度高等优点。
一种质子粒子翻转错误率获取方法

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