[发明专利]半导体不良解析装置、不良解析方法、不良解析程序及不良解析系统无效
| 申请号： | 200680022712.7 | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101208609A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 武田雅裕;堀田和宏 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/302 | 分类号： | G01R31/302;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 由至少取得半导体设备的图案图像(P1)的检测信息取得部(11)；取得布局图像(P3)的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将不良解析的信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)构成不良解析装置(10)。解析画面显示控制部(14)，作为显示在显示模块(40)的半导体设备的图像，生成将图案图像(P1)和布局图像(P3)重叠后的重叠图像；同时，设定重叠图像上的布局图像(P3)对图案图像(P1)的透过率。由此，实现了能确实且高效地进行半导体设备的不良解析的半导体不良解析装置、解析方法、解析程序、及解析系统。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 不良 解析 装置 方法 程序 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体不良解析装置，使用半导体设备的观察图像对其不良进行解析，其特征在于，具备：检测信息取得模块，取得检测信息，该检测信息至少包含半导体设备的通常观察图像的图案图像，并将其作为观察图像；布局信息取得模块，取得含有所述半导体设备的布局图像的布局信息；不良解析模块，参照所述观察图像对所述半导体设备的不良进行解析；和信息显示控制模块，将关于所述半导体设备的不良解析的信息显示在显示模块上，所述信息显示控制模块具有：重叠图像生成模块，作为显示在所述显示模块上的所述半导体设备的图像，生成将所述图案图像和所述布局图像重叠后的重叠图像；和透过率设定模块，设定在所述重叠图像中所述布局图像相对于所述图案图像的透过率。
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- 2009-06-24 - 2011-06-22 - G01R31/302
- 本发明涉及一种用于测试电子装置的方法和机器，其中由单向测量探头(46)测量所发射的磁场，其特征在于：由探头(46)测量沿轴ZZ’的磁场分量Bz的第一值(Bz1)并对其进行记录，然后通过绕着与所述轴ZZ’正交的轴XX’根据小于90°的角幅度相对枢转使所述探头(46)和所述电子装置彼此相对移动，同时针对轴ZZ’的每个位置(x，y)保持在同一距离d0处，由探头(46)测量沿轴ZZ’的磁场分量Bz的第二值(Bz2)并对其进行记录，然后基于已经获得的第一值Bz1和第二值Bz2确定所述磁场沿着与所述轴ZZ’和XX’正交的轴YY’的分量By的值并对其进行记录。
- 电路图案检查装置-201010243928.4
- 羽森宽;坂和正敏;加藤浩介 - OHT株式会社
- 2010-08-02 - 2011-03-30 - G01R31/302
- 本发明涉及一种电路图案检查装置，能够解决在采用非接触方式与导体图案进行电容耦合的电极的电路图案检查装置中，随着检查对象的导电图案的微细化的进展，得到的检查信号值变小，判断缺陷变难的问题。本发明的电路图案检查装置将具备空开间隔配置的两组的传感器对的检查部移动的同时，通过电容耦合对各导电图案施加由交流信号构成的检查信号，并且通过电容耦合检测传输于导电图案的检查信号，通过利用一次移动的检查分别检测来自各导电图案的检查信号，将这些检测信号与判断基准值进行比较，从而选出缺陷候补，使在各检查信号中的导电图案的位置一致，将缺陷候补彼此进行比较，将在相同图案位置上共通存在缺陷候补的导电图案判断为不良。
- 专利分类
