[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 01110971.8 | 申请日： | 2001-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1312589A | 公开（公告）日： | 2001-09-12 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;须泽英臣;小野幸治;荒尾达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、源区和漏区,LDD区与第一栅电极重叠,栅绝缘膜夹于其间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体显示器件包括：形成在绝缘表面上的半导体膜；与半导体膜接触的栅绝缘膜；与栅绝缘膜接触的第一栅电极；与第一栅电极接触的第二栅电极；其中半导体膜包括：沟道形成区，与沟道形成区接触的LDD区，与LDD区接触的源区和漏区，其中沿沟道纵向的第一栅电极的第一宽度宽于沿沟道纵向的第二栅电极的第二宽度，其中LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
