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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN202111469815.0在审
发明人： 张宇瑞;宋建宪;甘铠铨 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件，包含基底、隔离区、第一电阻区块、第二电阻区块、第一连接结构、第一井区及第二井区。基底包含具有第一导电类型的区域，隔离区设置于第一井区及第二井区上，第一电阻区块及第二电阻区块设置于隔离区上且电性连接，第一井区及第二井区设置于基底的上述区域中，且分别设置于第一电阻区块及第二电阻区块的正下方，第一井区及第二井区于一垂直投影方向上不重叠且具有第二导电类型，其中第二导电类型与第一导电类型相反。
半导体器件

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110331983.7在审
发明人：李一平;林光明;廖志成;郭雅惠;常佩妤;张雅婷;李琮雄;吴政宪;甘铠铨;张宇瑞;刘又瑄 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：提供形成半导体装置的方法，包括：在基板之中形成沟槽，其中沟槽包括缺陷，且缺陷突出于沟槽的底部；在基板之上形成可流动材料以至少部分覆盖缺陷；执行刻蚀工艺以减低缺陷的高度；以及去除可流动材料。
半导体装置形成方法

[实用新型]煤矿井下胶带输送机储能器-CN202120838033.9有效
发明人：张国栋;李增刚;张祥凯;张麒浩;张宇瑞 -专利权人：张国栋
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： B65G15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及胶带运输技术领域，具体为一种煤矿井下胶带输送机储能器，包括传动机构、换向机构、储能机构，传动机构包括滚筒、轴承、锥形齿轮，换向机构包括齿轮A、齿轮B、齿轮C、万向联轴器、换向杆、固定块、转轴，储能机构包括储能箱、手动储能杆、涡卷弹簧，所述锥形齿轮通过滚筒提供动力，两个锥形齿轮互成90度啮合，其中一个锥形齿轮与滚筒同轴，另一个锥形齿轮与齿轮A同轴，齿轮A与齿轮B啮合，齿轮C与齿轮A、齿轮B通过换向杆选择性啮合，万向联轴器贯穿储能箱、换向杆，一端连接齿轮C，另一端连接手动储能杆，该装置可以通过储能与放能，有效降低胶带输送机在启动时由于电流太大对电机、电缆造成的影响。
煤矿井下胶带输送机储能器

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201510775826.X有效
发明人： 张宇瑞;林正基 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括基板、具有第一导电型且位于基板中的阱区、具有第二导电型且具有多个分支设置于阱区中的第一掺杂区、具有第一导电型且具有多个分支的第二掺杂区、以及具有第一导电型且设置于阱区中的第三掺杂区。第二导电型相反于第一导电型。第一掺杂区的一部分重叠于第三掺杂区的一部分。第二掺杂区的分支设置于第三掺杂区中，且第三掺杂区的一部分设置于第一掺杂区及第二掺杂区之间。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]具有埋层的半导体装置-CN201510458067.4有效
发明人： 张宇瑞;林正基 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有埋层的半导体装置，该半导体装置，包括一基板、一高电压阱、一源极区域、一漏极区域以及一埋层，基板具有一第一导电类型，高电压阱具有一第二导电类型，并设置于基板之中，源极区域设置于高电压阱之中，漏极区域设置于高电压阱之中，且沿着一第一方向与源极区域间隔开，埋层具有第二导电类型，并设置于源极区域与漏极区域之间的一区域之下。
具有半导体装置

[发明专利]具有金属层于漂移区之上的半导体元件-CN201410275970.2有效
发明人： 张宇瑞;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有金属层于漂移区之上的半导体元件，该半导体元件包括衬底、绝缘层、栅极层以及金属层。绝缘层配置于衬底之上且覆盖漂移区，绝缘层包括第一边缘与第二边缘，第二边缘相对于第一边缘。栅极层覆盖绝缘层的第一边缘。金属层包括金属部分，金属部分连接于栅极层且重叠于绝缘层的第一边缘。金属部分包括第一边缘，金属部分的第一边缘位于比金属部分的相对的第二边缘更接近于绝缘层的中央部分之处。沿通道长度方向由金属部分的第一边缘至绝缘层的第一边缘的距离是a。由绝缘层的第一边缘至绝缘层的第二边缘的距离是L。a/L比值是等于或高于0.46。
具有金属漂移之上半导体元件

[发明专利]包括高电压二极管的半导体装置及其制造方法-CN201410565917.6在审
发明人： 张宇瑞;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括高电压二极管的半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基板、配置于基板中的一高电压N型阱(high-voltage N-well，HVNW)、配置于基板中且邻近HVNW是边缘的一大块P型阱、配置于HVNW中的一高电压(high-voltage，HV)二极管，HV二极管包括配置于HVNW中且与HVNW是边缘分开的一HV二极管P型阱以及配置于HVNW中且位于HV二极管P型阱与大块P型阱之间的一N型阱。N型阱的掺杂浓度大于HVNW的掺杂浓度。
包括电压二极管半导体装置及其制造方法

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