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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202111119313.5在审
  • 杜硕伦;吴锡垣 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2021-09-24 - 2023-03-17 - H01L29/40
  • 本公开提供一种半导体元件，包括：基底；源极区与漏极区位于所述基底中；栅极结构，位于所述源极区与所述漏极区之间的所述基底中；绝缘层，位于栅极结构与所述漏极区之间；多个场板，位于所述绝缘层上，其中最接近所述栅极结构的所述场板与所述源极区电性连接；第一阱区，位于所述基底中；本体接触区，位于所述第一阱区中，其中所述本体接触区与所述源极区以及最接近所述栅极结构的所述场板电性连接；以及第一掺杂漂移区，位于所述基底中，其中所述栅极结构位于所述第一阱区与所述第一掺杂漂移区之间，且所述漏极区位于所述第一掺杂漂移区内。
  • 半导体元件及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201510150344.5有效
  • 陈信良;蔡英杰;陈永初;吴锡垣 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2015-04-01 - 2019-05-07 - H01L27/02
  • 本发明提供了一种半导体装置。该半导体装置包括第一金属氧化物半导体结构、第二金属氧化物半导体结构以及双极结结构。第一金属氧化物半导体结构包括第一漏极区、第一通道区以及第一源极区，依次沿第一方向排列。第一金属氧化物半导体结构还包括漏极电极，形成于第一漏极区之上且电性耦接至第一漏极区以及本体区，形成于第一通道区之下且电性耦接至第一通道区。第二金属氧化物半导体结构包括第二漏极区、第二通道区以及第二源极区，依次沿第二方向排列，第二方向不同于第一方向。双极结结构包括射极区、基极区以及集极区。第一源极区与第二漏极区在基板中共享第一共同半导体区。漏极电极与基极区在基板中共享第二共同半导体区。本体区与集极区在基板中共享第三共同半导体区。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体元件-CN201410801940.0有效
  • 陈信良;陈永初;吴锡垣 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2014-12-22 - 2019-04-26 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种半导体元件，包括形成于基板中的高压及低压金属氧化物半导体。高压金属氧化物半导体包括第一导电型与第一掺杂程度的第一半导体区、第一导电型与第二掺杂程度的第二半导体区、第二导电型的第三半导体区、及第一导电型的第四半导体区。第二掺杂程度低于第一掺杂程度。第一、第二、第三、与第四半导体区是依序沿第一方向排列，且分别是高压金属氧化物半导体的漏极区、漂移区、通道区、与源极区。低压金属氧化物半导体包括第四半导体区、第二导电型的第五半导体区、与第一导电型的第六半导体区。第四、第五、与第六半导体区是依序沿第二方向排列，且分别是低压金属氧化物半导体的漏极区、通道区、与源极区。第二方向不同于第一方向。
  • 半导体元件
  • [发明专利]半导体装置-CN201510587602.6有效
  • 蔡英杰;陈永初;吴锡垣;龚正 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2015-09-16 - 2019-03-19 - H01L29/739
  • 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括一基板；一第一掺杂阱，设置于基板中；一第二掺杂阱，设置于基板中并相邻于第一掺杂阱的一第一侧；一缓冲区，设置于第一掺杂阱中并相邻于第一掺杂阱的一第二侧，第二侧与第一侧相对设置；一栅结构，设置于第一掺杂阱的第一侧上方，并沿着一第一水平方向延伸；一第一接触区，设置于缓冲区中并朝向第一掺杂阱的第二侧；一第二接触区，设置于缓冲区中并相邻于第一接触区；以及一掺杂区，设置于缓冲区中并位于第一接触区下方。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体结构-CN201410674599.7有效
  • 蔡英杰;陈永初;吴锡垣;龚正 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2014-11-21 - 2018-12-25 - H01L29/739
  • 本发明公开了一种半导体结构。此种半导体结构包括：一基板；一第一掺杂区、一第一阱及一第二掺杂区，形成于基板中；多个第一重掺杂区，形成于第一掺杂区中；多个导电体及多个介电质，形成于基板上并介于第一重掺杂区之间；一第二重掺杂区，形成于第一阱中；一第三重掺杂区及一第四重掺杂区，形成于第二掺杂区中；以及一第一栅电极及一第一栅介电质。第一掺杂区、第一阱、第二重掺杂区及第四重掺杂区具有一第一掺杂类型。第二掺杂区、第一重掺杂区及第三重掺杂区具有一第二掺杂类型。
  • 半导体结构
  • [发明专利]高压半导体元件-CN201410383690.3有效
  • 詹景琳;林正基;吴锡垣 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2014-08-06 - 2018-11-09 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种高压半导体元件。高压半导体元件包括一P型基板、一高压N型阱(HVNW)、一第一P型阱、一漂移区(drift region)以及一P型掺杂层。高压N型阱形成于P型基板中。第一P型阱形成于高压N型阱中，第一P型阱的一底部相距P型基板的一表面具有一第一深度。漂移区形成于高压N型阱中，其中漂移区是自P型基板的表面向下延伸。P型掺杂层形成于P型基板中，P型掺杂层的一底部相距P型基板的表面具有一第二深度，其中第二深度大于第一深度，且P型掺杂层形成于位于第一P型阱和漂移区之下的一区域中。
  • 高压半导体元件
  • [发明专利]半导体装置-CN201410696166.1有效
  • 陈信良;蔡英杰;陈永初;吴锡垣 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2014-11-26 - 2018-08-28 - H01L27/02
  • 本发明公开了一种半导体装置，包括形成于基板中的金属氧化物半导体及双极性结结构。金属氧化物半导体结构包括第一区域、第二区域、第三区域及第四区域。第一、二与四区域为第一导电型，为金属氧化物半导体结构的漏极区域、漏极电极与源极区域。第二区域的掺杂程度高于第一区域。第三区域为第二导电型，包括金属氧化物半导体结构的通道与本体区域。通道区域形成于第一与第四区域之间。双极性结结构包括形成于第一区域之上的第五区域，第五区域接触第二区域且为第二导电型。第二、第三与第五区域分别为双极性结结构的基极、集极与射极区域。
  • 半导体装置
  • [发明专利]具有金属层于漂移区之上的半导体元件-CN201410275970.2有效
  • 张宇瑞;林正基;连士进;吴锡垣 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2014-06-19 - 2018-01-30 - H01L27/04
  • 本发明公开了一种具有金属层于漂移区之上的半导体元件，该半导体元件包括衬底、绝缘层、栅极层以及金属层。绝缘层配置于衬底之上且覆盖漂移区，绝缘层包括第一边缘与第二边缘，第二边缘相对于第一边缘。栅极层覆盖绝缘层的第一边缘。金属层包括金属部分，金属部分连接于栅极层且重叠于绝缘层的第一边缘。金属部分包括第一边缘，金属部分的第一边缘位于比金属部分的相对的第二边缘更接近于绝缘层的中央部分之处。沿通道长度方向由金属部分的第一边缘至绝缘层的第一边缘的距离是a。由绝缘层的第一边缘至绝缘层的第二边缘的距离是L。a/L比值是等于或高于0.46。
  • 具有金属漂移之上半导体元件
  • [发明专利]横向漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法-CN201410014798.5有效
  • 蔡钧谚;杜硕伦;连士进;吴锡垣 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2014-01-13 - 2017-10-31 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种横向漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法，该横向漏极金属氧化物半导体元件包括一阱区、一体区域、一源极区、一漏极区、一栅极结构、一浅沟道隔离结构以及一埋层，具有第二导电类型的阱区位于一衬底中，具有第一导电类型的一体区域位于阱区中，具有第二导电类型的漂移区位于阱区中并与体区域隔开，具有第二导电类型的一源极区于该体区域中，具有第二导电类型的漏极区于漂移区中，栅极结构位于阱区上并介于源极区与漏极区间，浅沟道隔离结构位于漂移区中并介于源极区与漏极区间，具有第一导电类型的埋层位于阱区中并位于漂移区之下，埋层的中心对齐于浅沟道隔离结构的中心。
  • 横向金属氧化物半导体元件及其制造方法
  • [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201410041840.2有效
  • 詹景琳;林正基;连士进;吴锡垣 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2014-01-28 - 2017-07-21 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括基底、隔离结构、栅极结构、源极区与漏极区、以及导体层；源极区与漏极区位于基底中；隔离结构位于源极区与漏极区之间；栅极结构位于源极区与隔离结构之间的基底上；导体层位于基底上方，至少自源极区上方延伸至隔离结构上方，且电性连接源极区；基底包括第一区与第二区，在第二区的源极区的轮廓的曲率大于在第一区的源极区的轮廓的曲率，且在第二区上方的覆盖隔离结构的导体层的部分的宽度大于在第一区上方的覆盖隔离结构的导体层的部分的宽度。
  • 半导体元件及其制造方法
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