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[发明专利]半导体装置及其制造方法与操作方法-CN201310018592.5有效
发明人：詹景琳;林镇元;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法与操作方法。半导体装置包括衬底、深阱、第一阱、第一掺杂电极区、第二掺杂电极区以及高截止电压通道区。衬底具有第一导电型。深阱位于衬底内，并具有与第一导电型相反的第二导电型。第一阱位于深阱内，并具有第一导电型或第二导电型至少其中之一。第一掺杂电极区具有第一导电型并位于第一阱内。第二掺杂电极区具有第二导电型，位于第一阱内且邻近第一掺杂电极区。高截止电压通道区由衬底的表面向下扩展且覆盖部份的第二掺杂电极区的表面，其覆盖第二掺杂电极区的比例越高，半导体装置的输出电流越大。
半导体装置及其制造方法操作方法

[发明专利]高电压接面场效晶体管结构-CN201210587232.2无效
发明人：许维勋;杜硕伦;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：一JFET结构包括具有一第一端子的一第一JFET及与所述第一JFET相邻的一第二JFET。两个JFET共享所述第一端子，且所述第一端子在每一JFET的闸极之间。所述JFET亦提供至少一调谐旋钮以调整夹止电压，且提供一调谐旋钮以调整所述JFET结构的崩溃电压。此外，所述JFET具有作为另一调谐旋钮的一内埋层以调整所述JFET结构的所述夹止电压。
电压接面场效晶体管结构

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201210553159.7有效
发明人：詹景琳;林镇元;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一栅极结构；第一掺杂区具有一第一导电型，第二掺杂区形成于第一掺杂区中，并具有相对于第一导电型的一第二导电型；栅极结构形成第一掺杂区和第二掺杂区上；栅极结构包括一第一栅极部分和一第二栅极部分，彼此是以一间隙(gap)分隔开。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]金属氧化物半导体装置及其制造方法-CN201210387057.2无效
发明人：詹景琳;吴锡垣;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物半导体装置及其制造方法，该改良的金属氧化物半导体装置包括：一p衬底；一高电压n阱，配置在该p衬底中；一第一p阱，形成于具有一第一p+掺杂区的该p衬底中；一第二p阱，形成于具有邻近一n+掺杂源极区的一第二p+掺杂区的该HVNW中；一离散p顶端区，具有多个配置在该HVNW中的p顶端段；以及一n阶区，配置在该离散p顶端区之上，其中，该多个p顶端段的每一个具有一段离该n阶区的距离以定义多个距离，具有一宽度以定义多个宽度，并具有一段与一邻近p顶端段的分离距离以定义多个分离距离。藉此，p顶层是由一连串的离散设置的P型顶端扩散区所定义。本发明亦提供用于制造本发明的MOS装置的方法。
金属氧化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201210305283.1有效
发明人：陈建志;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括衬底、装置区、第一掺杂区与栅结构；第一掺杂区形成在邻近装置区的衬底中；栅结构位于第一掺杂区上；第一掺杂区与栅结构是互相重叠的。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201210247221.X有效
发明人：锺淼钧;郑安棣;黄胤富;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括基体、栅极、源极、漏极与基体接触区；栅极位于基体上；源极与漏极分别位于栅极的相对两侧上的基体中；基体接触区仅位于基体邻近源极的一区域中并电性连接至基体。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201210089540.2有效
发明人：林镇元;林正基;詹景琳;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一第一导电型的一衬底；一第二导电型的一深阱，形成于衬底内并由衬底表面向下扩展；第一导电型的一第一阱，是由衬底表面向下扩展并形成于深阱内，第一阱包括一块状区(block region)和连接块状区一端的多个指状区(fingerregions)；和第二导电型的一第二阱，是于深阱内由衬底的表面向下扩展并邻接第一阱，且第二阱包括多个通道区与该多个指状区交错设置，以间隔开该多个指状区。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201210043469.4有效
发明人：詹景琳;林镇元;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、掺杂条纹与顶掺杂区；第一掺杂区具有第一导电型；第二掺杂区形成于第一掺杂区中，并具有相对于第一导电型的第二导电型；掺杂条纹形成于第一掺杂区中，并具有第二导电型；顶掺杂区形成于掺杂条纹中，并具有第一导电型；顶掺杂区具有相对的第一侧边与第二侧边；掺杂条纹是延伸超过第一侧边或第二侧边。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201210021446.3有效
发明人：陈建志;陈立凡;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第一导电结构与第二导电结构。第一掺杂区包括第一接触区。第一掺杂区与第一接触区具有第一导电型。第二掺杂区包括第二接触区。第二掺杂区与第二接触区具有相反于第一导电型的第二导电型。第一掺杂区是邻近第二掺杂区。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201210005433.7有效
发明人：李明东;陈建铨;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-01-10 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括一衬底、一有源元件、一第一半导体元件、一第二半导体元件及一被动元件。衬底具有一第一区及与第一区相连的一第二区。有源元件具有一掺杂区，掺杂区位于第一区。第一半导体元件、第二半导体元件及被动元件被设于第二区上。第一半导体元件、第二半导体元件及被动元件均被电性连接于有源元件。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]金属氧化物半导体元件及其制造方法-CN201110299755.2无效
发明人：陈建铨;李明东;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-10-08 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物半导体元件及其制造方法，其中半导体元件包括额外的注入区，这些注入区位于元件的源极与漏极区中，用以改进元件特定导通电阻(Ron-sp)与崩溃电压(BVD)的特性。元件包括栅极电极，栅极电极形成于通道区之上，在元件衬底中通道区是分离第一与第二注入区。第一注入区具有第一导电型，第二注入区具有第二导电型。源极扩散区形成于第一注入区中，漏极扩散区形成于第二注入区中。
金属氧化物半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201110204017.5有效
发明人：陈建志;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括二极管。二极管包括第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。第一掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第二掺杂区与第三掺杂区通过第一掺杂区分开。第三掺杂区具有相邻近的第一部分与第二部分，分别靠近与远离第二掺杂区。第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度。本发明的半导体结构中的二极管的切换速度高、开启电阻低。此外，本发明的二极管能自隔离于其它元件，需要的设计面积小且制造成本低。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法-CN201110170369.3有效
发明人：林镇元;林正基;连士进;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法。半导体装置包括半导体衬底、横向半导体二极管、场绝缘结构与多晶硅电阻。二极管形成在半导体衬底的表面区域中，且包含阴极电极与阳极电极。场绝缘结构配置阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻形成在场绝缘结构上，并介于阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻电性连接至阴极电极，并电性绝缘于阳极电极。
高压电阻半导体装置制造方法

[发明专利]半导体结构及其操作方法-CN201110147116.4有效
发明人：吴锡垣;陈永初;连士进;林正基 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其操作方法。半导体结构包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第一沟道结构与第二栅结构；第一掺杂区位于衬底中；第一掺杂区具有第一导电型；第二掺杂区位于第一掺杂区中；第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型；第三掺杂区位于第二掺杂区中且具有第一导电型；第一沟道结构具有第一栅结构；第一栅结构与第二栅结构分别位于第二掺杂区的不同侧上。
半导体结构及其操作方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201110115558.0有效
发明人：林镇元;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-05-03 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一掺杂阱、一第一掺杂电极、一第二掺杂电极、多个掺杂条纹与一掺杂顶区。掺杂条纹位于第一掺杂电极与第二掺杂电极之间的第一掺杂阱上。掺杂条纹互相分开。掺杂顶区位于掺杂条纹上，并延伸于掺杂条纹之间的第一掺杂阱上。第一掺杂阱与掺杂顶区具有一第一导电类型。掺杂条纹具有相反于第一导电类型的一第二导电类型。本发明各实施例的结构和方法能降低装置的开启阻抗，提升开启电流与效能。
半导体结构及其制造方法