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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201310263520.7有效
发明人： 林镇元;詹景琳;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有一高电压区及一低电压区的半导体结构包括一基板，其为一第一导电类型，容纳所述高电压区及所述低电压区。一电阻，位于所述基板上，连接所述高电压区及所述低电压区，且所述电阻实质上驻留于所述高电压区中。所述结构进一步包括一第一掺杂区域，其为所述第一导电类型，位于所述基板中，处于所述高电压区与所述低电压区之间；及一第二掺杂区域，其为一第二导电类型，处于所述基板与所述第一掺杂区域之间。此外，一绝缘层形成于所述电阻与所述第一掺杂区域之间。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模-CN201310225006.4有效
发明人： 林镇元;詹景琳;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模，该半导体装置包括至少一第二场区，包括一主晶粒阵列，每一晶粒具有一高度Y1以及一宽度X1，且该主晶粒阵列具有一高度Y3；该半导体装置更可包括至少一第一场区，包括具有一高度Y2及一宽度X2的一监视区，以及具有一高度Y2且包括一辅助晶粒阵列的一辅助晶粒区。各区的尺寸可互相成比例，使得X2＝n1×X1+adjustment1、Y2＝n3×Y1+adjustment3以及Y3＝n4×Y2+adjustment4，其中n1、n3、与n4为整数。
半导体装置制作方法使用

[发明专利]具有P顶层与N能阶的半导体装置及其制造方法-CN201310044236.0有效
发明人：詹景琳;林镇元;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有P顶层与N能阶的半导体装置，包括一P衬底；一高电压N阱，其设置于该P衬底中；一第一P阱，其形成于具有一第一P+掺杂区的该P衬底中；一第二P阱，其形成于具有一第二P+掺杂区的该HVNW中，其中该第二P+掺杂区邻近于一N+掺杂源极区；以及一分离的N能阶及P顶区，其设置于该HVNW中；其中该分离的N能阶及P顶区具有由散布于多个N能阶区段之间的多个P顶区段所定义的一或多层，N能阶及P顶层由序列且分离设置的N型及P型扩散区段所定义。本发明也提供制造此半导体装置的方法。
具有顶层半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法与操作方法-CN201310018592.5有效
发明人：詹景琳;林镇元;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法与操作方法。半导体装置包括衬底、深阱、第一阱、第一掺杂电极区、第二掺杂电极区以及高截止电压通道区。衬底具有第一导电型。深阱位于衬底内，并具有与第一导电型相反的第二导电型。第一阱位于深阱内，并具有第一导电型或第二导电型至少其中之一。第一掺杂电极区具有第一导电型并位于第一阱内。第二掺杂电极区具有第二导电型，位于第一阱内且邻近第一掺杂电极区。高截止电压通道区由衬底的表面向下扩展且覆盖部份的第二掺杂电极区的表面，其覆盖第二掺杂电极区的比例越高，半导体装置的输出电流越大。
半导体装置及其制造方法操作方法

[发明专利]高压 ED NMOS 元件嵌入高压横向 NJFET-CN201310126266.6有效
发明人：陈永初;陈立凡;林镇元 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-04-12 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压ED NMOS元件嵌入高压横向NJFET及其制造方法，该高压ED NMOS元件嵌入高压横向NJFET包含一高压(HV)n型金属氧化物半导体(NMOS)嵌入HV结栅极场效应晶体管(JFET)的半导体装置被提供。根据第一示例实施例，具有嵌入HV JFET的HV NMOS可包含衬底、被设置为邻近该衬底的N型阱区、被设置为邻近该N型阱区的P型阱区、以及被设置为邻近该N型阱区且在该P型阱区相对侧的第一及第二N+掺杂区。该P型阱区可包含P+掺杂区、第三N+掺杂区以与栅极结构，该第三N+掺杂区介于该P+掺杂区以及该栅极结构之间。
高压 ed nmos 元件嵌入横向 njfet

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201210553159.7有效
发明人：詹景琳;林镇元;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一栅极结构；第一掺杂区具有一第一导电型，第二掺杂区形成于第一掺杂区中，并具有相对于第一导电型的一第二导电型；栅极结构形成第一掺杂区和第二掺杂区上；栅极结构包括一第一栅极部分和一第二栅极部分，彼此是以一间隙(gap)分隔开。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201210089540.2有效
发明人： 林镇元;林正基;詹景琳;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一第一导电型的一衬底；一第二导电型的一深阱，形成于衬底内并由衬底表面向下扩展；第一导电型的一第一阱，是由衬底表面向下扩展并形成于深阱内，第一阱包括一块状区(block region)和连接块状区一端的多个指状区(fingerregions)；和第二导电型的一第二阱，是于深阱内由衬底的表面向下扩展并邻接第一阱，且第二阱包括多个通道区与该多个指状区交错设置，以间隔开该多个指状区。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201210043469.4有效
发明人：詹景琳;林镇元;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、掺杂条纹与顶掺杂区；第一掺杂区具有第一导电型；第二掺杂区形成于第一掺杂区中，并具有相对于第一导电型的第二导电型；掺杂条纹形成于第一掺杂区中，并具有第二导电型；顶掺杂区形成于掺杂条纹中，并具有第一导电型；顶掺杂区具有相对的第一侧边与第二侧边；掺杂条纹是延伸超过第一侧边或第二侧边。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法-CN201110170369.3有效
发明人： 林镇元;林正基;连士进;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法。半导体装置包括半导体衬底、横向半导体二极管、场绝缘结构与多晶硅电阻。二极管形成在半导体衬底的表面区域中，且包含阴极电极与阳极电极。场绝缘结构配置阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻形成在场绝缘结构上，并介于阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻电性连接至阴极电极，并电性绝缘于阳极电极。
高压电阻半导体装置制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201110115558.0有效
发明人： 林镇元;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-05-03 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一掺杂阱、一第一掺杂电极、一第二掺杂电极、多个掺杂条纹与一掺杂顶区。掺杂条纹位于第一掺杂电极与第二掺杂电极之间的第一掺杂阱上。掺杂条纹互相分开。掺杂顶区位于掺杂条纹上，并延伸于掺杂条纹之间的第一掺杂阱上。第一掺杂阱与掺杂顶区具有一第一导电类型。掺杂条纹具有相反于第一导电类型的一第二导电类型。本发明各实施例的结构和方法能降低装置的开启阻抗，提升开启电流与效能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]超高电压N型金属氧化物半导体元件及其制造方法-CN201110081712.7有效
发明人：陈建志;林正基;林镇元;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种可改善电学性能的超高电压N型金属氧化物半导体(UHV NMOS)元件及其制造方法。UHV NMOS元件包括一P型衬底；一第一高压N型阱区域，设置于衬底的一部分；一源极和基体P型阱，设置于邻近第一高压N型阱区域的一侧，且源极和基体P型阱包括一源极和一基体；一栅极，自源极和基体P型阱延伸至第一高压N型阱区域的一部分；一漏极设置于第一高压N型阱的另一部分且与栅极相对应；一P型场限制层，设置于第一高压N型阱区域内，且P型场限制层位于漏极与源极和基体P型阱之间；以及一N型掺杂层，形成于P型场限制层上方。
超高电压金属氧化物半导体元件及其制造方法

[发明专利]高电压金属氧化半导体装置与制造该装置的方法-CN201110256622.7有效
发明人：陈建志;林正基;林镇元;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电压金属氧化半导体装置与制造该装置的方法。高电压金属氧化半导体装置包括一源极、一漏极、一栅极、一漂移区域及一自我保护区域，栅极设置接近于源极，漂移区域实质上设置于漏极与栅极和源极的一区域之间，自我保护区域设置接近于漏极。本发明提供的高电压金属氧化半导体装置具有芯片面积效率最佳化的优点，可以用于特高压侧操作。
电压金属氧化半导体装置制造方法

[发明专利]侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制造方法-CN200910261965.5有效
发明人：林正基;林镇元;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有低特性导通电阻的侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管。叠层的P型顶部及N型梯度区域是为节状的圆弧，以分离晶体管的漏极及源极。
侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管结构制造方法

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