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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]形成图案化掺杂区的方法-CN201210411354.6有效
发明人：孙文檠;游胜闵;王泰瑞;林泽胜 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种形成图案化掺杂区的方法，其包括：提供一基底；形成一第一型态掺杂材料于基底上；形成一第二型态掺杂材料于基底上，其中第一型态掺杂材料与第二型态掺杂材料相隔一间距；形成一覆盖层，覆盖基底、第一型态掺杂材料和第二型态掺杂材料；及进行一热扩散制作工艺，使第一型态掺杂材料和第二型态掺杂材料扩散入基底中。
形成图案掺杂方法

[发明专利]高压装置及形成此高压装置的方法-CN201010222750.5有效
发明人：郑志昌;柳瑞兴;姚智文;沈佳青;黄柏晟;杨富智;蔡俊琳;段孝勤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压装置及形成此高压装置的方法，其中该高压装置包含有设置在一基材中的第一掺杂型态的井区。第二掺杂型态的第一井区设置在第一掺杂型态的井区中。一隔离结构至少部分地设置在第一掺杂型态的井区中。一第一闸极电设置在隔离结构与第二掺杂型态的第一井区之上。第二掺杂型态的一第二井区设置在第一掺杂型态的井区中。第二掺杂型态的第二井区与第二掺杂型态的第一井区之间具有一间隔。一第二闸极电极设置在第二掺杂型态的第一井区与第二掺杂型态的第二井区之间及之上。
高压装置形成方法

[发明专利]静电防护装置-CN201310295650.9在审
发明人：郑朝华;陈伟斯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种静电防护装置，其包含：一基底具有一第一导电型态，一掺杂阱具有一第二导电型态并且设置于基底中，一第一掺杂区具有第一导电型态并且设置于掺杂阱中，一第二掺杂区具有第一导电型态并且设置基底中，其中部分第二掺杂区位在掺杂阱中，剩余部分的第二掺杂区不接触掺杂阱，一正面端点电性连结第一掺杂区以及一反面端点位于基底的一反面。
静电防护装置

[发明专利]鳍状晶体管元件-CN201610096049.0有效
发明人：林廷燿;周玲君;李坤宪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-02-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种鳍状晶体管(finFET)元件，其包含至少一鳍状结构，一第一导电型态掺杂阱以及一与之相邻的第二导电型态掺杂阱定义于该鳍状结构上，一凹槽位于该鳍状结构中，并位于该第一导电型态掺杂阱与该第二导电型态掺杂阱之间
晶体管元件

[发明专利]高压半导体装置及其形成方法-CN201810412970.0有效
发明人：林志威;庄璧光 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：其中，高压半导体装置包含具有第一掺杂型态的基底。上述高压半导体装置亦包含位于基底内的第一井区及第二井区。第一井区与第二井区藉由第三井区隔开。第一井区与第二井区具有不同于第一掺杂型态的第二掺杂型态。第三井区具有第一掺杂型态。上述高压半导体装置更包含源极区及漏极区，分别位于第一井区及第二井区内。源极区及漏极区具有第二掺杂型态。上述高压半导体装置亦包含埋置于第三井区内的第一掺杂区。第一掺杂区具有第二掺杂型态。
高压半导体装置及其形成方法

[发明专利]高压半导体装置及其制造方法-CN201810281129.2在审
发明人：林志鸿;李家豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：上述方法包含提供基底，其具有第一导电型态。上述方法亦包含执行第一离子注入制程，以形成第一掺杂区于基底内。第一掺杂区具有与第一导电型态不同的第二导电型态。上述方法更包含形成第一磊晶层于基底上。此外，上述方法包含执行第二离子注入制程，形成第二掺杂区于第一磊晶层内，第二掺杂区具有第二导电型态。第一掺杂区与第二掺杂区直接接触。
掺杂区导电型态基底高压半导体装置磊晶层制程离子制造

[发明专利]半导体结构-CN201810605636.7有效
发明人：李建兴;黄绍璋;林志轩 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括：一基板，具有一第一掺杂型态；一金属层，形成于该基板的表面；一栅极，形成于该基板上；一漏极，形成于该基板中，位于该栅极的一侧，并与该金属层相邻；一源极，形成于该基板中，位于该栅极的另一侧；以及一第一掺杂区，形成于该基板中，包围该金属层与该漏极，该第一掺杂区具有一第二掺杂型态，且该第二掺杂型态与该第一掺杂型态不同。
半导体结构

[发明专利]隔离式硅控整流器静电防护元件-CN200910002914.0无效
发明人：黄志丰 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2009-01-12 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明提出一种隔离式硅控整流器静电防护元件，包含：一个基体；位于该基体内的具有第一传导型态的第一井区，此井区为浮接；位于该第一井区内的具有第二传导型态的第一高浓度掺杂区；与第一井区邻接、具有第二传导型态的第二井区；位于该第二井区内的具有第二传导型态的第二高浓度掺杂区；以及位于该第二井区内的具有第一传导型态的第三高浓度掺杂区，其中该第一高浓度掺杂区供与一连接垫电连接，且该第一井区内并不设置与该连接垫连接的具有第一传导型态的高浓度掺杂区
隔离式硅控整流器静电防护元件

[发明专利]半导体元件、其制造方法及其操作方法-CN201210513274.1无效
发明人：洪志临;陈信良;陈永初 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：半导体元件包括一衬底、一第一阱(well)、一第二阱、一第一重掺杂区(heavily dopingregion)、一第二重掺杂区、一第三重掺杂区以及一电极层。第一阱和第二阱设置于衬底上。第一重掺杂区和第三重掺杂区设置于第一阱内，第二重掺杂区设置于第二阱内，第三重掺杂区是与第一重掺杂区间隔开来。电极层设置于第一阱上。第二阱、第一重掺杂区及第二重掺杂区具有一第一掺杂型态，衬底、第一阱及该三重掺杂区具有一第二掺杂型态，第一掺杂型态互补于第二掺杂型态。
半导体元件制造方法及其操作方法

[发明专利]静电放电保护元件与静电放电方法-CN201710281602.2有效
发明人：吴明欣;陈信良 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：静电放电保护元件包括第一阱区、第二阱区以及第四掺杂区至第六掺杂区。第一阱区与第二阱区位于基底中。第一阱区具有第一掺杂区至第三掺杂区，以构成第一晶体管。第二阱区位于第一阱区的一侧。第四掺杂区至第六掺杂区位于第二阱区中。第四掺杂区与第三掺杂区接触，且第四掺杂区的导电型态与第三掺杂区的导电型态相同。第五掺杂区、第二阱区以及基底构成第二晶体管。第二晶体管的导电型态与第一晶体管的导电型态互补。第五掺杂区位于第四掺杂区与第六掺杂区之间。
静电放电保护元件方法

[发明专利]双向硅控整流器静电防护元件-CN200910002916.X无效
发明人：黄志丰 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2009-01-12 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提出一种双向硅控整流器静电防护元件，包含：一个基体；位于该基体内的具有第一传导型态的第一井区，此井区为浮接；位于该第一井区内的具有第二传导型态的第二与第三井区，此第二与第三井区彼此分离；位于该第二井区内的具有第一传导型态的第一高浓度掺杂区和具有第二传导型态的第二高浓度掺杂区；以及位于该第三井区内的具有第一传导型态的第三高浓度掺杂区和具有第二传导型态的第四高浓度掺杂区。
双向整流器静电防护元件

[发明专利]具增加击穿电压的半导体结构及制造该半导体结构的方法-CN200410005258.7有效
发明人： A·蒂尔科;W·克莱恩 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2004-02-17 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：半导体结构，包括第一掺杂型态之埋藏第一半导体层，第一掺杂型态之第二半导体层，其系位于埋藏半导体层上，并较埋藏第一半导体层之掺杂少，第二掺杂型态之一半导体区域，其系位于该第二半导体层上，pn接合面形成于半导体区域及第二半导体层之间，及一凹陷，其系位于包含第一掺杂型态之半导体材料之埋藏第一半导体层中低于半导体区域之位置，并可较埋藏第一半导体层之掺杂少，且其与在第二半导体层上之第二掺杂型态之半导体区域间之距离较大，因此穿越pn接合面之击穿电压高于未提供该凹陷之状况
增加击穿电压半导体结构制造方法

[发明专利]半导体存储单元及其形成方法-CN202110301918.X在审
发明人：李国兴;李坤宪;薛胜元;翁彰键;曾靖翔;吴宗训;白启宏;徐世杰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储单元及其形成方法，其中该半导体存储单元包含一基底，该基底中包含有一第一导电型态，一掺杂区，位于该基底中，其中该掺杂区具有一第二导电型态，且该第一导电型态与该第二导电型态互补，一电容绝缘层与一上电极，位于该掺杂区上，一晶体管，位于该基底上，以及一浅沟隔离，位于该晶体管与该电容绝缘层之间，且位于该掺杂区内。
半导体存储单元及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法与操作方法-CN201310066909.2有效
发明人：陈永初;陈信良 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：半导体元件包括一衬底、一第一阱(well)、一第一重掺杂区(heavily doping region)、至少一第二重掺杂区、一栅极层、一第三重掺杂区以及一第四重掺杂区。第一阱设置于衬底上，第一重掺杂区设置于第一阱内，第二重掺杂区设置于第一重掺杂区内，栅极层设置于第一阱上，第三重掺杂区设置于衬底上，第四重掺杂区设置于第一阱内。第一重掺杂区、第三重掺杂区及第四重掺杂区具有一第一掺杂型态且彼此分隔开，第一阱及第二重掺杂区有一第二掺杂型态，第一掺杂型态互补于第二掺杂型态。
半导体元件及其制造方法操作方法

[发明专利]半导体结构及金属氧化物半导体元件-CN200710136601.5有效
发明人：蔡邦彥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L29/38 文献下载
摘要：第一复合层包括一元素和一第一掺杂物，其中第一掺杂物具有第一掺杂物浓度；第二复合层包括该元素和一第二掺杂物，其中第二掺杂物的导电型态和第一掺杂物的导电型态相同，第二掺杂物具有第二掺杂物浓度且位于第一复合层上；第三复合层包括该元素和第三掺杂物，其中第三掺杂物的导电型态和第一掺杂物的导电型态相同，第三掺杂物具有第三掺杂物浓度；第三复合层位于第二复合层上，且第二掺杂物浓度大体上低于第一掺杂物浓度和第三掺杂物浓度
半导体结构金属氧化物元件

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