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[发明专利]半导体结构及其制造方法与操作方法-CN201110115572.0有效
发明人：黄学义;陈永初;锺淼钧;黄胤富;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-05-03 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法与操作方法。该半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区与介电结构。第二掺杂区与第三掺杂区形成掺杂编码层。掺杂编码层位于第一掺杂区与第四掺杂区中。介电结构位于第一掺杂区上。掺杂编码层的边缘介于相邻近的第四掺杂区的边缘与介电结构的边缘之间。本发明各实施例的半导体结构具有低的漏电流。
半导体结构及其制造方法操作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110101177.7有效
发明人：黄学义;锺淼钧;黄胤富;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-04-20 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括衬底、第一半导体元件与第二半导体元件。第一半导体元件是存储器。第二半导体元件包括金属氧化物半导体、电容或电阻。第一半导体元件与第二半导体元件是形成在单一衬底上。本发明的半导体装置的制造方法简单且成本低。此外，存储器与金属氧化物半导体之间可具有良好的电性连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]超高电压N型金属氧化物半导体元件及其制造方法-CN201110081712.7有效
发明人：陈建志;林正基;林镇元;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种可改善电学性能的超高电压N型金属氧化物半导体(UHV NMOS)元件及其制造方法。UHV NMOS元件包括一P型衬底；一第一高压N型阱区域，设置于衬底的一部分；一源极和基体P型阱，设置于邻近第一高压N型阱区域的一侧，且源极和基体P型阱包括一源极和一基体；一栅极，自源极和基体P型阱延伸至第一高压N型阱区域的一部分；一漏极设置于第一高压N型阱的另一部分且与栅极相对应；一P型场限制层，设置于第一高压N型阱区域内，且P型场限制层位于漏极与源极和基体P型阱之间；以及一N型掺杂层，形成于P型场限制层上方。
超高电压金属氧化物半导体元件及其制造方法

[发明专利]高电压半导体元件-CN201010623359.6有效
发明人：黄学义;黄胤富;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电压半导体元件，用于高电压应用，包括一掺杂源基极区、一N+源极区、一P+源极区和一栅极结构。此掺杂源基极区为P型。此N+源极区向下延伸入此掺杂源基极区。此P+源极区邻近此N+源极区并向下延伸入此掺杂源基极区，且相较于此掺杂源基极区是具有较重掺杂。此栅极结构耦接至此N+源极区且邻近此P+源极区。
电压半导体元件

[发明专利]高电压金属氧化半导体装置与制造该装置的方法-CN201110256622.7有效
发明人：陈建志;林正基;林镇元;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电压金属氧化半导体装置与制造该装置的方法。高电压金属氧化半导体装置包括一源极、一漏极、一栅极、一漂移区域及一自我保护区域，栅极设置接近于源极，漂移区域实质上设置于漏极与栅极和源极的一区域之间，自我保护区域设置接近于漏极。本发明提供的高电压金属氧化半导体装置具有芯片面积效率最佳化的优点，可以用于特高压侧操作。
电压金属氧化半导体装置制造方法

[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法-CN201010267866.0有效
发明人：黄学义;杜硕伦;李明东;黄胤富;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法。横向双扩散金属氧化物半导体装置具有单条接触垫于源极区域中，包括第一阱、第二阱、场氧化物及多个导电接触垫。第一阱轻掺杂第一掺杂物且形成于基板的一部分内，第一阱的表面具有漏极区域，漏极区域重掺杂第一掺杂物。第二阱轻掺杂第二导电掺杂物且形成于基板的另一部分，第二阱的表面具有源极区域，源极区域包含多个第一部份及多个第二部分，此些第一部份及第二部份分别重掺杂第一及第二导电掺杂物。场氧化物形成于基板的上表面。多个接触垫接触栅极、漏极区域及源极区域，接触此些源极区域的接触垫包括导电材质的单条状延伸经过源极区域。
一种横向扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]双极接面晶体管装置-CN201010226299.4有效
发明人：林正基;许维勋;杜硕伦;连士进;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明提供一种双极接面晶体管装置，其包括基极区、射极区与集极区。双极接面晶体管装置包括基底。深井区位于基底中。第一井区位于深井区中以作为基极区。第二井区位于深井区中以作为集极区。第二井区与第一井区之间形成一第一接面。第一掺杂区位于第一井区中以作为射极区。第一掺杂区与第一井区之间形成第二接面。第一掺杂区包括往第一方向延伸的第一部分，及往与第一方向不同的第二方向延伸的第二部分。第一部分与第二部分互相耦接。
双极接面晶体管装置

[发明专利]半导体生物传感器及其制造方法-CN201010226361.X有效
发明人：李明东;连士进;张嘉桓 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：一种半导体生物传感器的制造方法，包括提供一基板，在基板上形成第一介电层，在第一介电层上形成图案化第一导电层，图案化第一导电层包括有一第一部分以及一对第二部分，于图案化第一导电层上方依序形成第二介电层、第三介电层、及第四介电层，在第四介电层中形成数个孔穴，形成贯穿此些孔穴的数个通孔，暴露出图案化第一导电层的第二部分，在第四介电层上形成图案化第二导电层，在图案化第二导电层上形成保护层，在图案化第一导电层的第一部分上方形成一开口，此开口暴露出第四介电层的一部分，并且经由此开口形成一腔室。
半导体生物传感器及其制造方法

[发明专利]一种半导体及其制造方法-CN201010222449.4无效
发明人：黄胤富;锺淼钧;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-07-05 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有提高崩溃电压及特定导通电阻的侧向式双重扩散的金属-氧化层-半导体。设置于结构内并环绕轻掺杂区的P场域提高崩溃电压并维持在特定的低导通电阻。
一种半导体及其制造方法

[发明专利]高增益常数β双极性接合晶体管及其制造方法-CN201010111224.1有效
发明人：林正基;杜硕伦;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明揭露一种N-P-N双极性接合晶体管，其射极集极崩溃电压大于10伏特，且增益常数β大于300，在制造晶体管时加上一层N型层，可以减少电子与空穴的重新结合，同时也达到提高增益常数β的效果。
增益常数极性接合晶体管及其制造方法

[发明专利]侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制造方法-CN200910261965.5有效
发明人：林正基;林镇元;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有低特性导通电阻的侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管。叠层的P型顶部及N型梯度区域是为节状的圆弧，以分离晶体管的漏极及源极。
侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管结构制造方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN200910253133.9有效
发明人：林正基;连士进;吴锡垣;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包含第一杂质类型的基板、于基板中的不同于第一杂质类型的第二杂质类型的第一阱区域、于基板中的第一杂质类型的第二阱区域、于基板上延伸于第一与第二阱区域上方的图案化的第一介电层、于图案化的第一介电层上的图案化的第一栅极构造、于图案化的第一栅极构造上的图案化的第二介电层以及于图案化的第二介电层上的图案化的第二栅极构造。图案化的第一栅极构造可包含朝第一方向延伸的第一区段以及朝垂直于第一区段的第二方向延伸的第二区段，其中第一与第二区段彼此相交成相交图案。图案化的第二栅极构造可包含朝第一方向延伸于图案化的第一栅极构造上方的第一区段及朝第二方向延伸于图案化的第一栅极构造上方的第二区段的至少一者。
半导体存储器装置

[发明专利]具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法-CN200810172929.7有效
发明人：林正基;连士进;叶清本;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法，以及一种具有一半导体衬底以及在该半导体衬底上具有一非易失存储装置的非易失存储集成电路。该装置具有一晶体管及一电容器在该半导体衬底上，以及一共享浮动栅极连接该晶体管及该电容器的该栅极区域。该晶体管具有至少一掺杂区域定义该源极及漏极区域，以及其它三个掺杂区域覆盖该源极及漏极区域。本发明也揭露具有多重此类非易失存储装置的一非易失存储电路，以及制造具有一者以上此类非易失存储装置的该非易失集成电路的方法。
具有晶体管电容栅极非易失存储单元及其制造方法

[发明专利]具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法-CN200810185497.3有效
发明人：林正基;连士进;叶清本;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法，以及一种具有一半导体衬底以及在该半导体衬底上具有一非易失存储装置的非易失存储集成电路。该装置具有一晶体管及一电容器在该半导体衬底上，以及一共享浮动栅极连接该晶体管及该电容器的该栅极区域。该晶体管具有至少一掺杂区域定义该源极及漏极区域，以及其它三个掺杂区域覆盖该源极及漏极区域。本发明亦揭露具有多重此类非易失存储装置的一非易失存储电路，以及制造具有一者以上此类非易失存储装置的该非易失集成电路的方法。
具有晶体管电容栅极非易失存储单元及其制造方法

[发明专利]低开启电阻的横向扩散金氧半导体元件及其制造方法-CN200710110648.4有效
发明人：黄学义;朱建文;林正基;连士进;叶清本;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-06-06 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种低开启电阻的横向扩散金氧半导体元件。包括具有第一导电型的第一阱区、具有第二导电型的第二阱区、具有第一导电型漏极区、具有第一导电型源极区、场氧化层、栅介电层、栅极导电层以及具有第一导电型的掺杂区。第一阱区与第二阱区并邻位于基底中。漏极区位于第一阱区中。源极区位于第二阱区中。场氧化层，位于源极区与漏极区之间的第一阱区上。栅极导电层，位于源极区与漏极区之间的第二阱区上且覆盖部分场氧化层。栅介电层，位于栅极导电层与基底之间。掺杂区，位于部分栅极导电层与场氧化层下方的该第一阱区中且与该漏极区连接，其中，栅介电层下方的掺杂区与源极区之间的第二阱区定义出一沟道区。
开启电阻横向扩散半导体元件及其制造方法