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[发明专利]一种双层布线平坦化加工工艺-CN201810300484.X有效
发明人：阚志国;张晓新;赵铝虎;余庆;张敏森;周卫宏;潘国刚 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层布线平坦化加工工艺，包括如下步骤：1）第一层金属淀积；2）一次金属光刻；3）一次金属湿刻；4）一次金属干刻；5）一次LPCVDSiO2淀积；6）平坦化介质涂布；7）固化；8）进行通孔光刻和刻蚀后再进行第二层金属淀积。本发明明显优化简化了工艺，显著缩短了工艺周期、大幅减少原材料使用、降低了对设备的性能要求。
一种双层布线平坦加工工艺

[发明专利]一种P沟道VDMOS器件生产方法-CN201610693325.1有效
发明人：鄢细根;何火军;杨振;赵铝虎;潘国刚 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种P沟道VDMOS器件生产方法，包括在外延层上生成氧化层，在氧化层上覆盖光刻胶层，然后带胶N型杂质注入步骤；高温退火后在外延层上表面形成所需要的N型基区结深步骤；在氧化层上进行硼杂质注入步骤；在外延层上生成栅氧层，然后在栅氧层上进行多晶硅淀积与掺杂，并再次利用多晶栅光刻版形成多晶硅栅层步骤；在栅氧层的局部区域覆盖光刻胶，然后直接进行源P+加工，在N型基区内形成P+区步骤；以及最后淀积内金属绝缘层，同时在外延层的上表面和下表面分别设置金属层形成标准的VDMOS器件步骤。上述P沟道VDMOS器件生产方法，可实现P沟道VDMOS器件的Vth值稳定在2~4V之间，具有极高的稳定性与合理性。
一种沟道 vdmos 器件生产方法

[实用新型]一种肖特基二极管划片区氧化层-CN201820475621.9有效
发明人：何火军;张晓新;鄢细根;赵铝虎;阚志国;潘国刚;周卫宏;张敏森;傅劲松 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基二极管划片区氧化层，所述的肖特基二极管划片区包括背面金属层，所述的背面金属层上依次设有N⁺衬底层、N^_外延层、势垒层、氧化层和正面金属层，且所述的势垒层两侧光刻有P⁺保护环；所述的氧化层包括11000埃的场氧区氧化层，且11000埃的场氧区氧化层上开设有20微米宽4000埃的标记区氧化层，且所述的20微米宽4000埃的标记区氧化层位于P⁺保护环之上；使所述的11000埃的场氧区氧化层和4000埃的标记区氧化层形成氧化层台阶。本实用新型既产生一种清晰可靠的切割基准线，又避免划片切割时硅过度裸露出来引起短路现象，解决了封装良率低下的问题。
氧化层肖特基二极管标记区场氧区划片区背面金属层本实用新型势垒层切割正面金属层短路现象衬底层基准线外延层光刻划片良率封装裸露清晰

[实用新型]一种肖特基接触二极管中的钛金属层-CN201820476741.0有效
发明人：潘国刚;周卫宏;张晓新;余庆;赵铝虎;鄢细根;周桂丽;秦永星;傅劲松;何火军 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基接触二极管中的钛金属层，所述的肖特基接触二极管包括硅衬底层、所述硅衬底层两侧有二氧化硅层，所述的两侧二氧化硅层之间的硅衬底层上溅射有钛金属层；所述的两侧二氧化硅层、钛金属层之上溅射有铝层。本实用新型通过在溅射铝前，增加一层很薄的钛金属层，通过后续钛和硅发生反应形成钛硅化物层，从而改变肖特基势垒电压。通过调整不同的钛层厚度，产生不同的势垒电压，从而实现电压的可调性。
钛金属层二氧化硅层肖特基接触二极管硅衬底层溅射本实用新型肖特基势垒钛硅化物层势垒电压可调性铝层钛层

[发明专利]一种用半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法-CN201810300435.6在审
发明人：潘国刚;张晓新;余庆;赵铝虎;周卫宏;何火军;傅劲松;鄢细根;张敏森 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体集成电路或者分立器件上的溅射前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：1）当半导体器件在完成引线孔刻蚀后，通过稀释为浓度为49wt%的HF酸漂洗去除引线孔内自然氧化层及沾污物；2)冲水处理；3）接着利用浓度为60.8%的纯硝酸浸泡处理，利用硝酸的氧化性，使硅表面产生一层很薄的氧化层；4）再进行冲水、甩干完成前处理工艺。本发明通过增加硝酸前处理，改善了半导体集成电路或者分立器件的铝硅接触电阻的稳定性，特别对于设计规则小于2um的产品的应用上有明显的改善效果。
前处理半导体集成电路分立器件硝酸引线孔冲水溅射半导体器件自然氧化层接触电阻设计规则纯硝酸硅表面酸漂洗氧化层氧化性沾污物稀释刻蚀铝硅去除甩干浸泡应用

[发明专利]一种光敏三极管加工工艺-CN201810298755.2在审
发明人：陆辉;赵铝虎;张晓新;余庆;阚志国;葛亚英;陈昂;任志远;鄢细根;何火军 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光敏三极管加工工艺，依次包括如下步骤：产品导入、场氧化、基区光刻、基区刻蚀、基区掺杂、发射区光刻、发射区刻蚀、氧化、注入掺杂、氧化层淀积、发射区推进、发射区掺杂、孔光刻、孔刻蚀、金属淀积、光刻、金属刻蚀、固化、背面研磨、背面金属；其特征在于：所述工艺通过调整外延片的晶向，采用P型100晶向外延片或者衬底片作为抛光片，提高光的敏感度；同时发射区推进过程中采用小剂量注入+扩散的工艺，来保证放大倍数的可控性又保证了发射区接触电阻。
发射区光刻刻蚀基区光敏三极管掺杂外延片晶向金属氧化层淀积背面研磨接触电阻金属淀积推进过程场氧化衬底片可控性敏感度抛光片小剂量固化背面放大保证扩散

[发明专利]一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺-CN201810298724.7在审
发明人：鄢细根;张晓新;余庆;何火军;潘国刚;周卫宏;赵铝虎;张敏森;陈晓静;阚志国 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：1）外延材料高温炉管进行反推作业，温度1200—1250度，时间为60分钟；2）漂尽反推形成的厚氧，重新生长厚场氧，保护环光刻、刻蚀、环杂质注入、退火；3）在步骤2）的基础上对有源区进行光刻、刻蚀、势垒层金属溅射、势垒层合金、漂尽势垒层金属，然后进行正面Ti/Ni/Ag多层金属蒸发；4）在步骤3）的基础上，对Ti/Ni/Ag多层金属光刻、腐蚀；5）在步骤4）基础上对衬底进行减薄，背面进行Ti/Ni/Ag多层金属蒸发。本发明通过重掺杂衬底反推技术，在不影响Vz，Ir电参数前提下，显著降低Vf值。
多层金属势垒层反推光刻肖特基二极管正向压降衬底刻蚀蒸发退火高温炉管金属溅射外延材料杂质注入电参数重掺杂厚场厚氧减薄源区合金背面腐蚀金属生长

[实用新型]一种半导体管芯基板-CN201720251386.2有效
发明人：陈昂;刘炜;张晓新;余庆;赵铝虎;陆辉;葛亚英;周卫宏;张洪波 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体管芯基板，芯管基片上下两侧的划片槽内均开设有第一对位标记，芯管基片左右两侧的划片槽内均开设有第二对位标记，第一对位标记包括以3行7列形式设置的第一对位因子，第二对位标记包括以3列8行形式设置的第二对位因子，以小型对位因子组成的对位标记代替现有技术中的大型对位标记，能够不但能够提高对位精度，而且能够缩减划片槽的宽度，使同样的硅片基板能够制造更多的管芯，提高硅片基板的利用率；第一对位标记和第二对位标记不同，能够进一步提高对位精度，减少出错几率。
一种半导体管芯

[实用新型]一种新型高压双极单管结构-CN201720250902.X有效
发明人：陆辉;张晓新;余庆;赵铝虎;陈昂;周卫宏;潘国刚;张洪波;张敏森 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型高压双极单管结构，包括基板和氧化层，所述基板的埋层上方靠近氧化层的一侧上设置有磷桥和P‑基区，P‑基区上设置有P基区，P基区上设置有N+发射区，磷桥与埋层相连；所述P‑基区外环绕设置有第一N+环，第一N+环外环绕设置有第一P‑环，磷桥外环绕设置有第二P‑环，所述第一P‑环和第二P‑环外环绕设置有第二N+环，所述基板和氧化层之间填充设置有外延层。本实用新型的一种新型高压双极单管结构，与现有技术相比，增加了一层副基区层即P‑基区，在P‑基区上设置P基区和N+发射区，P‑基区、N+环和P‑环的结构使电场分布平缓，电场分布较平缓，同时基区的宽度变宽，提高了器件各项耐压参数。
一种新型高压双极单管结构

[发明专利]一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺-CN201410275545.3有效
发明人：鄢细根;杨振;张晓新;朱国夫;余庆;廖洪志;赵铝虎;潘国刚;黄少南 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明公开一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺，属于集成电路设计/制造领域，所述生产工艺依次包括N+埋层形成、下隔离区形成、外延层形成、磷桥区形成、上隔离区形成和沟槽形成等步骤，采用上述生产工艺制得的基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，通过在上隔离区的内外两侧，以及基区的外侧设置环形沟槽，最大限度降低设计尺寸，同时提高BVCBO的最大耐压，实现在最小的间距内电极之间的电性能最大化。
一种基于沟槽介质隔离集成电路芯片及其生产工艺

[实用新型]全固态高压LED驱动电路-CN201420559322.5有效
发明人：廖洪志;杨振;吕愉;赵铝虎;潘国刚;黄少南 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种全固态高压LED驱动电路，属于LED灯具领域。包括依次相连的双向TVS管、整流桥和恒流驱动电路，其中，所述双向TVS管的输入端与市电输入的L、N端相连，所述恒流驱动电路包括2个或2个以上成对的相互并联的CRD芯片，恒流驱动电路的输出端与高压LED相连。上述结构的全固态高压LED驱动电路可以应用在灯丝球泡灯、铝基板/陶瓷基板球泡灯、COB（ChipOnBoard）光源板、T型灯管等LED灯具中，具有结构紧凑，可靠性高，电路精度高，经实装测试（标准市电接入），整灯效率达到90%，功率因数在0.9以上，谐波失真低，无EMI问题。
固态高压 led 驱动电路

[实用新型]一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片-CN201420328719.3有效
发明人：鄢细根;杨振;张晓新;朱国夫;余庆;廖洪志;赵铝虎;潘国刚;黄少南 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，属于集成电路设计/制造领域，包括硅衬底，以及依次生长在硅衬底上的埋层、外延层和绝缘层，其中，所述外延层上设有基区、上隔离区、下隔离区和磷桥区，基区的外侧环绕设有基区沟槽，上隔离区的内外两侧均环绕设有上隔离沟槽，上述基区沟槽和上隔离沟槽为氧化层/多晶硅/氧化层填充结构的沟槽，所述沟槽槽深2-4微米，槽宽1.8-2.5微米。上述基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，通过在上隔离区的内外两侧，以及基区的外侧设置环形沟槽，最大限度降低设计尺寸，同时提高BVCBO的最大耐压，实现在最小的间距内电极之间的电性能最大化。
一种基于沟槽介质隔离集成电路芯片

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