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[发明专利]一种基于密度聚类的分选识别方法-CN202310817968.2在审
发明人：刘涛;王浩丞;王濛;傅劲松;唐勇;曲焕全 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01S7/28 文献下载
摘要：本发明提供一种基于密度聚类的分选识别方法，包括：步骤1，获取脉冲定位信息数据集D，并标记其中的核心元素；步骤2，将所有密度可达或密度相连的核心元素标记为同一簇序号；步骤3，遍历所有簇，将各个簇中核心元素的‑邻域内元素标记为与该核心元素相同的簇序号；步骤4，将每个簇中元素按照频率和脉宽进行直方统计；步骤5，根据频率和脉宽直方统计判断每个簇中的元素是否有效；步骤6，将频率和脉宽直方统计均有效的元素认为是通过分选的元素，根据通过分选的元素得到对应目标的参数。本发明能够在无先验情报信息条件下，从复杂电磁环境中剔除杂散信号，成功分选识别出目标雷达/辐射源信号，并获得目标的准确电磁参数和精确定位信息。
一种基于密度分选识别方法

[发明专利]一种基于位置聚类动态稀疏重构的二维到达角度测量方法-CN202111106233.6有效
发明人：沈志博;唐勇;刘俊;王浩丞;朱全江;傅劲松;陈卓异;刘晓;曲焕全;刘胜云 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01S3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于位置聚类动态稀疏重构的二维到达角度测量方法，本发明给出了运动平台对地面固定目标二维到达角度测量的新方法，能够在平台飞行过程中实时测量输出目标到达角度。该方法首先通过目标位置聚类动态构建冗余字典，避免了全视场范围内的角度搜索，减小了冗余字典的长度，降低了稀疏重构的运算量，提高了角度计算效率，提高了平台角度测量的实时性。
一种基于位置动态稀疏二维到达角度测量方法

[发明专利]基于极化敏感环形阵列的到达角度和极化角度测量方法-CN202111210703.3有效
发明人：沈志博;唐勇;刘俊;朱全江;王浩丞;王星斗;傅劲松;吕强;曲焕全;刘胜云 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01S3/14 文献下载
摘要：本发明提供了基于极化敏感环形阵列的到达角度和极化角度测量方法，通过极化敏感环形阵列接收多个信号的数据；根据信号的空域稀疏性，对每个信号构建正交极化冗余字典；通过得到正交极化冗余字典对信号进行稀疏重构确定信号的二维到达角度以及信号极化角度的粗测量值；根据已知二维到达角度重新构建正交极化冗余字典对信号进行稀疏重构得到信号极化角度的精确测量值；该方法利用极化敏感环形阵列，减小了天线失配对测向性能的影响，并将信号多维参数联合测量分解为频域、空域、极化域独立处理，避免了多维联合搜索过程，从而极大地提高了参数计算效率，实现了角度和极化联合快速测量。
基于极化敏感环形阵列到达角度测量方法

[发明专利]一种基于小口径超宽带线阵干涉仪的复合布阵方法-CN202111097392.4有效
发明人：王秀君;唐勇;傅劲松;马坤涛;曲焕全;陈灏;王茂泽;唐蔚 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01Q5/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于小口径超宽带线阵干涉仪的复合布阵方法，充分利用了低频段天线，将不同频段的两套或者多套干涉仪布阵方案融合为一套复合天线阵面，实现小口径下的超宽带布阵。干涉仪布阵需要解决测角精度，视场范围和正确解模糊问题。首先需要确定测角精度，测角精度由最长基线决定，最长基线由可用口径和天线尺寸决定，天线尺寸由最低频率决定，因此，在口径确定，频段确定的情况下，测角精度即确定；视场范围由最短基线决定，同样基线长度，频率越高视场范围越小，因此，需要在最高频率上确定短基线长度；最后，调整短基线长度，构建合理的中间基线满足解模糊要求。
一种基于小口径宽带干涉仪复合布阵方法

[发明专利]一种宽带射频接收处理系统装置及其自检方法-CN202110296812.5有效
发明人：刘俊;朱全江;游灏;张爱洲;傅劲松;王浩丞;沈志博;唐勇;王星斗;曲焕全 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H04B7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带射频接收处理系统装置及其自检方法，该装置包括天线罩、N个接收天线、发射天线、射频前端模块、N通道射频组件、中频处理模块、信号处理模块、电源模块、自检源模块；射频前端模块输入中N路连接接收天线，自检源模块包括两路输出，第一路输出连接射频前端的自检输入端口，第二路输出连接所述发射天线；射频前端模块输出N路射频信号到N通道射频组件，N通道射频组件输出N路中频信号到中频处理模块，中频处理模块输出数字信号到信号处理模块；其中，N为正整数等；本发明解决了宽带射频接收处理系统自检测试覆盖性不全的问题，可以对宽带射频接收处理系统进行更全面的自检测试等。
一种宽带射频接收处理系统装置及其自检方法

[发明专利]一种基于匹配滤波的快速识别雷达诱饵数量方法、计算机程序及存储介质-CN202110673078.X有效
发明人：王浩丞;唐勇;刘俊;沈志博;朱全江;傅劲松;陈卓异;王星斗;曲焕全;刘胜云;吕强 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于匹配滤波的快速识别雷达诱饵数量方法，接收雷达、诱饵混合信号，对该信号进行处理与测量，得到信号的频率、脉宽和信号前沿、信号后沿及其宽度，根据信号前沿、信号后沿的脉内信息和信噪比获取线性调频信号调频斜率，构造匹配函数，并采用匹配函数对混合信号进行匹配滤波，输出滤波后的信号，对滤波后的信号进行搜峰处理，得到雷达与诱饵的数量和。本发明识别雷达诱饵数量不受导引头频段、口径限制，即使在小口径下也能识别低频段雷达诱饵数量；不受弹目距影响，在远距离也能准确识别雷达诱饵数量；同时，不受接收处理通道数限制，能实现一个接收处理通道的雷达诱饵数量的判断、识别；相比8通道谱估计，系统复杂度可降低90％。
一种基于匹配滤波快速识别雷达诱饵数量方法计算机程序存储介质

[发明专利]一种基于稀疏表示的宽频段到达角度和极化联合测量方法-CN202110429111.4有效
发明人：沈志博;王浩丞;朱全江;傅劲松;唐勇;刘俊;王星斗;曲焕全;霍东红;韩海周 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01S3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于稀疏表示的宽频段到达角度和极化联合测量方法，包括步骤：S1.对测向系统的天线阵列接收的矢量数据进行傅里叶变换，得到频域模型，并分别测量出各信号的中心频率；S2.利用天线阵列中正交双极化天线的输出响应计算出各信号的极化角；S3.针对于空间中第k个信号，将空间角度进行均匀离散划分，构建空域冗余字典，得到空间信号的稀疏表示模型；S4.对天线阵列接收的矢量数据在冗余字典上进行稀疏重构，得到稀疏向量，并通过非零系数的位置计算出信号的到达角度；S5.重复步骤S3和S4得到全部信号的到达角度。本发明给出了宽频段内二维到达角度和极化联合测量方法，可同时得到中心频率、二维到达角度和极化参数。
一种基于稀疏表示宽频到达角度极化联合测量方法

[实用新型]一种肖特基二极管划片区氧化层-CN201820475621.9有效
发明人：何火军;张晓新;鄢细根;赵铝虎;阚志国;潘国刚;周卫宏;张敏森;傅劲松 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基二极管划片区氧化层，所述的肖特基二极管划片区包括背面金属层，所述的背面金属层上依次设有N⁺衬底层、N^_外延层、势垒层、氧化层和正面金属层，且所述的势垒层两侧光刻有P⁺保护环；所述的氧化层包括11000埃的场氧区氧化层，且11000埃的场氧区氧化层上开设有20微米宽4000埃的标记区氧化层，且所述的20微米宽4000埃的标记区氧化层位于P⁺保护环之上；使所述的11000埃的场氧区氧化层和4000埃的标记区氧化层形成氧化层台阶。本实用新型既产生一种清晰可靠的切割基准线，又避免划片切割时硅过度裸露出来引起短路现象，解决了封装良率低下的问题。
氧化层肖特基二极管标记区场氧区划片区背面金属层本实用新型势垒层切割正面金属层短路现象衬底层基准线外延层光刻划片良率封装裸露清晰

[实用新型]一种肖特基接触二极管中的钛金属层-CN201820476741.0有效
发明人：潘国刚;周卫宏;张晓新;余庆;赵铝虎;鄢细根;周桂丽;秦永星;傅劲松;何火军 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基接触二极管中的钛金属层，所述的肖特基接触二极管包括硅衬底层、所述硅衬底层两侧有二氧化硅层，所述的两侧二氧化硅层之间的硅衬底层上溅射有钛金属层；所述的两侧二氧化硅层、钛金属层之上溅射有铝层。本实用新型通过在溅射铝前，增加一层很薄的钛金属层，通过后续钛和硅发生反应形成钛硅化物层，从而改变肖特基势垒电压。通过调整不同的钛层厚度，产生不同的势垒电压，从而实现电压的可调性。
钛金属层二氧化硅层肖特基接触二极管硅衬底层溅射本实用新型肖特基势垒钛硅化物层势垒电压可调性铝层钛层

[发明专利]一种用半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法-CN201810300435.6在审
发明人：潘国刚;张晓新;余庆;赵铝虎;周卫宏;何火军;傅劲松;鄢细根;张敏森 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体集成电路或者分立器件上的溅射前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：1）当半导体器件在完成引线孔刻蚀后，通过稀释为浓度为49wt%的HF酸漂洗去除引线孔内自然氧化层及沾污物；2)冲水处理；3）接着利用浓度为60.8%的纯硝酸浸泡处理，利用硝酸的氧化性，使硅表面产生一层很薄的氧化层；4）再进行冲水、甩干完成前处理工艺。本发明通过增加硝酸前处理，改善了半导体集成电路或者分立器件的铝硅接触电阻的稳定性，特别对于设计规则小于2um的产品的应用上有明显的改善效果。
前处理半导体集成电路分立器件硝酸引线孔冲水溅射半导体器件自然氧化层接触电阻设计规则纯硝酸硅表面酸漂洗氧化层氧化性沾污物稀释刻蚀铝硅去除甩干浸泡应用

[发明专利]用于共晶焊的硅片背面金属化工艺-CN200910098709.9有效
发明人：余之江;马洁荪;傅劲松;王国庆 -专利权人：华越微电子有限公司;余之江
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种用于共晶焊的硅片背面金属化工艺，属于半导体器件制造工艺技术领域。该发明工艺使用锡(Sn)、铜(Cu)或锡、锑(Sb)的合金，合金蒸发采用特定的工艺条件，完全达到常规使用金系合金材料工艺的技术性能，且工艺性能有所突破，能满足小到0.30毫米×0.30毫米尺寸的管芯封装，具有成本低和适用面广的优点。
用于共晶焊硅片背面金属化工艺

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