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[实用新型]具有环形电极的发光二极管-CN201721342849.2有效
发明人：沈孟骏;郑建森;林素慧;彭康伟;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有环形电极的发光二极管，包括衬底，由下往上堆叠的第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第二电极、设置在第一型半导体层裸露表面上的第一电极以及形成于发光二极管表面除电极之外区域的第一绝缘保护层；其特征在于所述第一电极与第二电极至少之一为环形电极，且所述环形电极包围一第二绝缘保护层。藉由位于环形电极中的第二绝缘保护层的折射率低于发光层的折射率，当光到达绝缘保护层时会由于折射率差而将光全反射出去，从而减少金属电极吸光的问题，提升亮度，增加发光二极管的发光效率。
具有环形电极发光二极管

[发明专利]一种平行四边形LED芯片的测试方法-CN201510399895.5有效
发明人：林潇雄;邱树添;林素慧;彭康伟;许圣贤 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种平行四边形LED半导体芯片的测试方法，其特征在于所用平行四边形LED芯片的内角为特定角度，测试机拥有两组或多组测试针，即为多组测试模组，可同时测试特定的两排或多排芯片，避免了测试数据无法逐一对应或者测试系统无法正确找到芯片的问题。
一种平行四边形 led 芯片测试方法

[发明专利]发光二极管芯片的制作方法-CN201610081608.0有效
发明人： 彭康伟;林素慧;许圣贤;林潇雄;何安和;郑建森 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片的制作方法，提供一蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上形成发光外延层，其中发光外延层包括N型层、发光层和P型层；采用激光对所述蓝宝石衬底进行多次渐进式隐切，形成一系列隐切图案，所述隐切图案逐渐远离所述蓝宝石衬底的上表面并靠近所述蓝宝石衬底的下表面中心点；沿所述一系列隐切图案进行激光切割并劈裂，得发光二极管芯片。
发光二极管芯片制作方法

[发明专利]一种半导体芯片的切割方法-CN201510635391.9有效
发明人： 彭康伟;林素慧;许圣贤;林潇雄;何安和;郑建森 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体芯片的切割方法，包括以下工艺步骤提供一半导体晶圆片及一提供激光的激光器；在所述半导体晶圆片上定义出切割道，并形成掩膜层；所述激光穿过与切割道位置上下对应的掩膜层，用于切割半导体晶圆片，形成半导体芯片；所述用于切割半导体晶圆片的激光为多单元方形激光束，所述掩膜层分为M个区域，每个区域包括N个单元，且每个区域对应一次待方形激光切割。将传统的半导体芯片线性激光切割改为方形激光切割，并且在半导体芯片与方形激光间增设具有若干个区域的掩膜层，每个区域对应一次待方形激光切割，即一次性达成多个芯片单元的切割工艺，增加单位时间产能。
一种半导体芯片切割方法

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN201610844006.6在审
发明人：王锋;吴厚润;洪灵愿;彭康伟;林素慧;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制作方法。一种发光二极管，包含：磊晶基板；N型半导体层，位于所述磊晶基板表面之上；发光层，位于所述N型半导体层表面之上，定义发光层的上表面为第一表面，发光层的下表面为第二表面；P型半导体层，位于所述发光层第一表面之上；P型金属电极，位于所述P型半导体层表面之上；包含金属反射层结构的N型金属电极，位于局部裸露之N型半导体层表面之上，定义金属反射层结构的上表面为第三表面，金属反射层结构的下表面为第四表面；其特征在于：所述第三表面的高度大于等于第一表面的高度，所述第四表面的高度小于等于第二表面的高度。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种LED芯片电极与芯片结构及其制作方法-CN201610000869.5在审
发明人：夏章艮;林素慧;彭康伟;洪灵愿;黄禹杰;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片电极与芯片结构及其制作方法，包括步骤：在一底材上形成负胶，定义电极图案，去除图案区的负胶形成电极窗口；在所述电极窗口上形成反射结构；采用离子源助镀法在所述反射结构上形成金属表面层，其完成包裹所述反射结构的顶面及侧壁，即增大反射结构的包覆范围，有效地简化了工艺流程，节约制作成本，适合于规模化生产。此外，采用离子源助镀法形成金属表面层，制得紧凑、内应力小且表面光滑的电极结构，从而提高发光二极管的可靠性。
一种 led 芯片电极结构及其制作方法

[发明专利]倒装LED芯片的共晶电极结构及倒装LED芯片-CN201510655970.X在审
发明人：何安和;林素慧;郑建森;彭康伟;林潇雄;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了倒装LED芯片的共晶电极结构及倒装LED芯片，包括：基板；第一半导体层；第二半导体层；局部缺陷区位于部分第二半导体层上，且向下延伸至第一半导体层；第一金属层位于部分第一半导体层上；第二金属层位于部分第二半导体层上；绝缘层，覆盖于第一金属层、第二金属层、第二半导体层以及局部缺陷区的第一半导体层上，绝缘层具有开口结构，分别位于第一金属层和第二金属层上；共晶电极结构，位于具有开口的绝缘层上，在垂直方向从下至上由第一共晶层和第二共晶层组成，在水平方向划分为第一型电极区和第二型电极区。本发明解决习知倒装LED芯片在共晶接合制程中可能发生共晶空洞率过高导致封装不良问题。
倒装 led 芯片电极结构

[实用新型]一种发光二极管结构-CN201420755635.8有效
发明人： 彭康伟;林素慧;许圣贤;林潇雄;刘传桂;郑建森 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种发光二极管结构，通过N电极区域设有表面粗糙的凹槽结构，从而增加发光面积，改变全反射临界角，减少了发生全反射现象，以达到提升发光二极管的光萃取效率；通过在表面粗糙的凹槽结构上形成N电极，可以增加电极与凹槽结构的接触面积，从而增加电极粘附性，提高发光二极管的可靠性。
一种发光二极管结构

[发明专利]一种倒装发光二极管结构及其制作方法-CN201410248717.8有效
发明人：何安和;林素慧;郑建森;彭康伟;林潇雄;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒装发光二极管及其制作方法，包括：一基板；一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；至少一个开口结构，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构；一绝缘层，位于所述开口结构之上，作为金属电极隔离层。
一种倒装发光二极管结构及其制作方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制作方法-CN201310284196.7无效
发明人：何安和;林素慧;彭康伟;许圣贤;林潇雄;徐宸科 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管及其制作方法，其在常规的金属电极层和半导体保护层之间增设金属粘附层，由于金属粘附层与半导体保护层材料附着性良好，避免常规金属电极表面层与半导体保护层材料附着性差导致的保护层脱落现象，从而有效地保护了底层金属电极。
一种氮化发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管反射电极的钝化方法-CN201210326876.6有效
发明人：林素慧;洪灵愿;彭康伟;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一发光二极管反射电极的钝化保护方法，包括步骤：在一基板上形成发光外延层，其至下而上包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；在所述发光外延层上形成反射金属电极结构，包括金属反射层、金属隔离层和金属电极层；采用化学溶液对所述金属反射层的四周侧壁进行金属钝化，完成金属电极结构的钝化保护。
发光二极管反射电极钝化方法

[发明专利]一种氮化镓基高亮度发光二极管的制作方法-CN201210324971.2有效
发明人：郑建森;林素慧;彭康伟;洪灵愿 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种采用隐形切割和侧壁蚀刻技术相结合制作高亮度发光二极管的方法。本发明有效地利用隐形切割和侧壁蚀刻的优势，克服了激光正划工艺对GaN芯片横向侧壁留下的烧痕等副产物腐蚀清洗困难的问题，增加发光二极管侧壁的出光效率，进一步地，发光二极管纵、横侧壁均获得贯穿的周期性分布孔洞结构，更大程度地提升了芯片的发光亮度、降低漏电不良率、提高劈裂良率。
一种氮化镓基高亮度发光二极管制作方法

[发明专利]发光二极管器件及其制作方法-CN201210308844.3在审
发明人：林素慧;庄家铭;彭康伟;洪灵愿;郑建森;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管器件及其制作方法，其通过在至少包括两个发光外延单元的发光外延结构的底面和顶面分别设置第一导电基板和第二透光性导电结构，形成高密度排列的无正负金属电极的增加出光的发光二极管，可以有效地取出发光层发出的光线，减少金属电极的吸光现象，增加出光效率，降低热阻，延长发光二极管的使用寿命，并节省封装材料和简化工艺流程。
发光二极管器件及其制作方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管-CN201210206024.3有效
发明人：郑建森;林素慧;彭康伟;洪灵愿;尹灵峰 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基发光二极管，包括：一具正、背两面的衬底；外延层，形成于所述衬底的正面上，自上而下依次包含P型层、发光区和N型层；电流扩展层，形成于所述P型层之上；P电极，形成所述电流扩展层之上；其特征在于：还包括第一反射层，位于所述电流扩展层与外延层之间，其呈带状分布在外延层的边缘区域；第二反射层，位于所述衬底的背面。本发明通过在LED外延层的表面边缘区域设置带状或环状的第一反射层，可以增强发光二极管的侧面取光的几率，即控制发光层发出的光线向上和侧面出射的比例，从而调整芯片的出光分布均匀性，改善散热不均匀现象。
一种氮化发光二极管

[发明专利]一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管-CN201210206025.8有效
发明人：郑建森;林素慧;彭康伟;洪灵愿;何安和 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管，包括：衬底；外延层，形成于该衬底上，其中外延层包含P型层、发光区和N型层；电流扩展层，形成于所述P型层之上；P电极，形成所述电流扩展层之上；其特征在于：一反射结构形成于所述P电极与所述外延层之间，由环状反射层和金属反射层构成，其几何中心在垂直方向上与P电极对应，其中所述环状反射层形成于电流扩展层与P型层之间；所述金属反射层形成于电流扩展层与P电极之间；所述环状反射层与金属反射层之间设有一预定距离。本发明通过在LED的外延层与P电极之间增设环状反射层和金属反射层，可以有效地取出发光层发出的光线，减少P电极的吸光现象，从而增加出光效率。
一种具有反射层氮化发光二极管

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