专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于齐纳二极管的浮动高端电源地产生电路-CN202210739043.6有效
  • 张艺蒙;李梓睿;孙乐嘉;宋庆文;汤晓燕;张玉明 - 西安电子科技大学
  • 2022-06-28 - 2023-06-30 - G05F1/56
  • 本发明的一种基于齐纳二极管的浮动高端电源地产生电路,利用齐纳二极管钳压电路,用于产生相较于输入电压低固定值的电压信号;浮动偏置产生电路,用于为齐纳二极管钳压电路提供负载,产生一个固定电压偏置,为高压运放器提供固定偏置电压;分压反馈电路,用于在输出电压的电流变化的情况下反馈至高压运算放大器,以使高压运算放大器通过自身的反馈作用,输出稳定的分压信号,控制分压反馈电压电路的输出电压跟随所述输入电压的变化而变化。本发明利用齐纳二极管的击穿原理来提供电压基准,简化电路结构,无需带隙基准电路,电路面积小,成本低,可以在10‑35V内实现相较于输入电压低5V的电压输出,并且可以跟随输入电压的变化而迅速变化。
  • 一种基于齐纳二极管浮动高端源地产生电路
  • [发明专利]提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件-CN202310265078.5在审
  • 何艳静;裴冰洁;赖建锟;袁昊;宋庆文;汤晓燕;弓小武;张玉明 - 西安电子科技大学
  • 2023-03-17 - 2023-06-27 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件,涉及碳化硅功率半导体领域,包括:第一元胞区,第一元胞区包括多个阵列排布的晶体管,晶体管包括体二极管;第一二极管区,至少部分围绕第一元胞区,第一二极管区包括多个二极管;其中,每个二极管包括并联设置的第一子二极管和第二子二极管;第二元胞区,至少部分围绕第一二极管区,第二元胞区包括多个阵列排布的晶体管;第二二极管区,至少部分围绕第二元胞区,第二二极管包括多个二极管。本发明的第一二极管区和第二二极管区的二极管能够降低第一元胞区和第二元胞区的晶体管的导通压降,降低结温,还能一定程度上抑制电流集中,提高抗浪涌电流冲击能力。
  • 提高sicmosfet浪涌能力半导体器件
  • [发明专利]一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件-CN202310021733.2在审
  • 汤晓燕;张男;宋庆文;袁昊;陶静雯;张玉明 - 西安电子科技大学
  • 2023-01-06 - 2023-06-23 - H01L29/78
  • 本发明涉及一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件,包括:衬底;漏极设置在衬底下方;N‑漂移区位于衬底上方;第一P+区位于N‑漂移区的内部;第二P+区位于N‑漂移区的内部;P型基区设置在N‑漂移区的内部,位于第一P+区与第二P+区之间;N+源区位于第一P+区、P型基区和第二P+区的上表面;栅槽穿过N+源区且与P型基区相邻设置;栅极位于栅槽内部,栅极与栅槽之间填充有栅介质;源极设置在第一源槽的表面,第二源槽的表面,以及N+源区的两侧面和其部分上表面;栅电极位于栅极上。本发明的栅槽底部栅极氧化层厚度大、栅槽底部半包并进行了源槽刻蚀,实现了过剩空穴的快速抽取,提高了器件的单粒子可靠性。
  • 一种粒子sicumosfet器件
  • [发明专利]一种基于十字形元胞布局的VDMOSFET器件-CN202310092540.6在审
  • 韩超;谷晓洁;汤晓燕;王东;吴勇;宋庆文;陶利;陈兴;黄永 - 西安电子科技大学芜湖研究院
  • 2023-01-18 - 2023-05-05 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种基于十字形元胞布局的VDMOSFET器件,包括:N+衬底;N‑外延层漂移区,位于N+衬底上方;P阱,嵌入在N‑外延层漂移区上表面两侧;N+源区,嵌入在对应的P阱上表面内部;SiO2栅氧化层,位于N‑外延层漂移区上方,且覆盖部分P阱和N+源区;多晶硅栅,位于SiO2栅氧化层上方,并且多晶硅栅包括规则排列的多个单元胞,每个单元胞上开设有贯穿上下表面的十字型窗口;层间介质层,位于多晶硅栅外部并包裹多晶硅栅;源极,位于P阱、N+源区和层间介质层上方;并且源极与多晶硅栅通过层间介质层进行物理隔离;漏极,位于N+衬底下方,并与N+衬底形成欧姆接触。本发明能够有效缓解P阱边缘处电场集中问题,提高了器件的耐压特性。
  • 一种基于十字形布局vdmosfet器件
  • [发明专利]一种机油保温装置-CN202210551761.0有效
  • 周天鹏;郭英俊;韩令海;郝伟;闫涛;韩云峰;宋庆文;马万庆 - 中国第一汽车股份有限公司
  • 2022-05-18 - 2023-05-05 - F01M5/00
  • 本发明实施例公开一种机油保温装置,该装置分别与润滑装置、发动机控制器连接,该装置包括:保温储油罐、第一电控油阀、第二电控油阀、气压平衡管,其中,第一电控油阀的第一连接端与保温储油罐的底部连接,第一电控油阀的第二连接端与润滑装置中油底壳的下部连接;第二电控油阀的第一连接端与润滑装置中发动机缸体的主油道连接,第二电控油阀的第二连接端与保温储油罐的顶端连接;发动机控制器控制第一电控油阀和第二电控油阀开闭;保温储油罐的罐体用于盛装高温机油。该装置与原有润滑装置并联,通过保温储油罐和两个电控油阀来对机油进行选择性保温控制,在不改变原有润滑装置结构的基础上直接应用于现有发动机,具有更好的经济性和可靠性。
  • 一种机油保温装置
  • [发明专利]一种基于典型BUCK下PSM模式的自举电压恢复电路-CN202211625038.9在审
  • 张艺蒙;陈洋;张玉明;汤晓燕;宋庆文;孙乐嘉 - 西安电子科技大学
  • 2022-12-16 - 2023-05-02 - H02M1/08
  • 本发明提供了一种基于典型BUCK下PSM模式的自举电压恢复电路,包括BUCK电路;高低端驱动电路,用于驱动高低端功率管;自举电路用于抬升高电位VBOOT的电压;分压反馈电路,用于在输出电压的电流变化的情况下反馈至自举电压恢复电路,以作为自举电压恢复电路开启电流源的信号,控制分压反馈电压电路的输出电压跟随所述输出电压的变化而变化;自举电压恢复电路,利用VFB和VBOOT信号作为开通关断电流源的触发信号。本发明利用逻辑信号控制电流源开关充电原理来为PSM模式的正常工作提供VBOOT高于VSW的5V压差,简化电路结构,无需复杂的逻辑结构和逻辑控制,成本低,可以在10‑35V内实现VBOOT高于VSW的5V压差恢复。
  • 一种基于典型buckpsm模式电压恢复电路
  • [发明专利]一种功率器件的体内复合终端结构及制备方法-CN202111541932.3有效
  • 田鸿昌;袁昊;宋庆文;朱权喆;何晓宁 - 陕西半导体先导技术中心有限公司
  • 2021-12-16 - 2023-04-18 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种功率器件的体内复合终端结构及制备方法,该复合终端结构包括:第一电极、衬底区、外延区、复合终端结构、氧化层和第二电极,第一电极、衬底区和外延区依次层叠;复合终端结构埋设于外延区中且位于终端区中;复合终端结构包括第一子终端和若干第二子终端,第一子终端靠近有源区的一端与有源区相接触,若干第二子终端间隔分布在第一子终端表层中,且靠近有源区的第二子终端与有源区相接触;氧化层位于外延区上且位于复合终端结构的上方;第二电极位于外延区上且位于有源区中,第二电极与氧化层相邻。该结构中复合终端结构埋设在外延区中,其不易受到表面钝化层内部电荷的影响,降低了器件界面电荷对复合终端结构耐压特性的影响。
  • 一种功率器件体内复合终端结构制备方法
  • [发明专利]一种全自动刀片装盒机-CN201711105107.2有效
  • 周利;章川东;宋庆文 - 东莞市新力光机器人科技有限公司
  • 2017-11-10 - 2023-04-14 - B65B5/10
  • 本发明公开了一种全自动刀片装盒机,其机架的固定支撑板上端侧装设有由转盘驱动电机、分割器驱动的活动转盘,活动转盘边缘部装设有呈圆周环状均匀间隔分布的刀片装盒治具;固定支撑板上表面于活动转盘旁侧装设有沿着活动转盘的转动方向依次间隔布置的盒体自动上料组件、六个刀片自动装盒组件、盒盖上料安装组件、成品下料分选组件。通过上述结构设计,本发明能够自动且高效地实现刀片装盒作业,即具有结构设计新颖、自动化程度高、工作效率高且能够有效地节省人工成本的优点。
  • 一种全自动刀片装盒机

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