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[发明专利]一种异面电极的超级结二极管及制备方法-CN202310679948.3在审
发明人： 宋庆文;赵昊月;许雷雷;袁昊;汤晓燕;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种异面电极的超级结二极管及制备方法，该二极管包括：N+型衬底、N型外延层、至少两个有源区N柱、至少一个有源区P柱、N+区、阳极和阴极，其中，N型外延层位于N+型衬底的第一表面；至少两个有源区N柱与至少一个有源区P柱交替层叠在N型外延层的表面，且有源区N柱位于N型外延层的表面，至少两个有源区N柱与至少一个有源区P柱形成超级结结构；N+区位于N+型衬底的第一表面，N+区的侧面与N型外延层的侧面、超级结结构的侧面相接触；阳极覆盖N型外延层的部分表面和超级结结构的侧面；阴极位于N+型衬底的第二表面。该二极管减少了工艺难度，提升了电学特性。
一种电极超级二极管制备方法

[发明专利]发动机冷热冲击试验中机油温度的控制系统和方法-CN202310853388.9在审
发明人：朱洪涛;徐宁宁;董立冬;于磊;贺红伟;邱金旭;王艳龙;郑海亮;宋庆文;孙欢 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： F01M5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发动机冷热冲击试验中机油温度的控制系统和方法。其特征包括：温控模块、测功机控制模块、机油泵和机油冷却模块；其中，测功机控制模块，用于在目标发动机热冲击的情况下，向继电器发送吸合控制信号，以控制继电器的触点吸合；温控模块，与机油泵电连接，用于在检测到继电器的触点已吸合的情况下，控制机油泵将发动机油底壳中的机油吸出至第一机油管路中，以使机油通过第一机油管路流入机油冷却单元；机油冷却模块，与发动机油底壳连接，用于对通过第一机油管路流入的机油进行冷却，并通过第二机油管路回流至发动机油底壳，以调节发动机油底壳中机油的机油温度。实现了发动机冷热冲击试验时对发动机机油温度进行跟随和精细控制。
发动机冷热冲击试验机油温度控制系统方法

[发明专利]一种包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件-CN202310601313.1在审
发明人： 宋庆文;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;梁姝璇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件，至少包括：N型碳化硅衬底和N‑外延层；N‑外延层的表面通过P型掺杂形成有至少一个P型掺杂区；P型掺杂区和N型碳化硅衬底之间的N‑外延层形成有源漂移区；有源漂移区中设有多个浮动结，每个浮动结均通过多个柱状P沟道与一个P型掺杂区实现电连接，每个P型掺杂区均通过多个柱状P沟道与至少一个浮动结实现电连接；浮动结和柱状P沟道均是在外延生长N‑外延层的过程中对生长中的N‑外延层进行多次离子注入形成的。本发明提高了碳化硅浮动结功率器件的开关特性，解决了碳化硅浮动结功率器件难以应用于高频场景的问题，且器件的反向耐压性能不因P沟道的引入而降低。
一种包含柱状沟道碳化硅浮动功率器件

[发明专利]车辆动力输出状态的检测方法及存储介质-CN202310744847.X有效
发明人：吴同;闫涛;刁旭;徐宁宁;宋庆文;郝伟;张文韬;董立冬;刘泽华;杨航 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B60W50/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种车辆动力输出状态的检测方法及存储介质。其中，该方法应用于车辆数据处理领域，包括：获取车辆的运动状态参数，以及车辆的动力装置的工作状态参数；基于运动状态参数，通过车辆动力学计算方法确定车辆的第一输出转矩；基于工作状态参数，确定车辆的第二输出转矩；基于第一输出转矩与第二输出转矩对车辆的动力输出状态进行检测，得到检测结果。本发明解决了相关技术中针对车辆的动力输出状态的检测准确率较低的技术问题。
车辆动力输出状态检测方法存储介质

[发明专利]一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法-CN202111315920.9有效
发明人：元磊;孙晨玥;郭辉;汤晓燕;张艺蒙;宋庆文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法，紫外光电晶体管包括N型4H‑SiC衬底；依次设置于所述N型4H‑SiC衬底的上表面的P型4H‑SiC缓冲层、N型4H‑SiC发射区、P型4H‑SiC基区和N型4H‑SiC集电区；梯形凹槽，贯穿所述N型4H‑SiC集电区直至所述P型4H‑SiC基区的上表面；CaFCl层，设置于所述梯形凹槽内，且与所述N型4H‑SiC集电区的上表面齐平；漏斗形槽阵列，设置于所述CaFCl层和所述N型4H‑SiC集电区上；集电极欧姆接触层，设置于所述CaFCl层中间位置的上表面，以及所述N型4H‑SiC集电区两端的上表面；发射极欧姆接触层，设置于所述N型4H‑SiC衬底的下表面。本发明可以应用于高速探测上。
一种表面优化异质结紫外光电晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于电荷平衡的碳化硅浮动结JBS设计方法-CN202310477181.6在审
发明人： 宋庆文;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;许雷雷 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电荷平衡的碳化硅浮动结JBS设计方法，包括：根据电荷平衡理论获得待设计的碳化硅浮动结JBS的六种电场分布类型，六种电场分布类型分别为非耗尽非穿通型电场分布、非耗尽穿通型电场分布、表面击穿非穿通型电场分布、表面击穿穿通型电场分布、内部击穿非穿通型电场分布和内部击穿穿通型电场分布；利用六种电场分布类型建立不同电场分布类型对应的反向阻断分析模型；利用反向阻断分析模型获得符合设计要求的碳化硅浮动结JBS的器件最优参数。本发明依据电荷平衡理论建立碳化硅浮动结二极管的反向阻断分析模型，通过该模型可以快速预测器件的阻断电压性能，减小了最优参数的取值范围，可以更加快速地确定器件设计参数。
一种基于电荷平衡碳化硅浮动 jbs 设计方法

[发明专利]一种车辆座椅控制方法、装置、设备及介质-CN202310800016.X在审
发明人：王双龙;杨健;王艳龙;闫涛;宋庆文;孙欢;魏宏亮;耿真;万济录;裴东明 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B60N2/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种车辆座椅控制方法、装置、设备及介质。其中，方法包括：确定车辆的车辆座椅控制模式；若车辆座椅控制模式为驾驶员状态控制模式，则定时获取驾驶员的状态数据，根据状态数据确定驾驶员是否处于异常状态，控制驾驶员的车辆座椅执行对应的异常处理操作；若车辆的车辆座椅控制模式为车辆状态控制模式，则定时获取车辆的行驶状态数据，根据行驶状态数据确定车辆是否处于异常行驶状态，控制驾驶员的车辆座椅执行对应的保护操作。本发明实施例可以自动根据与驾驶员或车辆相关的数据确定驾驶员或车辆是否出现异常，自动基于驾驶员的车辆座椅针对异常情况进行相应的处理，使车辆座椅的功能更为丰富。
一种车辆座椅控制方法装置设备介质

[发明专利]中冷器管路泄漏的确定方法、装置、设备及存储介质-CN202310557286.2在审
发明人：魏宏亮;张杰;宋庆文;张程;陶丹;宿博;于磊;王双龙;裴东明;宁禹深 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01M3/28 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种中冷器管路泄漏的确定方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：获取中冷器管路的出口处和/或入口处的气体压力值；获取中冷器管路的出口处的出口湿度值；根据所述气体压力值和/或湿度值确定中冷器管路的泄漏信息。通过根据所述气体压力值和/或湿度值确定中冷器管路的泄漏信息的方式，不仅可以检测中冷器管路是否泄漏，还可以提高中冷器管路泄漏检测的准确性。
中冷器管路泄漏确定方法装置设备存储介质

[发明专利]一种高速轨对轨自偏置的电压跟随器-CN202310391702.6在审
发明人：张艺蒙;储子元;张玉明;孙乐嘉;汤晓燕;宋庆文 -专利权人：西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种高速轨对轨自偏置电压跟随器，包括：PMOS输入电路、NMOS输入电路、电压钳位及互偏置电路。该高速轨对轨自偏置电压跟随器可以高速精确追踪输入电压的变化产生轨对轨的输出信号，且采用自偏置设计为输入电路提供偏置电压，无需额外输入偏置电压，减小了电压设计的复杂度。本发明可广泛应用在正负压或电压轨道快速变化的单电感双极输出或隔离式栅驱动电路中，为电路提供稳定精确的电压跟随。
一种高速偏置电压跟随

[发明专利]一种带有非连续型P+屏蔽层的SiC UMOSFET及其制备方法-CN202310866242.8在审
发明人： 宋庆文;王晨谕;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;何晓宁;肖雨佳 -专利权人：西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有非连续型P+屏蔽层的SiC UMOSFET及其制备方法，UMOSFET包括：衬底层；N型漂移层，位于衬底层的上表面；P‑掺杂区位于N型漂移层的表层中；N+掺杂区位于P‑掺杂区的表层中；多边形环形沟槽，位于N+掺杂区的四周，深度大于N+掺杂区和P‑掺杂区的厚度之和；多个屏蔽层，分别位于多边形环形沟槽的每个拐角处；P+柱，位于N+掺杂区的中部，贯穿N+掺杂区和P‑掺杂区，并延伸至N型漂移层之中。本发明还提供一种带有非连续型P+屏蔽层的SiC UMOSFET的制备方法。本发明的UMOSFET在保护沟槽底部氧化层不被击穿的同时提高了器件的电流通路，并减小了导通电阻。
一种带有连续屏蔽 sic umosfet 及其制备方法

[发明专利]一种SiC MOSFET开关器件的驱动集成电路-CN202010740504.2有效
发明人：张艺蒙;周敏;吕红亮;汤晓燕;宋庆文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC MOSFET开关器件的驱动集成电路，包括：电压幅值转换模块、欠压保护模块、保护执行模块、输出缓冲模块和米勒平台改善模块。该驱动集成电路改善了功率管在开通过程中的VGS平台，使VDS下降速度加快，降低了损耗，避免了通过牺牲开关速度、增加开关损耗来换取振荡和过冲的减小，同时避免了电流尖峰；另外，本发明将驱动电路设计为集成电路大大减小了电路面积。
一种 sic mosfet 开关器件驱动集成电路

[发明专利]一种曲轴箱通风系统及控制方法-CN202210578096.4有效
发明人： 宋庆文;徐宁宁;杨航;刁旭;郝伟;闫涛;刘泽华;张亮;吴同;董立冬 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： F01M13/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种曲轴箱通风系统及控制方法，该系统包括：通过第一管道与曲轴箱的活塞腔的进气口连通的空滤总成；与曲轴箱的回收通道连通的油气分离器；设置在第一管道上的进气歧管；油气分离器与进气歧管通过第二管道连通；与进气歧管连通的可燃气体吸附器，可燃气体吸附器与油气分离器通过第三管道连通；第二管道上设置有第一开关控制阀；第三管道上设置有第二开关控制阀。在上述技术方案中，通过可燃气体吸附器，将曲轴箱混合气中的可燃气体进行吸附过滤，使进入气缸的气体中不含可燃物或含量很少，从而使进入三元催化器的排气不再发生二次燃烧，有效降低三元催化器内部的温度，延长其使用寿命。
一种曲轴通风系统控制方法

[发明专利]一种Mesa沟槽终端耦合U型平面结的雪崩型SiC-TVS器件-CN202310171593.7在审
发明人：韩超;苑广安;汤晓燕;宋庆文;王东;吴勇;陶利;黄雨 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mesa沟槽终端耦合U型平面结的雪崩型SiC‑TVS器件，包括SiC衬底、SiC外延层、负电极和正电极，SiC衬底的两侧呈对称的台阶状，SiC衬底包括第一上表面、第二上表面和位于第一上表面与第二上表面之间的Mesa侧边，SiC外延层位于第二上表面上，SiC外延层的两侧分别位于第一上表面与第二上表面102之间的侧壁延长线上，SiC外延层包括N‑区、U型平面PN结和P+区，其中，P+区通过离子注入的方式形成在SiC外延层上表面内部，U型平面PN结位于P+区与N‑区之间。本发明通过设计SiC‑TVS器件的两侧呈Mesa沟槽耦合U型平面PN结，有效降低了器件的表面电场，使得雪崩击穿发生在SiC‑TVS器件内部，解决了击穿不稳定的问题，保障了SiC‑TVS的击穿和钳位可靠性。
一种 mesa 沟槽终端耦合平面雪崩 sic tvs 器件

[实用新型]一种微通道反应器及制备乙二醇双(丙腈)醚的连续反应系统-CN202320381292.2有效
发明人： 宋庆文 -专利权人：如鲲（山东）新材料科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及有机合成技术领域，特别是涉及一种微通道反应器及制备乙二醇双(丙腈)醚的连续反应系统。该微通道反应器包括两个以上串联的微通道反应部件和一个以上换热部件，各换热部件包括换热第一管道和换热第二管道，各换热第一管道和各换热第二管道上分别设有两个以上第一支路和两个以上第二支路，各换热第一管道依次经各第一支路、各微通道反应部件和各第二支路与各换热第二管道连接。该连续反应系统包括依次连接的该微通道反应器、第一蒸发器和第二蒸发器。本实用新型微通道反应器及制备乙二醇双(丙腈)醚的连续反应系统混合能力和换热能力佳，提高反应效果和产品质量。
一种通道反应器制备乙二醇丙腈连续反应系统

[发明专利]一种配合浮动结引入片状P沟道的碳化硅功率器件-CN202310666001.9在审
发明人：袁昊;李靖域;赵昊月;宋庆文;汤晓燕;张玉明;何晓宁 -专利权人：西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种配合浮动结引入片状P沟道的碳化硅功率器件，包括：N型碳化硅衬底、叠加于所述N型碳化硅衬底之上的N‑外延层，以及通过对所述N‑外延层的表面进行P型掺杂形成的P型掺杂区；其中，所述P型掺杂区下方的N‑外延层形成所述碳化硅功率器件的有源漂移区；所述有源漂移区中设有多个浮动结，每个浮动结均通过片状P沟道连接所述有源漂移区上方的P型掺杂区；所述浮动结和所述片状P沟道均是在外延生长所述N‑外延层的过程中，对生长中的N‑外延层进行多次离子注入形成的。本发明提高了碳化硅浮动结功率器件的开关特性，解决了碳化硅浮动结功率器件难以应用于高频场景的问题。
一种配合浮动引入片状沟道碳化硅功率器件