“宋庆文”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果371个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种复合结构的MISIM型4H-SiC紫外探测器及制备方法-CN202210600937.7有效
发明人：田鸿昌;杜丰羽;张玉明;汤晓燕;宋庆文;袁昊 -专利权人：陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合结构的MISIM型4H‑SiC紫外探测器及制备方法，探测器包括：镜面反射层、4H‑SiC衬底层、4H‑SiC外延层、第一界面插入层、第二界面插入层、第一透明肖特基电极、第二透明肖特基电极、InGaN/GaN量子阱层和减反阵列，镜面反射层、4H‑SiC衬底层和4H‑SiC外延层依次层叠；第一界面插入层位于4H‑SiC外延层的一端，第二界面插入层位于4H‑SiC外延层的另一端；第一透明肖特基电极位于第一界面插入层上，第二透明肖特基电极位于第二界面插入层上；InGaN/GaN量子阱层位于4H‑SiC外延层上；减反阵列分布在InGaN/GaN量子阱层上。该探测器可以提升光的利用率。
一种复合结构 misim sic 紫外探测器制备方法

[发明专利]基于离子注入工艺的环绕N+区浮结功率器件及其制备方法-CN202210423439.X在审
发明人：袁昊;周瑜;汤晓燕;宋庆文;张玉明;何艳静;刘延聪;许允亮 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于离子注入工艺的环绕N+区浮结功率器件及其制备方法，该方法包括：提供N++衬底；在衬底的一侧表面生长第一N‑外延层；在第一N‑外延层的上表面生长外延结构，外延结构包括至少一层第二N‑外延层和至少一层N+掺杂区，第二N‑外延层包括下部N‑外延层和上部N‑外延层，N+掺杂区包括下部N+掺杂区和上部N+掺杂，下部N‑外延层包括多个第一P+浮结，下部N+掺杂区包括多个第二P+浮结；在外延结构的上表面生长第三N‑外延层；在第三N‑外延层的上表面制作第一电极，并在衬底的下表面制作第二电极。由于N+掺杂区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度，因此电导率高、对载流子阻挡能力低，减小了P型结构之间的JFET区域电阻，提升整个功率器件的通流能力。
基于离子注入工艺环绕区浮结功率器件及其制备方法

[发明专利]一种具有冷壁分时分步输运功能的多雾化源Mist-CVD设备-CN202210361984.0在审
发明人：张春福;张泽雨林;宋庆文;陈大正;闫芃如;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有冷壁分时分步输运功能的多雾化源Mist‑CVD设备，Mist‑CVD设备包括：多个雾化腔室，每个所述雾化腔室设置有用于进行雾化或者承载第一气体的雾化源空腔；每个所述雾化腔室上均设置有连通所述雾化源空腔的第一载气入口，所述第一载气入口可用于通入第二气体；混气腔室，所有所述雾化腔室均可独立通断的连接至所述混气腔室，所述雾化腔室设置有用于使雾化气体混合均匀的混气空腔；反应腔室，所述混气腔室连通所述反应腔室，所述反应腔室设置有接收所述雾化气体、以用于反应生长的反应空腔。本发明的Mist‑CVD设备在可以实现多掺杂源的同时，还能兼容液体源和/或气体源的同时使用。
一种具有分时分步输运功能雾化 mist cvd 设备

[发明专利]一种新型浮结碳化硅功率器件的SIMS-JTE终端结构及其制备方法-CN202210325695.5在审
发明人：汤晓燕;刘延聪;袁昊;王溶;周瑜;宋庆文;陈泽宇;陈利利 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的SIMS‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供一N+衬底；在N+衬底的一侧表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、浮结p区和JTE；在至少一层外延结构远离N+衬底的一侧表里生长第二N‑外延层，并在第二N‑外延层内制作表面终端；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面生长氧化层；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面制作第一电极，并在N+衬底远离外延结构的一侧表面制作第二电极，第一电极与氧化层相触。由于JTE靠近N+衬底的一侧为阶梯结构，因此JTE电荷量在总体上形成了横向分区梯度递减，能够效地降低JTE的最大峰值电场、并使整体电场分布变得均匀，进而改善功率器件对JTE剂量的敏感性。
一种新型碳化硅功率器件 sims jte 终端结构及其制备方法

[发明专利]一种三维条形元胞结构、制备方法及其器件-CN202210325718.2在审
发明人： 宋庆文;王溶;张玉明;汤晓燕;刘科宇;袁昊;陈利利;陈泽宇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维条形元胞结构，包括：第一导电类型外延区，位于第一导电类型外延区内的第二导电类型阱区，位于第二导电类型阱区内的回形第一导电类型源区，以及位于回形第一导电类型源区内的第二导电类型体区；其中，沿水平方向，第一导电类型外延区、第二导电类型阱区、回形第一导电类型源区以及第二导电类型体区上均设有高度和宽度相同的若干凸起或者凹槽，以在条形元胞结构上形成若干一字型台面结构或者若干一字型凹槽结构。该结构使得器件除了拥有平行于元胞表面的平行沟道外，还拥有垂直于元胞表面的垂直沟道，从而提升了沟道密度，降低了沟道的导通电阻，进而提升了器件的通流能力。
一种三维条形结构制备方法及其器件

[发明专利]一种三维方形元胞结构、制备方法及其器件-CN202210325719.7在审
发明人：张玉明;陈泽宇;宋庆文;汤晓燕;刘延聪;袁昊;陈利利;王溶 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维方形元胞结构，包括：第一导电类型外延区，位于第一导电类型外延区内的第二导电类型阱区，位于第二导电类型阱区内的回形第一导电类型源区，以及位于回形第一导电类型源区内的第二导电类型体区；其中，第二导电类型体区为凸起状；沿水平和垂直方向，第一导电类型外延区、第二导电类型阱区和回形第一导电类型源区上均设有宽度和高度相同的若干凸起，以分别在水平和垂直方向形成若干凸起台面，同时在方形元胞结构上形成相交于第二导电类型体区的十字型台面结构。该结构使得器件同时拥有了平行于元胞表面和垂直于元胞表面的两种沟道，从而提升了沟道密度，降低了沟道的导通电阻，提升了器件的通流能力。
一种三维方形结构制备方法及其器件

[发明专利]一种新型浮结碳化硅功率器件的D-JTE终端结构及其制备方法-CN202210327014.9在审
发明人： 宋庆文;周瑜;张玉明;陈泽宇;汤晓燕;袁昊;王溶;陈利利 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的D‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供N+衬底；在N+衬底表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、以及在第一N‑外延层表面进行离子注入后形成的浮结p区和JTE；其中，浮结p区位于有源区，JTE位于终端区，JTE包括第一JTE区和第二JTE区；在外延结构表面生长第二N‑外延层，并在第二N‑外延层内制作表面终端；在第二N‑外延层表面生长氧化层；在第二N‑外延层表面制作第一电极，并在N+衬底远离外延结构的一侧表面制作第二电极，第一电极与氧化层相触。由于本发明引入双区JTE结构，在剂量存在偏差时，可以使整个终端结构的电场分布更加平均，具有更好的抗剂量偏移特性，从而提升离子注入剂量窗口。
一种新型碳化硅功率器件 jte 终端结构及其制备方法

[发明专利]一种新型浮结碳化硅功率器件的SM-JTE终端结构及其制备方法-CN202210327018.7在审
发明人：汤晓燕;刘延聪;张玉明;陈利利;袁昊;宋庆文;陈泽宇;王溶 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的SM‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供一N+衬底；在N+衬底的一侧表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、以及在第一N‑外延层远离N+衬底的一侧表面进行离子注入后形成的浮结p区和JTE区；在至少一层外延结构远离N+衬底的一侧表面生长第二N‑外延层，并制作表面终端；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面生长氧化层；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面制作第一电极，并在N+衬底远离外延结构的一侧表面制作第二电极，第一电极与氧化层相触。本发明将JTE区分割为多个SMJTE结构，能够将JTE区的单点的电场峰值分散至这些SMJTE结构，从而在降低电场峰值的同时，使功率器件具有更强的抗剂量偏移特性。
一种新型碳化硅功率器件 sm jte 终端结构及其制备方法

[发明专利]一种三维六角元胞结构、制备方法及其器件-CN202210327031.2在审
发明人：袁昊;陈利利;汤晓燕;宋庆文;周瑜;刘延聪;陈泽宇;王溶 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维六角元胞结构，包括：第一导电类型外延区，位于第一导电类型外延区内的第二导电类型阱区，位于第二导电类型阱区内的第一导电类型源区，以及位于第一导电类型源区内的第二导电类型体区；其中，第二导电类型体区为凸起状；且沿六角元胞结构的六个边的垂直方向，第一导电类型外延区、第二导电类型阱区和第一导电类型源区上均设有宽度和高度相同的若干凸起，以分别在每个方向形成若干凸起台面，同时在六角元胞结构上形成相交于第二导电类型体区的六角台面结构。该结构使得器件同时拥有了平行于元胞表面和垂直于元胞表面的两种沟道，从而提升了沟道密度，降低了沟道的导通电阻，提升了器件的通流能力。
一种三维六角结构制备方法及其器件

[发明专利]一种抑制边缘电场的延迟雪崩半导体器件-CN202210417784.2在审
发明人：汤晓燕;霍争斌;张玉明;宋庆文;袁昊 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制边缘电场的延迟雪崩半导体器件，包括：N+型衬底、阴极、P‑漂移区、P+有源区、阳极、氧化层和侧面电极；阴极、N+型衬底和P‑漂移区由下至上依次设置；阴极与N+型衬底的界面为欧姆接触；对P‑漂移区进行离子注入形成P+有源区；阳极位于P+有源区上方，阳极与P+有源区的界面为欧姆接触；阳极的两侧分别设置有氧化层；P‑漂移区的侧面和N+型衬底的侧面上设置有侧面电极；侧面电极与P‑漂移区的界面为肖特基接触；侧面电极与阴极通过金属互联。本发明通过在P‑漂移区内部通过离子注入形成P+有源区，在P‑漂移区侧面淀积形成侧面电极，并且延伸到整个N+型衬底，避免了器件发生雪崩之前在边缘处被提前击穿，提高了器件的雪崩可靠性。
一种抑制边缘电场延迟雪崩半导体器件

[发明专利]一种阶梯型FLR超级结功率器件终端结构及其制备方法-CN202210422233.5在审
发明人：汤晓燕;刘延聪;宋庆文;张玉明;袁昊;何艳静;周瑜;许允亮 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型阶梯型FLR超级结功率器件终端结构，包括衬底层以及位于衬底层上的第一导电类型外延层，外延层内形成有有源区和位于有源区外围的终端区，其中，外延层的终端区包括多层外延结构，每层外延结构中均设有一个FLR区，且每层外延结构中的FLR区长度自下而上依次增加，以形成自左下方至右上方的阶梯型FLR终端；最顶层的FLR区上方还形成有表面终端区。本发明通过多层外延生长方式同时在器件有源区和终端区内分别形成了超级结结构和阶梯型FLR终端结构，该终端结构简单，易于实现，既减小了注入损伤，同时降低了工艺复杂度，有助于提升器件性能。
一种阶梯 flr 超级功率器件终端结构及其制备方法

[发明专利]一种阶梯型JTE-Rings超级结功率器件终端结构及其制备方法-CN202210422242.4在审
发明人： 宋庆文;周瑜;汤晓燕;何艳静;袁昊;张玉明;刘延聪;许允亮 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种阶梯型JTE‑Rings超级结功率器件终端结构，包括衬底层以及位于衬底层上的第一导电类型外延层，外延区内形成有有源区和位于有源区外围的终端区，其中，外延层的终端区包括多层外延结构，每层外延结构中均设有若干JTE‑Rings区，且每层外延结构中JTE‑Rings区的数量自下而上依次增加，以形成自左下方至右上方的阶梯型JTE‑Rings终端；其中，所述阶梯型JTE‑Rings终端最顶层的JTE‑Rings区上方还设有表面终端区。本发明通过多层外延生长方式同时在器件有源区和终端区内分别形成了超级结结构和阶梯型JTE‑Rings终端结构，该终端结构简单，易于实现，既减小了注入损伤，同时降低了工艺复杂度，有助于提升器件性能。
一种阶梯 jte rings 超级功率器件终端结构及其制备方法

[发明专利]基于外延生长工艺的环绕N+区浮结功率器件及其制备方法-CN202210422245.8在审
发明人：何艳静;周瑜;汤晓燕;袁昊;张玉明;宋庆文;刘延聪;许允亮 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于外延生长工艺的环绕N+区浮结功率器件及其制备方法，该方法包括：提供N++衬底；在衬底的一侧表面生长第一N‑外延层；在第一N‑外延层的上表面生长外延结构，外延结构包括至少一层第二N‑外延层和至少一层N+掺杂区，第二N‑外延层包括下部N‑外延层和上部N‑外延层，N+掺杂区包括下部N+掺杂区和上部N+掺杂区，下部N‑外延层包括多个第一P+浮结，下部N+掺杂区包括多个第二P+浮结；在外延结构的上表面生长第三N‑外延层；在第三N‑外延层的上表面制作第一电极，并在衬底下表面制作第二电极。由于N+掺杂区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度，因此电导率高、对载流子阻挡能力低，减小了P型结构之间的JFET区域电阻，提升整个功率器件的通流能力。
基于外延生长工艺环绕区浮结功率器件及其制备方法

[发明专利]排气后处理器、系统、控制方法、装置及存储介质-CN202210640549.1在审
发明人：周天鹏;刘子鸣;郭英俊;韩令海;郝伟;闫涛;韩云峰;宋庆文 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： F01N3/28 文献下载
摘要：本发明属于车辆排气后处理的技术领域，公开了一种排气后处理器，包括封闭的壳体，壳体内设置有载体，壳体的两端一一开设有入口和出口，壳体内还设置有一层或以上且互相间隔设置的导流片组，相邻导流片组之间以及导流片组与壳体之间形成多个互相独立的工作区，每层导流片组均包括一体连接的入口导流片和隔离导流片，入口导流片位于入口处，隔离导流片位于壳体内，多个工作区中填充有载体。发动机的尾气流经本发明的排气后处理器时，通过改变尾气流经的工作区的数量，可以改变尾气加热载体的量的大小，快速提升该部分载体的温度，并且不会影响发动机的工作条件，不会增加发动机的油耗或者降低发动机性能。
排气处理器系统控制方法装置存储介质

[发明专利]一种β-氧化镓/4H-碳化硅异质结超高温紫外探测器及其制备方法-CN202210429085.X在审
发明人： 宋庆文;杜丰羽;袁昊;汤晓燕;张玉明;张泽雨林 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种β‑氧化镓/4H‑碳化硅异质结超高温紫外探测器及其制备方法，探测器包括：由下至上依次设置的N+型4H‑SiC衬底、N‑型4H‑SiC外延层和β‑Ga2O3功能层。所述β‑Ga2O3功能层上设置有第一金属电极层和第二金属电极层，所述第一金属电极层和所述第二金属电极层上均设置有第三金属电极层；所述第一金属电极层与所述第一金属电极层上的第三金属电极层形成欧姆接触，所述第二金属电极层与所述第二金属电极层上的第三金属电极层形成肖特基接触。本发明的紫外光电探测器通过β‑Ga2O3/4H‑SiC异质结结构既能够实现高温探测功能，又能够具有较高的响应度。同时，第一金属电极、第二金属电极以及第三金属电极极大地提升了光利用率，大幅增加了探测器的探测性能。
一种氧化碳化硅异质结超高温紫外探测器及其制备方法