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[发明专利]半导体结构及其操作方法-CN201110147116.4有效
发明人： 吴锡垣;陈永初;连士进;林正基 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其操作方法。半导体结构包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第一沟道结构与第二栅结构；第一掺杂区位于衬底中；第一掺杂区具有第一导电型；第二掺杂区位于第一掺杂区中；第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型；第三掺杂区位于第二掺杂区中且具有第一导电型；第一沟道结构具有第一栅结构；第一栅结构与第二栅结构分别位于第二掺杂区的不同侧上。
半导体结构及其操作方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201110115558.0有效
发明人：林镇元;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-05-03 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一掺杂阱、一第一掺杂电极、一第二掺杂电极、多个掺杂条纹与一掺杂顶区。掺杂条纹位于第一掺杂电极与第二掺杂电极之间的第一掺杂阱上。掺杂条纹互相分开。掺杂顶区位于掺杂条纹上，并延伸于掺杂条纹之间的第一掺杂阱上。第一掺杂阱与掺杂顶区具有一第一导电类型。掺杂条纹具有相反于第一导电类型的一第二导电类型。本发明各实施例的结构和方法能降低装置的开启阻抗，提升开启电流与效能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法与操作方法-CN201110081711.2有效
发明人：陈信良;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法与操作方法。半导体结构包括第一阱区、第二阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、阳极与阴极。第二阱区邻近第一阱区。第一掺杂区位于第二阱区上。第二掺杂区位于第一阱区上。阳极耦接至第一掺杂区与第二阱区。阴极耦接至第一阱区与第二掺杂区。第一阱区与第一掺杂区具有第一导电型。第二阱区与第二掺杂区具有第二导电型。第二导电型相反于第一导电型。
半导体结构及其制造方法操作方法

[发明专利]超高电压N型金属氧化物半导体元件及其制造方法-CN201110081712.7有效
发明人：陈建志;林正基;林镇元;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种可改善电学性能的超高电压N型金属氧化物半导体(UHV NMOS)元件及其制造方法。UHV NMOS元件包括一P型衬底；一第一高压N型阱区域，设置于衬底的一部分；一源极和基体P型阱，设置于邻近第一高压N型阱区域的一侧，且源极和基体P型阱包括一源极和一基体；一栅极，自源极和基体P型阱延伸至第一高压N型阱区域的一部分；一漏极设置于第一高压N型阱的另一部分且与栅极相对应；一P型场限制层，设置于第一高压N型阱区域内，且P型场限制层位于漏极与源极和基体P型阱之间；以及一N型掺杂层，形成于P型场限制层上方。
超高电压金属氧化物半导体元件及其制造方法

[发明专利]高电压静电放电防护用的自我检测装置及其制造方法-CN201110072048.X有效
发明人：陈信良;杜硕伦;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了高电压静电放电(ESD)防护用的自我检测装置及其制造方法。ESD防护装置可包含一衬底、一N型阱区及一P型阱区。N型阱区配置对应于衬底的一第一部分并具有两个配置于其的一表面的N+区段。P型阱区配置成接近衬底的一第二部分并具有一P+区段与一N+区段。两个N+区段可彼此隔开且每个可关联至装置的一阳极。N+区段可关联至装置的一阴极。一接触部可配置于在两个N+区段之间的一空间中并连接至P+区段。接触部可形成一寄生电容，其关联至联合N+区段形成的一寄生电阻而提供自我侦测以供高电压ESD防护使用。
电压静电放电防护自我检测装置及其制造方法

[发明专利]一种半导体装置-CN201110076756.0有效
发明人：朱建文;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置。该半导体装置包括一源极区域、一漏极区域与一漂移区域，漂移区域位于源极区域与漏极区域之间。分离栅极设置于漂移区域的一部分之上，且分离栅极位于源极区域与漏极区域之间。分离栅极包括一第一栅极电极与一第二栅极电极，第一栅极电极与第二栅极电极通过一栅极氧化层分离。自对准降低表面电场区域设置于漂移区域，在源极区域与漏极区域之间。多晶硅/绝缘层栅极结构包括一靠近漏极区域之上多晶硅层。上多晶硅层可作为硬掩模以形成双降低表面电场结构，从而使双降低表面电场结构自对准。
一种半导体装置

[发明专利]金属氧化半导体元件及其形成方法-CN201010586813.5有效
发明人：朱建文;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化半导体元件及其形成方法，该金属氧化半导体元件是一种金属氧化半导体晶体管，特别是关于低导通电阻降低表面电场横向扩散金属氧化半导体晶体管。低导通电阻降低表面电场横向扩散金属氧化半导体晶体管包括一漂移区域、二隔离区域、一第一掺杂型层、一第二掺杂型层。二隔离区域形成于漂移区域上。第一掺杂型层设置于二隔离区域之间。第二掺杂型层设置于第一掺杂型层之下。
金属氧化半导体元件及其形成方法

[发明专利]具有分离栅极和超级连接结构的半导体元件-CN201010583417.7有效
发明人： 吴锡垣;陈永初;朱建文 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有分离栅极和超级连接结构的半导体元件。该半导体元件包括一源极区域、一漏极区域与一漂移区域。漂移区域介于源极区域与漏极区域之间。一分离栅极设置于漂移区域的一部份的上方处，且介于源极区域与漏极区域之间。分离栅极包括第一与第二栅极电极，通过一栅极氧化层区分第一与第二栅极电极。一超级连接结构设置于漂移区域中，且超级连接结构位于栅极与漏极区域之间。
具有分离栅极超级连接结构半导体元件

[发明专利]高电压金属氧化半导体装置与制造该装置的方法-CN201110256622.7有效
发明人：陈建志;林正基;林镇元;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电压金属氧化半导体装置与制造该装置的方法。高电压金属氧化半导体装置包括一源极、一漏极、一栅极、一漂移区域及一自我保护区域，栅极设置接近于源极，漂移区域实质上设置于漏极与栅极和源极的一区域之间，自我保护区域设置接近于漏极。本发明提供的高电压金属氧化半导体装置具有芯片面积效率最佳化的优点，可以用于特高压侧操作。
电压金属氧化半导体装置制造方法

[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法-CN201010267866.0有效
发明人：黄学义;杜硕伦;李明东;黄胤富;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法。横向双扩散金属氧化物半导体装置具有单条接触垫于源极区域中，包括第一阱、第二阱、场氧化物及多个导电接触垫。第一阱轻掺杂第一掺杂物且形成于基板的一部分内，第一阱的表面具有漏极区域，漏极区域重掺杂第一掺杂物。第二阱轻掺杂第二导电掺杂物且形成于基板的另一部分，第二阱的表面具有源极区域，源极区域包含多个第一部份及多个第二部分，此些第一部份及第二部份分别重掺杂第一及第二导电掺杂物。场氧化物形成于基板的上表面。多个接触垫接触栅极、漏极区域及源极区域，接触此些源极区域的接触垫包括导电材质的单条状延伸经过源极区域。
一种横向扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种半导体装置-CN201010202456.8有效
发明人：黄学义;李明东;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于相当高的电压施加的半导体装置，包括：一衬底；一第一N型阱区域，位于衬底中，用以作为供半导体装置用的一高电压n阱；一对第二N型阱区域，位于第一N型阱区域中；一P型区域，位于此对第二N型阱区域之间的第一N型阱区域中；一对导电区域，位于此对第二N型阱区域之间的衬底上；以及多个N型区域，用以作为供半导体装置用的N型埋入层(NBL)，其中NBL位于第一N型区域的下方并被分散在衬底中。
一种半导体装置

[发明专利]侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制造方法-CN200910261965.5有效
发明人：林正基;林镇元;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有低特性导通电阻的侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管。叠层的P型顶部及N型梯度区域是为节状的圆弧，以分离晶体管的漏极及源极。
侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管结构制造方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN200910253133.9有效
发明人：林正基;连士进;吴锡垣;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包含第一杂质类型的基板、于基板中的不同于第一杂质类型的第二杂质类型的第一阱区域、于基板中的第一杂质类型的第二阱区域、于基板上延伸于第一与第二阱区域上方的图案化的第一介电层、于图案化的第一介电层上的图案化的第一栅极构造、于图案化的第一栅极构造上的图案化的第二介电层以及于图案化的第二介电层上的图案化的第二栅极构造。图案化的第一栅极构造可包含朝第一方向延伸的第一区段以及朝垂直于第一区段的第二方向延伸的第二区段，其中第一与第二区段彼此相交成相交图案。图案化的第二栅极构造可包含朝第一方向延伸于图案化的第一栅极构造上方的第一区段及朝第二方向延伸于图案化的第一栅极构造上方的第二区段的至少一者。
半导体存储器装置

[发明专利]具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法-CN200810172929.7有效
发明人：林正基;连士进;叶清本;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法，以及一种具有一半导体衬底以及在该半导体衬底上具有一非易失存储装置的非易失存储集成电路。该装置具有一晶体管及一电容器在该半导体衬底上，以及一共享浮动栅极连接该晶体管及该电容器的该栅极区域。该晶体管具有至少一掺杂区域定义该源极及漏极区域，以及其它三个掺杂区域覆盖该源极及漏极区域。本发明也揭露具有多重此类非易失存储装置的一非易失存储电路，以及制造具有一者以上此类非易失存储装置的该非易失集成电路的方法。
具有晶体管电容栅极非易失存储单元及其制造方法

[发明专利]具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法-CN200810185497.3有效
发明人：林正基;连士进;叶清本;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法，以及一种具有一半导体衬底以及在该半导体衬底上具有一非易失存储装置的非易失存储集成电路。该装置具有一晶体管及一电容器在该半导体衬底上，以及一共享浮动栅极连接该晶体管及该电容器的该栅极区域。该晶体管具有至少一掺杂区域定义该源极及漏极区域，以及其它三个掺杂区域覆盖该源极及漏极区域。本发明亦揭露具有多重此类非易失存储装置的一非易失存储电路，以及制造具有一者以上此类非易失存储装置的该非易失集成电路的方法。
具有晶体管电容栅极非易失存储单元及其制造方法