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[发明专利]高压半导体元件-CN202110108477.1在审
发明人：黄宗义;黄镫圣 -专利权人：通嘉科技（深圳）有限公司;通嘉科技股份有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种高压半导体元件，其中该高压元件包含：半导体基底为第一导电型。深阱层为第二导电型，与该第一导电型相反。该深阱层形成于该半导体基底上，具有一表面。一源金属内连接接触该源有源区中的该表面，形成一欧姆接触，作为该高压元件的一源极。一漏金属内连接接触该漏有源区中的该表面，作为该高压元件的一漏极。一控制栅形成于该场隔绝层上，作为该高压元件的一栅极。该控制栅的一栅电压可控制该深阱层所提供的一导电通道，其电连接该漏极至该源极。
高压半导体元件

[发明专利]高压半导体元件-CN201711203046.3有效
发明人：韦维克;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压半导体元件，包括基底、具有第二导电型的第一井区、具有第一导电型的第二井区、第一掺杂区、第二掺杂区、栅极结构以及多个隔离结构。第一井区位于基底上。第二井区位于第一井区旁的基底上。
高压半导体元件

[发明专利]高压半导体元件-CN201210073009.6有效
发明人：张堡安;李庆民;吴德源;王智充;李文芳;徐尉伦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种高压半导体元件，其包含有一基底、一设置于该基底上的绝缘层、以及一设置于该绝缘层上的硅层。
高压半导体元件

[发明专利]高压半导体元件-CN201110186435.6有效
发明人：浦士杰;李庆民;徐尉伦;王智充;林克峰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明披露了一种高压半导体元件，包括基底；第一导电型井设于该基底中；第一第二导电型掺杂区设于该第一导电型井中；第一隔离结构设于该第一导电型井中并环绕该第一第二导电型掺杂区；以及第一第二导电型漂移环设于该第一第二导电型掺杂区及该第一隔离结构之间
高压半导体元件

[发明专利]高压半导体元件-CN201410383690.3有效
发明人：詹景琳;林正基;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压半导体元件。高压半导体元件包括一P型基板、一高压N型阱(HVNW)、一第一P型阱、一漂移区(drift region)以及一P型掺杂层。高压N型阱形成于P型基板中。第一P型阱形成于高压N型阱中，第一P型阱的一底部相距P型基板的一表面具有一第一深度。漂移区形成于高压N型阱中，其中漂移区是自P型基板的表面向下延伸。
高压半导体元件

[发明专利]高压半导体元件-CN97198189.2无效
发明人： A·瑟德贝尔格;P·斯维德贝尔格 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1997-07-04 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：用额外的半导体层在薄栅氧化层上形成第二MOS结构来得到扩展栅层。由此电场均匀地横向分布在扩展漂移区中。
高压半导体元件

[发明专利]用于半导体的感测元件-CN201410268635.X在审
发明人： S·威尔科费尔;A·基普 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明公开了用于半导体的感测元件。一个实施例涉及一种装置，包括高压侧半导体、低压侧半导体、与高压侧半导体相邻布置的第一感测元件。第一感测元件与高压侧半导体隔离，并且第一感测元件可直接连接至处理装置。
用于半导体元件

[发明专利]高压元件与低压元件整合制造方法-CN202210262781.6在审
发明人：熊志文;翁武得;杨大勇 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种高压元件与低压元件整合制造方法，包含：提供基板；形成半导体层于基板上；形成多个绝缘区于半导体层上，以定义高压元件区与低压元件区；形成第一高压阱区于半导体层中的高压元件区中；形成第二高压阱区于半导体层中，其中第一高压阱区与第二高压阱区于通道方向上连接；于第一高压阱区与第二高压阱区形成之后，形成氧化层于半导体层上，氧化层覆盖高压元件区与低压元件区；于氧化层形成之后，形成第一低压阱区于半导体层中的低压元件区中
高压元件低压整合制造方法

[发明专利]一种半导体元器件高压测试分选输送线-CN202211135954.4在审
发明人：陈树钊;单忠频;陈伟明;陈志敏;康茂;薛克瑞;缪来虎;黄昌浩;彭宇杰;温炜杰 -专利权人：广东歌得智能装备有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B07C5/02 文献下载
摘要：本发明的半导体元器件高压测试分选输送线，接料机构在水平位置时接收装载有若干半导体元件的料管后，通过翻摆驱动机构驱动与自动落料机构对接，使多个半导体元件沿倾斜布置落料通道自动滑落至元器件高压测试机构内，实现多个半导体元件进行高压测试，元器件测试效率高，而且元器件分拣机构对各组别的半导体元件完成分拣后，以轨道输送的方式输出半导体元件，较好避免半导体元件输出时发生位置偏移，使用效果好。
一种半导体元器件高压测试分选输送

[发明专利]高压金属氧化物半导体元件与制作方法-CN201010113197.1有效
发明人：黄宗义;朱焕平;杨清尧;苏宏德 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出一种高压金属氧化物半导体元件与制作方法。该高压金属氧化物半导体元件包括基板；位于该基板表面上的栅极结构；位于该基板内部的阱区，从顶面视之此阱区在水平面上构成一元件区；位于该阱区内部的漂移区；位于该阱区内部的源极；位于该漂移区内部的漏极，其与该栅极结构以该第一漂移区隔开；以及位于该基板表面下方且不涵盖整个元件区的P型掺杂区，该P型掺杂区以离子植入技术，植入P型杂质，以加强该高压金属氧化物半导体元件的崩溃防护电压(N型高压金属氧化物半导体元件)，或降低该高压金属氧化物半导体元件的导通阻值(P型高压金属氧化物半导体元件)。
高压金属氧化物半导体元件制作方法

[发明专利]半导体装置以及电力变换装置-CN202180049405.2在审
发明人：谷和树;原贤志 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，在将多个低压元件串联连接而构成的共源共栅型的高压元件中在降低连接的低压元件的级数的同时，不被限制于低压元件的栅极氧化膜的耐压而能够构成期望的耐压的高压元件。在将第1半导体元件和1个或多个第2半导体元件串联连接而成的半导体装置中，特征在于，所述第1半导体元件以及所述第2半导体元件在源极端子与漏极端子之间或者发射极端子与集电极端子之间具有控制信号输出端子，所述第2半导体元件的栅极端子连接于与所述第2半导体元件的源极或者发射极侧邻接地串联连接的第1半导体元件或者第2半导体元件的控制信号输出端子。
半导体装置以及电力变换

[发明专利]耗尽型高压NMOS元件与耗尽型低压NMOS元件整合制造方法-CN202210688360.X在审
发明人：翁武得;熊志文;杨大勇 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种耗尽型高压NMOS元件与耗尽型低压NMOS元件整合制造方法，包含：提供基板；形成半导体层于基板上；形成多个绝缘区于半导体层上；形成N型阱区于耗尽型高压NMOS元件区中；形成高压P型阱区于半导体层中，其中N型阱区与高压P型阱区于通道方向上连接；于N型阱区与高压P型阱区形成之后，形成氧化层于半导体层上；于氧化层形成之后，形成低压P型阱区于半导体层中的耗尽型低压NMOS元件区中；形成低压P型阱区；以及形成N型高压通道区与N型低压通道区，以使耗尽型高压NMOS元件与耗尽型低压NMOS元件于各自的栅极‑源极电压为零时导通。
耗尽高压 nmos 元件低压整合制造方法

[发明专利]具有高压器件的半导体器件结构-CN201811416706.0有效
发明人：林宏洲;邱奕正;卡思克·穆鲁克什;陈益民;林炫政;江文智;张震谦;詹智元;吴国铭;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种高压半导体器件结构。高压半导体器件结构包括半导体衬底，半导体衬底中的源极环和半导体衬底中的漏极区域。高压半导体器件结构还包括围绕源极环的侧面和底部的掺杂环以及围绕漏极区域和掺杂环的侧面和底部的阱区。阱区的导电类型与掺杂环的导电类型相反。高压半导体器件结构还包括导体，该导体电连接到漏极区域并且在阱区的外围上方并且横穿阱区的外围延伸。另外，高压半导体器件结构包括在导体和半导体衬底之间的屏蔽元件环。屏蔽元件环在阱区的外围上方延伸并横穿阱区的外围。本发明实施例涉及具有高压器件的半导体器件结构。
具有高压器件半导体器件结构

[发明专利]具有单脉冲雪崩能量的高压半导体元件与其制作方法-CN201710339696.4有效
发明人：曾婉雯;叶人豪;凃宜融;熊志文 -专利权人：通嘉科技股份有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开一种高压半导体元件与其制作方法，该高压半导体元件具有良好的单脉冲雪崩能量。该高压半导体元件包含有一主要高压开关元件以及一电流检测元件。该主要高压开关元件包含有数个开关单元，排列为一第一矩阵。该电流检测元件包含有数个检测单元，排列为一第二矩阵。每个检测单元具有一检测单元宽度，大于该开关单元宽度。
具有脉冲雪崩能量高压半导体元件与其制作方法

[发明专利]多互补式金属氧化物半导体元件整合结构及其制造方法-CN202210859060.3在审
发明人：翁武得;熊志文;杨大勇 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种多互补式金属氧化物半导体元件整合结构及其制造方法。多互补式金属氧化物半导体元件整合结构，包括：半导体层、多个绝缘区、第一高压P型阱区与第二高压P型阱区、第一高压N型阱区与第二高压N型阱区、第一低压P型阱区与第二低压P型阱区、第一低压N型阱区与第二低压N其中超高阈值互补式金属氧化物半导体元件形成于超高阈值元件区，高阈值互补式金属氧化物半导体元件形成于高阈值元件区，中阈值互补式金属氧化物半导体元件形成于中阈值元件区，低阈值互补式金属氧化物半导体元件形成于低阈值元件区
互补金属氧化物半导体元件整合结构及其制造方法

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