“吴锡垣”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果46个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有内埋层的半导体装置及其制造方法-CN201510198112.7在审
发明人：詹景琳;吴锡垣;林正基 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有内埋层的半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：具有第一电性的基板、具有第二电性且形成于基板中的高电压阱、形成于高电压阱中的漂移区，以及具有第一电性的内埋层，其中内埋层形成于高电压阱之下且垂直地对准漂移区。
具有内埋层半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有局部绝缘结构的半导体元件及其制造方法-CN201410098110.6在审
发明人：詹景琳;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有局部绝缘结构的半导体元件及其制造方法，该半导体元件的制造方法包括：提供一具有一第一导电型的基板；形成一具有一第二导电型的高电压阱在基板中；形成一漂移区在高电压阱中；以及形成一绝缘层在基板上。此一绝缘层包括一第一绝缘部及一第二绝缘部，其分别覆盖漂移区相对的边缘部分，且未覆盖漂移区的一顶部。
具有局部绝缘结构半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体复合层结构及具有其的半导体封装结构-CN201310102202.2无效
发明人：李明东;连士进;林孝章;曾钦义;吴国豪;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体复合层结构及具有其的半导体封装结构，该半导体复合层结构设置于具有一电路结构及一第一导电层的一衬底上，半导体复合层结构包括多个介电层、第一浸润层、坚硬层及第二浸润层；此些介电层彼此间隔地设置于衬底上；第一浸润层设置于此些介电层上及此些介电层之间的衬底上；坚硬层设置于第一浸润层上；第二浸润层设置于坚硬层上，用以与一第二导电层接触。
半导体复合结构具有封装

[发明专利]低导通电阻的半导体装置及其制造方法-CN201310311562.3在审
发明人：陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低导通电阻的半导体装置，该半导体装置具有由邻近于厚介电层的薄介电层所定义的双介电层结构；特别地，提供具有包括邻近于薄氧化/厚氧化层的薄栅极氧化层的双栅极氧化层结构的高电压金属氧化物半导体晶体管；这样的结构可用于延伸漏极金属氧化物半导体场效晶体管、横向扩散金属氧化场效晶体管或任何高电压金属氧化物半导体晶体管。本发明还公开了一种制造延伸漏极金属氧化物半导体场效晶体管装置的方法。
通电半导体装置及其制造方法

[发明专利]高电压接面场效晶体管结构-CN201210587232.2无效
发明人：许维勋;杜硕伦;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：一JFET结构包括具有一第一端子的一第一JFET及与所述第一JFET相邻的一第二JFET。两个JFET共享所述第一端子，且所述第一端子在每一JFET的闸极之间。所述JFET亦提供至少一调谐旋钮以调整夹止电压，且提供一调谐旋钮以调整所述JFET结构的崩溃电压。此外，所述JFET具有作为另一调谐旋钮的一内埋层以调整所述JFET结构的所述夹止电压。
电压接面场效晶体管结构

[发明专利]双向三极栅流体装置及其制造方法以及包含该装置的电路-CN201210528023.0有效
发明人：陈信良;杜硕伦;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高电压静电放电(ESD)防护的双向三极栅流体(TRIAC)装置及其制造方法以及包含该装置的电路，该装置可包括一衬底、一N⁺掺杂埋层、一N型阱区以及二个P型阱区。该N⁺掺杂埋层可被设置邻近于该衬底。该N型阱区可围绕该两个P型阱区，使得该N型阱区的一部分被设置在该两个P型阱区之间。该P型阱区可设置在邻近于该N⁺掺杂埋层，且包括一或多个N⁺掺杂板和一或多个P⁺掺杂板。被设置于该两个P型阱区之间的该N型阱区的该部分可以包括一或多个P型部分，比如一P⁺掺杂或一P型注入。
双向三极流体装置及其制造方法以及包含电路

[发明专利]金属氧化物半导体装置及其制造方法-CN201210387057.2无效
发明人：詹景琳;吴锡垣;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物半导体装置及其制造方法，该改良的金属氧化物半导体装置包括：一p衬底；一高电压n阱，配置在该p衬底中；一第一p阱，形成于具有一第一p+掺杂区的该p衬底中；一第二p阱，形成于具有邻近一n+掺杂源极区的一第二p+掺杂区的该HVNW中；一离散p顶端区，具有多个配置在该HVNW中的p顶端段；以及一n阶区，配置在该离散p顶端区之上，其中，该多个p顶端段的每一个具有一段离该n阶区的距离以定义多个距离，具有一宽度以定义多个宽度，并具有一段与一邻近p顶端段的分离距离以定义多个分离距离。藉此，p顶层是由一连串的离散设置的P型顶端扩散区所定义。本发明亦提供用于制造本发明的MOS装置的方法。
金属氧化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201210305283.1有效
发明人：陈建志;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括衬底、装置区、第一掺杂区与栅结构；第一掺杂区形成在邻近装置区的衬底中；栅结构位于第一掺杂区上；第一掺杂区与栅结构是互相重叠的。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201210247221.X有效
发明人：锺淼钧;郑安棣;黄胤富;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括基体、栅极、源极、漏极与基体接触区；栅极位于基体上；源极与漏极分别位于栅极的相对两侧上的基体中；基体接触区仅位于基体邻近源极的一区域中并电性连接至基体。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201210089540.2有效
发明人：林镇元;林正基;詹景琳;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一第一导电型的一衬底；一第二导电型的一深阱，形成于衬底内并由衬底表面向下扩展；第一导电型的一第一阱，是由衬底表面向下扩展并形成于深阱内，第一阱包括一块状区(block region)和连接块状区一端的多个指状区(fingerregions)；和第二导电型的一第二阱，是于深阱内由衬底的表面向下扩展并邻接第一阱，且第二阱包括多个通道区与该多个指状区交错设置，以间隔开该多个指状区。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201210040502.8有效
发明人：朱建文;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底、第一源/漏极区、第二源/漏极区、第一叠层结构与第二叠层结构。第一源/漏极区形成于衬底中。第二源/漏极区形成于衬底中。第一叠层结构位于第一源/漏极区与第二源/漏极区之间的衬底上。第一叠层结构包括第一介电层与第一导电层。第一导电层位于第一介电层上。第二叠层结构位于第一叠层结构上。第二叠层结构包括第二介电层与第二导电层。第二导电层位于第二介电层上。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201210021446.3有效
发明人：陈建志;陈立凡;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第一导电结构与第二导电结构。第一掺杂区包括第一接触区。第一掺杂区与第一接触区具有第一导电型。第二掺杂区包括第二接触区。第二掺杂区与第二接触区具有相反于第一导电型的第二导电型。第一掺杂区是邻近第二掺杂区。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110259974.8无效
发明人：朱建文;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括第一掺杂区、第二掺杂区、介电结构与栅极结构。第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型并邻近第一掺杂区。介电结构包括互相分开的第一介电部分与第二介电部分。介电结构形成于第一掺杂区上。栅极结构位于第一掺杂区或第二掺杂区邻近第一介电部分的一部分上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201110248064.X有效
发明人：陈信良;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区与电阻。第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第三掺杂区具有第一导电型。第一掺杂区与第三掺杂区是通过第二掺杂区互相分开。电阻耦接于第二掺杂区与第三掺杂区之间。阳极被耦接至第一掺杂区。阴极被耦接至第三掺杂区。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201110204017.5有效
发明人：陈建志;林正基;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括二极管。二极管包括第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。第一掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第二掺杂区与第三掺杂区通过第一掺杂区分开。第三掺杂区具有相邻近的第一部分与第二部分，分别靠近与远离第二掺杂区。第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度。本发明的半导体结构中的二极管的切换速度高、开启电阻低。此外，本发明的二极管能自隔离于其它元件，需要的设计面积小且制造成本低。
半导体结构及其制造方法