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[发明专利]基于级联电路的半导体封装结构-CN201510991622.X有效
发明人：赵树峰 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于级联电路的半导体封装结构，包括：高压耗尽型半导体晶体管；低压增强型半导体晶体管；导电支撑片，高压耗尽型半导体晶体管和所述低压增强型半导体晶体管固定于导电支撑片上；管壳，管壳上设有高压端子、第一低压端子及第二低压端子；级联电路，高压耗尽型半导体晶体管、低压增强型半导体晶体管及管壳间通过级联电路电连接，其中，高压耗尽型半导体晶体管的源极与低压增强型半导体晶体管的漏极直接固定于导电支撑片上并导电支撑片电连接本发明的半导体封装结构中，高压耗尽型半导体晶体管的源极与低压增强型半导体晶体管的漏极通过导电支撑片电连接，可有效减少引入的寄生电感和寄生电阻，提高器件的工作性能。
基于级联电路半导体封装结构

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管-CN200710193994.3有效
发明人：王升平;黄宗义;王文亮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管。该半导体晶体管包括形成于半导体衬底的金属氧化物半导体晶体管，其中，此半导体衬底为第一导电型，且具有第一导电型的栓塞区域；此栓塞区域形成于第二导电型的漏极延伸区域(就高压金属氧化物半导体晶体管而言)或形成于第二导电型的轻掺杂区域(就低压金属氧化物半导体晶体管而言)。本发明原则适用于形成在块状半导体衬底上的金属氧化物半导体晶体管及形成在硅置于绝缘物上构成的金属氧化物半导体晶体管。
金属氧化物半导体晶体管高压

[发明专利]高压半导体元件及其制造方法-CN201410196907.X有效
发明人：陈信良;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压半导体元件及其制造方法，该高压半导体元件包括一高压半导体晶体管(HVMOS)和一常开型低压半导体晶体管(normally‑on LVMOS)电性连接高压半导体晶体管。常开型LVMOS具有一第二集极及一第二发射极，其中常开型LVMOS的第二集极被电性连接至HVMOS的第一发射极，因而形成一静电防护双极晶体管，如一NPN型静电防护双极晶体管。
高压半导体元件常开型发射极集极高压半导体晶体管双极晶体管电性连接静电防护半导体晶体管制造

[发明专利]高压半导体元件及其操作方法-CN201210038550.3有效
发明人：陈信良;童文菁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压半导体元件及其操作方法。高压半导体元件包括一高压金属氧化物半导体晶体管及一NPN型静电保护双极晶体管。高压金属氧化物半导体晶体管具有一漏极及一源极。NPN型静电保护双极晶体管具有一集极及一发射极。集极电性连接于漏极。发射极电性连接于源极。
高压半导体元件及其操作方法

[发明专利]半导体器件-CN201610741795.0在审
发明人：嘉屋旨哲;中原宁 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。实现了半导体器件的性能的提高。该半导体器件包括耦合晶体管，该耦合晶体管由p沟道MOSFET制成且形成在由p型半导体制成的基底上方的n‑型半导体区域中。耦合晶体管具有作为p型半导体区域的resurf层，并且将低压电路区域耦合到高压电路区域，比供应给低压电路区域的电源电势高的电源电势供应给高压电路区域。半导体器件具有p型半导体区域，该p型半导体区域在平面图中形成在n‑型半导体区域围绕耦合晶体管的部分中。
半导体器件

[实用新型]一种化合物半导体晶体管功率电子模块-CN201720496427.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：夏令
申请日： 2017-05-07 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01H9/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化合物半导体晶体管功率模块，其中使用控制集成电路通过两个控制信号，同时控制一个具有正导通控制电压的继电器和一个具有负阈值电压的化合物半导体晶体管，通过协调两个控制信号的时序，保证继电器在晶体管关断之后，才联通高压和晶体管漏端，而在继电器关断之后，晶体管的控制电压才恢复到零电平。本功率模块避免了在功率模块中使用常开型化合物半导体晶体管带来的高压短路风险，能够安全的充分发挥化合物半导体晶体管在功率电子中的高效率、耐高压的优势。
一种化合物半导体晶体管功率电子模块

[实用新型]半导体器件-CN201120332912.0有效
发明人：雷晗 -专利权人：西安民展微电子有限公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，包括：一晶体管，包括漂移区；一高压电阻，设置在所述漂移区的上方，高压电阻的两端分别与晶体管的漏极和栅极连接。将高压电阻与晶体管集成在一起，使得高压电阻不占用半导体器件的额外面积，在总体上减小了整个半导体器件的面积，从而降低了半导体器件的成本。
半导体器件

[发明专利]等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法-CN200910212764.6有效
发明人：易扬波;李海松;王钦;刘侠;陈文高 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法，所述器件由高压N型横向绝缘栅双极型晶体管、高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压二极管和低压器件构成；所述制备方法为：在P型衬底上制作埋氧层，淀积P型外延层，制作高压器件的高压N阱和高压P阱，高压N型横向绝缘栅双极型晶体管和高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的P型体区，各低压阱。本发明所述芯片结构具有芯片功耗低，芯片面积小，可靠性高的优点，而且能够兼容标准低压互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造工艺。
等离子显示驱动芯片低压器件制备方法

[发明专利]箝位电路、半导体装置和半导体装置的箝位方法-CN201310454234.9有效
发明人：高在赫;金佑锡;金汉求;赵相容 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：箝位电路、半导体装置和半导体装置的箝位方法。所述半导体装置包括：第一高压晶体管，具有栅极和第一电极，其中，第一电极连接到第一焊盘并且寄生电容形成在栅极和第一电极之间；箝位电路，连接到第一高压晶体管的栅极，其中，箝位电路检测由于静电放电导致的第一高压晶体管的栅极电压的电平变化，并且根据检测结果将第一高压晶体管的栅极电压箝位。
箝位电路半导体装置方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210486721.9有效
发明人：前田茂伸;卢铉弼;李忠浩;咸锡宪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种包括高压晶体管和低压晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，包括高压区和低压区；高压晶体管，形成在高压区中并包括第一有源区、第一源/漏区、第一栅绝缘层和第一栅电极；以及低压晶体管，形成在低压区中并包括第二有源区、第二源/漏区、第二栅绝缘层和第二栅电极
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200910142454.1有效
发明人：佐藤幸弘;宇野友彰;松浦伸悌;白石正树 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-02-16 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括这样一个电路的非绝缘型DC-DC转换器，在该电路中用于高压侧开关的功率MOS·FET和用于低压侧开关的功率MOS·FET串联连接。在非绝缘型DC-DC转换器中，用于高压侧开关的功率晶体管、用于低压侧开关的功率晶体管和驱动这些功率晶体管的驱动电路分别由不同的半导体芯片构成。这三个半导体芯片被容纳在一个封装中，并且包括用于高压侧开关的功率晶体管的半导体芯片和包括驱动电路的半导体芯片被彼此邻近地布置。
半导体器件

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510207915.4有效
发明人：赵秋吉;吴灵;孟伟;焦志辉;李志国;任驰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括一基材、多个存储单元、一逻辑晶体管栅极以及一高压晶体管栅极。其中，基材至少具有一存储器区、一高压区和一逻辑区。这些存储单元位于存储器区上。逻辑晶体管栅极位于逻辑区上。高压晶体管栅极具有第一部分和第二部分，彼此电性接触且相互堆叠于高压区上。高压晶体管栅极的厚度实质大于逻辑晶体管栅极的厚度。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]降低耦合噪声的半导体器件-CN200510059255.6有效
发明人：边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：半导体器件、半导体存储器件或闪速存储器包括含有高压元件的高压区、含有低压元件的低压区和诸如低压开关晶体管之类连接高压区和低压区的开关晶体管。开关晶体管降低或消除读出节点之间的耦合噪声，而不会使芯片面积增加。
降低耦合噪声半导体器件

[发明专利]一种功率半导体器件-CN202110727717.6在审
发明人：陈燕平;窦泽春;谢舜蒙;彭勇殿;朱武;张荣;荣春晖;袁勇;陈明翊;谭一帆 -专利权人：中车株洲电力机车研究所有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括：至少一个晶体管元件，其中，所述晶体管元件包括高压功率端、低压功率端及控制端，所述高压功率端延伸出所述功率半导体器件的封装以构成所述功率半导体器件的高压引脚，所述低压功率端延伸出所述功率半导体器件的封装以构成所述功率半导体器件的低压引脚，所述控制端延伸出所述功率半导体器件的封装以构成所述功率半导体器件的控制引脚；以及至少一个检测二极管单元，其中，所述检测二极管单元的阴极连接所述至少一个晶体管元件的所述高压功率端，所述检测二极管单元的阳极延伸出所述功率半导体器件的封装以构成所述功率半导体器件的检测引脚
一种功率半导体器件

[发明专利]一种CMOS型高低压集成的工艺器件结构及其制备方法-CN201310191040.4无效
发明人：李海松;王钦;易扬波 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了本发明公开了一种CMOS型高低压集成的工艺器件结构及其制备方法，所述器件由低压N型金属氧化物半导体场效应晶体管、低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管、高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管和中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管构成；所述制备方法为：在N型衬底上制作N型外延层，接着在N型外延层上制作不同的P型掺杂阱，然后在P型掺杂阱上同时制作低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管的体区和中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的耐压区，最后进行源漏注入。
一种 cmos 低压集成工艺器件结构及其制备方法

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