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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器件和制造其的方法-CN201811432240.3有效
发明人：宋正宇;金光敏;李俊镐;姜赫镇;金容宽;韩相然;朴世根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器件和制造其的方法。该半导体存储器件可以包括：第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区，在半导体衬底中彼此间隔开；位线，电连接到第一杂质掺杂区并跨越半导体衬底；存储节点接触，电连接到第二杂质掺杂区；第一间隔物和第二间隔物，设置在位线与存储节点接触之间；以及气隙区，设置在第一间隔物与第二间隔物之间。第一间隔物可以覆盖位线的侧壁，第二间隔物可以与存储节点接触相邻。第一间隔物的顶端可以具有比第二间隔物的顶端的高度高的高度。
半导体存储器件制造方法

[发明专利]半导体存储器件-CN202010348098.5有效
发明人：慎重赞;金志永;金熙中;安泰炫;赵银珠;崔贤根;韩相然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B41/10 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器件，其包括：堆叠结构，包括垂直地堆叠在衬底上的层，每个层包括在第一方向上延伸的位线和在第二方向上从位线延伸的半导体图案；栅电极，在穿透堆叠结构的孔中，并沿着半导体图案的堆叠延伸；垂直绝缘层，覆盖栅电极并填充孔；以及数据存储元件，电连接到半导体图案。数据存储元件包括第一电极和第二电极，第一电极在垂直绝缘层的第一凹陷中并具有其一端敞开的圆筒形状，第二电极包括在第一电极的圆筒中的第一突起和在垂直绝缘层的第二凹陷中的第二突起。
半导体存储器件

[发明专利]半导体器件-CN202210812817.3在审
发明人：姜钟仁;崔峻荣;洪润基;金台勋;吕晟溱;韩相然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和核心区；边界元件分隔膜，设置在衬底内部并将单元区和核心区分开；以及位线，设置在单元区和边界元件分隔膜上并沿第一方向延伸，其中边界元件分隔膜包括第一区域和第二区域，以边界元件分隔膜的下侧为基准，边界元件分隔膜的第一区域的上侧的高度与边界元件分隔膜的第二区域的上侧的高度不同，位线设置在边界元件分隔膜的第一区域和第二区域上方。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202210485599.7在审
发明人：崔峻荣;金荣祐;金台勳;韩相然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域和外围电路区域；导电结构，在单元区域和外围电路区域上，导电结构在与基底的上表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，在外围电路区域上，栅极结构在第一方向上与导电结构间隔开；间隔件，接触栅极结构的侧壁；以及第一覆盖图案，接触导电结构的在第一方向上的端部的侧壁以及间隔件的侧壁，其中，间隔件和第一覆盖图案包括不同的绝缘材料。
半导体装置

[发明专利]半导体存储器件-CN202111338530.3在审
发明人：崔贤根;李基硕;郑承宰;慎重赞;安泰炫;郑文泳;韩相然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：位线，在基板上在垂直方向上延伸；晶体管主体部分，包括在第一水平方向上依次布置的第一源极‑漏极区、单晶沟道层和第二源极‑漏极区，并且连接到位线；栅电极层，在垂直于第一水平方向的第二水平方向上延伸；栅极电介质层，在栅电极层和单晶沟道层之间并覆盖单晶沟道层的至少上表面和下表面；以及单元电容器，包括下电极层、电容器电介质层和上电极层，在第一水平方向上在晶体管主体的与位线相反的一侧并且连接到第二源极‑漏极区。
半导体存储器件

[发明专利]三维半导体存储器件-CN202111060160.1在审
发明人：慎重赞;姜秉茂;韩相然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：公开了一种三维(3D)半导体存储器件，其包括：堆叠结构，在半导体衬底上彼此间隔开，其中每个堆叠结构包括交替地堆叠在半导体衬底上的层间绝缘层和半导体图案；导电图案，提供在彼此垂直相邻的层间绝缘层之间，并连接到半导体图案；以及保护结构，在堆叠结构之间覆盖半导体衬底的顶表面，其中保护结构的顶表面位于层间绝缘层中的最下面的层间绝缘层的顶表面和底表面之间。
三维半导体存储器件

[发明专利]具有掩埋栅极的半导体器件-CN202111043036.4在审
发明人：金熙中;权玟禹;韩相然;金尚元;金俊秀;申铉振;李殷奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：包括有源区的衬底、设置在衬底中的栅极沟槽中的栅极结构、设置在衬底上并在栅极结构的一侧电连接到有源区的位线以及设置在位线上并在栅极结构的另一侧电连接到有源区的电容器。栅极结构包括：设置在栅极沟槽的底表面和内侧表面上的栅极电介质层、在栅极沟槽的下部中设置在栅极电介质层上的导电层、在导电层的上表面上设置在栅极电介质层上的侧壁绝缘层、设置在导电层上的石墨烯层以及设置在石墨烯层上在侧壁绝缘层之间的掩埋绝缘层。
具有掩埋栅极半导体器件

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN202110483367.3在审
发明人：崔贤根;金恩知;文钟淏;文泂烈;俞瀚植;李基硕;郑承宰;安泰炫;韩相然;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：提供了三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置可以包括：第一基底，包括位线连接区和字线连接区；单元阵列结构，位于第一基底上；第二基底，包括第一核心区和第二核心区，第一核心区与位线连接区叠置，第二核心区与字线连接区叠置；以及外围电路结构，位于第二基底上。
三维半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器件-CN202110829327.X在审
发明人：崔贤根;文钟淏;俞瀚植;李基硕;张诚桓;郑承宰;郑义撤;安泰炫;韩相然;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：半导体存储器件可以包括：外围电路结构，该外围电路结构包括在第一区域中集成在半导体衬底上的外围电路和设置在第二区域中的第一键区；堆叠，提供在外围电路结构的第一区域上，该堆叠包括在第一方向上延伸并垂直地堆叠的多条第一导电线；覆盖该堆叠的上绝缘层；提供在上绝缘层上的互连层；穿透插塞，与堆叠间隔开，并且被提供为穿透上绝缘层以将互连层连接到外围电路结构的外围电路；模制结构，提供在外围电路结构的第二区域上，并且在第一方向上与堆叠间隔开；以及穿透结构，提供为穿透模制结构并与第一键区垂直地重叠。
半导体存储器件

[实用新型]三维半导体存储器装置-CN202120937988.X有效
发明人：崔贤根;金恩知;文钟淏;文泂烈;俞瀚植;李基硕;郑承宰;安泰炫;韩相然;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：提供了三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置可以包括：第一基底，包括位线连接区和字线连接区；单元阵列结构，位于第一基底上；第二基底，包括第一核心区和第二核心区，第一核心区与位线连接区叠置，第二核心区与字线连接区叠置；以及外围电路结构，位于第二基底上。因此，三维半导体存储器装置具有改善的可靠性和增大的集成密度。
三维半导体存储器装置

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN202010801170.5在审
发明人：慎重赞;金昌圭;金熙中;慎一縡;安泰炫;李基硕;赵银珠;崔贤根;朴成珉;李雅蓝;韩相然;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置包括：第一半导体图案，第一半导体图案在基底上彼此竖直地分隔开，每个第一半导体图案包括彼此分隔开的第一端部和第二端部以及彼此分隔开以连接第一端部和第二端部的第一侧表面和第二侧表面；第一源/漏区和第二源/漏区，设置在每个第一半导体图案中并且分别与第一端部和第二端部相邻；沟道区，位于每个第一半导体图案中并且在第一源/漏区与第二源/漏区之间；第一字线，与第一侧表面和沟道区相邻并且竖直地延伸；以及栅极绝缘层，置于第一字线与第一侧表面之间。栅极绝缘层可以延伸，以置于第一源/漏区之间。
三维半导体存储器装置

[发明专利]半导体器件-CN202010867759.5在审
发明人：李相昊;金恩娥;李基硕;崔宰福;金根楠;安容奭;全辰桓;韩相然;韩成熙;韩昇煜;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：器件隔离层，限定第一有源区域和第二有源区域；掩埋接触件，连接到第二有源区域；以及第一位线结构和第二位线结构，设置在第一有源区域和第二有源区域上。第一位线结构和第二位线结构中的每个包括位线接触部分和位线通过部分。位线接触部分电连接到第一有源区域。位线通过部分设置在器件隔离层上。掩埋接触件的最低部分的高度比位线通过部分的最低部分的高度小。掩埋接触件的最低部分的高度比位线接触部分的最低部分的高度大。位线通过部分的下端掩埋在第二有源区域中。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710930511.7有效
发明人：崔炳德;徐廷宇;韩相然;郑铉雨;金弘来;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310159593.1有效
发明人：崔炳德;徐廷宇;韩相然;郑铉雨;金弘来;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]四晶体管电路布局、集成电路场效应晶体管和半导体器件-CN201110183551.2有效
发明人：蔡教锡;山田悟;韩相然;崔荣振;金煜济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供四晶体管布局、集成电路场效应晶体管和半导体器件。四晶体管布局可以包括定义有源区的隔离区，该有源区沿不同的第一方向和第二方向延伸。四个晶体管的公共源区从有源区的中心沿第一方向和第二方向两者延伸以定义有源区的在公共源区之外的四个象限。提供四个漏区，各个漏区在所述四个象限的相应一个中且与公共源区间隔开。最后，提供四个栅电极，各个栅电极在四个象限的相应一个中在公共源区与四个漏区中的相应一个之间。各个栅电极包括顶点以及第一延伸部分和第二延伸部分，该第一延伸部分从该顶点沿第一方向延伸，该第二延伸部分从该顶点沿第二方向延伸。
晶体管电路布局集成电路场效应半导体器件

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