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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器件-CN202010348098.5有效
发明人：慎重赞;金志永;金熙中;安泰炫;赵银珠;崔贤根;韩相然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B41/10 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器件，其包括：堆叠结构，包括垂直地堆叠在衬底上的层，每个层包括在第一方向上延伸的位线和在第二方向上从位线延伸的半导体图案；栅电极，在穿透堆叠结构的孔中，并沿着半导体图案的堆叠延伸；垂直绝缘层，覆盖栅电极并填充孔；以及数据存储元件，电连接到半导体图案。数据存储元件包括第一电极和第二电极，第一电极在垂直绝缘层的第一凹陷中并具有其一端敞开的圆筒形状，第二电极包括在第一电极的圆筒中的第一突起和在垂直绝缘层的第二凹陷中的第二突起。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储器件-CN202211547941.8在审
发明人：李基硕;姜泰逵;金根楠;朴成珉;安泰炫;李常铉;张殷硕;郑文泳;郑义撤;崔贤根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：字线，平行于半导体基板的顶表面延伸；沟道图案，与字线交叉并具有平行于所述顶表面的长轴；位线，垂直于所述顶表面延伸并与沟道图案的第一侧表面接触；以及数据存储元件，与沟道图案的与第一侧表面相反的第二侧表面接触。沟道图案包括与位线相邻的第一掺杂区域、与数据存储元件相邻的第二掺杂区域以及在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间并与字线重叠的沟道区域。第一掺杂区域和第二掺杂区域中的至少一个包括与沟道区域相邻的低浓度区域和与沟道区域间隔开的高浓度区域。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储器件-CN202111338530.3在审
发明人：崔贤根;李基硕;郑承宰;慎重赞;安泰炫;郑文泳;韩相然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：位线，在基板上在垂直方向上延伸；晶体管主体部分，包括在第一水平方向上依次布置的第一源极‑漏极区、单晶沟道层和第二源极‑漏极区，并且连接到位线；栅电极层，在垂直于第一水平方向的第二水平方向上延伸；栅极电介质层，在栅电极层和单晶沟道层之间并覆盖单晶沟道层的至少上表面和下表面；以及单元电容器，包括下电极层、电容器电介质层和上电极层，在第一水平方向上在晶体管主体的与位线相反的一侧并且连接到第二源极‑漏极区。
半导体存储器件

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN202110483367.3在审
发明人：崔贤根;金恩知;文钟淏;文泂烈;俞瀚植;李基硕;郑承宰;安泰炫;韩相然;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：提供了三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置可以包括：第一基底，包括位线连接区和字线连接区；单元阵列结构，位于第一基底上；第二基底，包括第一核心区和第二核心区，第一核心区与位线连接区叠置，第二核心区与字线连接区叠置；以及外围电路结构，位于第二基底上。
三维半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器件-CN202110829327.X在审
发明人：崔贤根;文钟淏;俞瀚植;李基硕;张诚桓;郑承宰;郑义撤;安泰炫;韩相然;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：半导体存储器件可以包括：外围电路结构，该外围电路结构包括在第一区域中集成在半导体衬底上的外围电路和设置在第二区域中的第一键区；堆叠，提供在外围电路结构的第一区域上，该堆叠包括在第一方向上延伸并垂直地堆叠的多条第一导电线；覆盖该堆叠的上绝缘层；提供在上绝缘层上的互连层；穿透插塞，与堆叠间隔开，并且被提供为穿透上绝缘层以将互连层连接到外围电路结构的外围电路；模制结构，提供在外围电路结构的第二区域上，并且在第一方向上与堆叠间隔开；以及穿透结构，提供为穿透模制结构并与第一键区垂直地重叠。
半导体存储器件

[实用新型]三维半导体存储器装置-CN202120937988.X有效
发明人：崔贤根;金恩知;文钟淏;文泂烈;俞瀚植;李基硕;郑承宰;安泰炫;韩相然;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：提供了三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置可以包括：第一基底，包括位线连接区和字线连接区；单元阵列结构，位于第一基底上；第二基底，包括第一核心区和第二核心区，第一核心区与位线连接区叠置，第二核心区与字线连接区叠置；以及外围电路结构，位于第二基底上。因此，三维半导体存储器装置具有改善的可靠性和增大的集成密度。
三维半导体存储器装置

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN202010801170.5在审
发明人：慎重赞;金昌圭;金熙中;慎一縡;安泰炫;李基硕;赵银珠;崔贤根;朴成珉;李雅蓝;韩相然;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置包括：第一半导体图案，第一半导体图案在基底上彼此竖直地分隔开，每个第一半导体图案包括彼此分隔开的第一端部和第二端部以及彼此分隔开以连接第一端部和第二端部的第一侧表面和第二侧表面；第一源/漏区和第二源/漏区，设置在每个第一半导体图案中并且分别与第一端部和第二端部相邻；沟道区，位于每个第一半导体图案中并且在第一源/漏区与第二源/漏区之间；第一字线，与第一侧表面和沟道区相邻并且竖直地延伸；以及栅极绝缘层，置于第一字线与第一侧表面之间。栅极绝缘层可以延伸，以置于第一源/漏区之间。
三维半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器件-CN202010824227.3在审
发明人：申东石;金志永;安皓均;李灿旻;赵银珠;金熙中;慎重赞;安泰炫;崔贤根;黄有商;李基硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：具有单元区域和接触区域的衬底，接触区域具有外围电路区域；在单元区域上的第一堆叠和第二堆叠；以及在外围电路区域上的第一外围晶体管。第一堆叠和第二堆叠中的每个包括：半导体图案，在垂直方向上堆叠在单元区域上；位线，在垂直方向上堆叠在单元区域上并分别连接到半导体图案的第一端，每条位线在相对于衬底的上表面的水平方向上从单元区域延伸到接触区域；以及字线，与半导体图案相邻地设置并在垂直方向上从衬底的单元区域延伸。第一外围晶体管设置在第一堆叠的位线和第二堆叠的位线之间。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储器器件-CN202010756097.4在审
发明人：金熙中;安泰炫;李基硕;金根楠;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种半导体存储器器件包括：堆叠，包括垂直地堆叠在衬底上的多个单元层，每个单元层包括在第一方向上延伸的位线和在与第一方向交叉的第二方向上从位线延伸的半导体图案；栅电极，沿着垂直地堆叠的半导体图案中的每个；垂直绝缘层，在栅电极上；停止物层；以及数据存储元件，分别电连接到半导体图案中的每个。数据存储元件中的每个包括：第一电极，电连接到半导体图案中的相应半导体图案；在第一电极上的第二电极；以及电介质层，在第一电极与第二电极之间。停止物层在垂直绝缘层与第二电极之间。
半导体存储器器件

[发明专利]半导体存储器装置-CN201911035132.7在审
发明人：金熙中;赵珉熙;金俊秀;安泰炫;禹东秀;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：堆叠结构，具有竖直堆叠在基底上的多个层，每个层包括：第一位线和栅极线，在第一方向上延伸，第一半导体图案，在第一位线和栅极线之间沿第二方向延伸，第二方向与第一方向交叉，以及第二半导体图案，跨越第一栅极绝缘层与栅极线相邻，第二半导体图案在第一方向上延伸；第一字线，与第一半导体图案相邻并从基底在第三方向上竖直延伸，第三方向与第一方向和第二方向垂直；第二位线，连接到第二半导体图案的一端并从基底在第三方向上竖直延伸；以及第二字线，连接到第二半导体图案的另一端并在第三方向上竖直延伸。
半导体存储器装置

[发明专利]非电力环境测量设备-CN201610642862.3在审
发明人：陈惠映;安泰炫;李东贤 -专利权人：白安妮有限公司;山林厅国立树木园
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：根据本发明提供一种非电力环境测量设备，其特征在于包括上部遮蔽部(100)；壳体(200)，其从所述上部遮蔽部(100)下面向下延长而形成；传感器部(300)，其安装在所述壳体(200)；以及翼部(400)，其通过以所述壳体(200)作为轴进行旋转，从而将气体传递到所述传感器部(300)。
电力环境测量设备

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