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[发明专利]用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备-CN201711188432.X有效
发明人：申铉振;宋伣在;李珉贤;赵连柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片和钝化部件。所述表膜膜片可包括具有缺陷的基于碳的材料。所述钝化部件可覆盖所述基于碳的材料的缺陷。所述钝化部件可包括无机材料。所述钝化部件可设置在所述表膜膜片的一个或两个表面上。所述用于光掩模的表膜可应用于极紫外(EUV)光刻。
用于光掩模包括模版光刻曝光设备

[发明专利]纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法-CN202210207355.2在审
发明人：金尚元;卞卿溵;赵连柱;申建旭;李殷奎;李昌锡;宋伣在;申铉振;尹祯秀;李昭荣;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：提供纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法。所述纳米晶石墨烯可包括通过堆叠多个石墨烯片而形成的多个晶粒并且具有约500ea/μm2或更高的晶粒密度和在约0.1或更大至约1.0或更小的范围内的均方根(RMS)粗糙度。当所述纳米晶石墨烯具有在这些范围内的晶粒密度和RMS粗糙度时，可提供能够作为薄层覆盖基底上的整个大面积的纳米晶石墨烯。
纳米晶石形成方法

[发明专利]用XPS计算石墨层厚度和测量硅碳化物含量的方法-CN202110333720.X在审
发明人：李殷奎;赵连柱;金尚元;卞卿溵;宋伣在;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了通过使用X射线光电子能谱(XPS)来测量石墨烯层的厚度的方法和测量硅碳化物的含量的方法。计算直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度的方法包括：通过使用从石墨烯层发射的光电子束的信号强度与从硅衬底发射的光电子束的信号强度之间的比值来测量直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度。
xps 计算石墨厚度测量碳化物含量方法

[发明专利]场效应晶体管-CN202011501211.5在审
发明人：李珉贤;薛珉洙;赵连柱;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供了场效应晶体管。一种场效应晶体管包括基板、在基板上且在第一方向上彼此间隔开的源电极和漏电极、多个沟道层、围绕所述多个沟道层中的每个的栅绝缘膜、以及围绕栅绝缘膜的栅电极。所述多个沟道层中的每个具有接触源电极和漏电极的端部。所述多个沟道层在远离基板的第二方向上彼此间隔开。所述多个沟道层包括2D半导体材料。
场效应晶体管

[发明专利]硬掩模组合物和使用所述硬掩模组合物形成图案的方法-CN201610028493.9有效
发明人：申铉振;金尚元;薛珉洙;朴晟准;赵连柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及硬掩模组合物和使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。硬掩模组合物可包括具有在约5nm‑约100nm范围内的尺寸的石墨烯纳米颗粒和溶剂。
模组使用述硬掩形成图案方法

[发明专利]垂直型晶体管、包括其的反相器及垂直型半导体器件-CN202110280227.6在审
发明人：李珉贤;薛珉洙;赵连柱;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：示例实施方式提供了垂直型晶体管、包括其的反相器和包括其的垂直型半导体器件。垂直型晶体管包括：基板；提供在基板上的第一源/漏电极层；第二源/漏电极层，提供在第一源/漏电极层之上；第一栅电极层，提供在第一源/漏电极层和第二源/漏电极层之间；穿过第一栅电极层的第一栅绝缘膜；孔，穿过第二源/漏电极层、第一栅绝缘膜和第一源/漏电极层；以及提供在该孔的侧面上的第一沟道层，其中第一沟道层可以包括2D半导体。
垂直晶体管包括反相器半导体器件

[发明专利]包括二维半导体材料的半导体器件-CN202011535102.5在审
发明人：李珉贤;薛珉洙;赵连柱;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，其使用二维半导体材料作为沟道层。该半导体器件包括：在衬底上的栅电极；在栅电极上的栅极电介质；在栅极电介质上的沟道层；以及源电极和漏电极，可以电连接到沟道层。栅电极具有高度大于宽度的形状，并且沟道层包括二维半导体材料。
包括二维半导体材料半导体器件

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN202011576877.7在审
发明人：李珉贤;薛珉洙;张镐元;赵连柱;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供场效应晶体管及其制造方法，该场效应晶体管包括具有二维材料的栅绝缘层。该场效应晶体管可以包括：第一沟道层；设置在第一沟道层上的第二沟道层；设置在第二沟道层上的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上的栅电极；电连接到第一沟道层的第一电极；以及电连接到第二沟道层的第二电极。这里，栅绝缘层可以包括绝缘高k二维材料。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法-CN202010679035.8在审
发明人：卞卿溵;金亨燮;朴台镇;金会俊;申铉振;安元植;M.林;赵连柱 -专利权人：三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。
衬底形成过渡金属二硫族化物薄膜方法

[实用新型]接地线的连接装置-CN202020162509.7有效
发明人：苏占江;张国志;郑双建;杨立华;杨漫漫;柳海霞;韩非;林春录;陈永红;赵连柱 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01R4/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种接地线的连接装置，属于变电站倒闸操作技术领域。包括：接地极组件和接地桩，接地极组件包括接地导线连接件和设置在其上的弹性缓冲件、接地极卡件和固定件，其中，弹性缓冲件的一端与固定件接触；接地导线连接件上开设有固设接地导线的第一连接孔，接地极卡件的另一端开设有用于与锁件配合的锁紧孔，装置被配置为使用时，开设有锁紧孔的接地极卡件的一端穿过接地桩上开设有的第一固定孔后露出在第一固定孔的一侧，接地极卡件和弹簧缓冲件未穿过第一固定孔而位于第一固定孔的另一侧，弹性缓冲件被压缩，锁件穿入锁紧孔。该装置仅需摁压接地极卡件和穿入锁件，解决了相关技术中倒闸操作时间长，操作人员劳动强度大的问题。
接地线连接装置

[发明专利]包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件-CN201610601246.3有效
发明人：宋伣在;南胜杰;朴晟准;申建旭;申铉振;李载昊;李昌锡;赵连柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。
包括扩散阻挡多层结构器件电子器件

[发明专利]互连结构和包括该互连结构的电子器件-CN201910012228.5在审
发明人：卞卿溵;申建旭;金勇勋;申铉振;宋伣在;李昌锡;金昌炫;赵连柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。
互连结构导电布线纳米晶石墨烯盖层电介质层电子器件填充

[实用新型]电隔离装置及电力系统-CN201822271503.9有效
发明人：苏占江;唐桂玲;宁立军;张建忠;王洪军;赵连柱;谢晋 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01H3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电隔离装置及电力系统，属于机械技术领域。电隔离装置包括：操作杆(01)和隔离开关(02)，操作杆(01)具有第一卡接部(A)，隔离开关(02)具有操作孔(021)，且操作孔(021)内具有第二卡接部(B)；操作杆(01)能够插入操作孔(021)，且在操作杆(01)插入操作孔(021)内时，第一卡接部(A)与第二卡接部(B)卡接。本实用新型解决了无法有效地对开关柜设备与其他设备的电连接状态进行控制，并且操作杆掉落过程中还有可能会误伤工作人员的问题，本实用新型用于电隔离装置。
操作杆电隔离装置卡接部本实用新型插入操作电力系统隔离开关操作孔机械技术领域电连接状态开关柜设备误伤有效地掉落卡接

[实用新型]接地装置-CN201822273368.1有效
发明人：苏占江;唐桂玲;张建忠;赵连柱;宁立军;王洪军;谢晋 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01R11/22 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种接地装置，属于机械技术领域。所述接地装置包括：由导电材料构成的连接组件，连接组件包括支架以及3个夹板，3个夹板包括两个与支架固定连接的固定夹板，以及一个位于两个固定夹板之间的活动夹板，活动夹板通过弹簧与一个固定夹板连接，两个固定夹板在活动夹板所在平面上的正投影与活动夹板存在重叠，支架上设置有地线连接端；连接杆，连接杆与支架连接，且与支架绝缘；滑轮组件和拉绳，滑动组件在活动夹板连接的固定夹板远离活动夹板的一侧与活动夹板连接的固定夹板连接，拉绳与滑轮组件配合且一端与活动夹板连接有弹簧的一侧连接。本实用新型提高了接地装置与静触头连接稳定性。本实用新型用于对待检修设备接地。
固定夹板活动夹板接地装置活动夹板连接本实用新型支架夹板滑轮组件连接组件连接杆弹簧拉绳机械技术领域连接稳定性导电材料地线连接滑动组件检修设备所在平面支架固定支架连接接地静触头正投影绝缘配合

[实用新型]接地线装设装置-CN201821707842.0有效
发明人：苏占江;唐桂玲;刘淑梅;赵连柱;龙家文 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01R11/11 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种接地线装设装置，属于电力系统领域。接地线装设装置包括：由导电材料构成的连接组件，连接组件包括支架以及互相平行的3个夹板，3个夹板包括两个与支架固定连接的固定夹板，以及一个位于两个固定夹板之间的活动夹板，活动夹板通过弹簧与一个固定夹板连接，两个固定夹板在活动夹板所在平面上的正投影与活动夹板存在重叠，支架上设置有地线连接端；连接杆与所述支架连接，且与支架绝缘；控制组件与活动夹板连接有弹簧的一侧连接，控制组件与活动夹板绝缘。接地线与静触头之间的连接较为稳定。解决了相关技术中接地线与静触头的连接的稳定性较差的问题，达到了提高接地线与静触头连接的稳定性的效果。
活动夹板固定夹板接地线装设接地线静触头支架夹板控制组件连接组件弹簧绝缘电力系统领域活动夹板连接本实用新型导电材料地线连接互相平行所在平面支架固定支架连接连接杆正投影

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