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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201811248928.6有效
发明人：李根;李正吉;金度亨;柳成男;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上交替堆叠牺牲层和层间绝缘层，以形成堆叠结构；形成穿透堆叠结构的沟道；形成穿透堆叠结构的分离区；通过去除穿过分离区的牺牲层来形成横向开口；以及在横向开口中形成栅电极。形成栅电极可以包括：通过供应源气体和第一反应气体在横向开口中形成成核层，以及通过供应源气体和与第一反应气体不同的第二反应气体在成核层上形成体层以填充横向开口。第一反应气体可以从储存在充气单元中并从充气单元供应的第一反应气体源供应。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810818513.1有效
发明人：李根;李正吉;金度亨;尹基炫;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：提供半导体器件及其形成方法。该半导体器件可以包括：多个栅电极，其层叠在衬底上并且在垂直方向上彼此间隔开；以及沟道区域，其在所述垂直方向上延伸穿过所述多个栅电极。所述多个栅电极中的每一个可以包括：第一导电层，其限定朝向所述沟道区域凹入的凹陷；以及第二导电层，其位于由所述第一导电层限定的所述凹陷中。第二导电层中的杂质的第一浓度可以高于第一导电层中的杂质的第二浓度，并且所述杂质可以包括氮(N)。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体存储器件和导体结构-CN201810749616.7有效
发明人：韩赫;朴济宪;金度亨;金台镛;李根;李正吉;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：提供了半导体存储器件和导体结构。该半导体存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的栅电极结构、在栅电极结构之间的绝缘图案、穿透栅电极结构和绝缘图案的垂直沟道、以及数据存储图案。垂直沟道可以电连接到衬底。数据存储图案可以布置在栅电极结构与垂直沟道之间。栅电极结构的每个可以包括壁垒膜、金属栅极和晶粒边界填塞层。晶粒边界填塞层可以在壁垒膜与金属栅极之间。
半导体存储器件导体结构

[发明专利]包括上喷头和下喷头的沉积设备-CN201811267563.1有效
发明人：徐枝延;朴柄善;朴星津;任智芸;林炫锡;田炳好;姜有善;权赫镐;严太镕;崔大宪;河东协 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种用于在晶圆上沉积材料的沉积设备，该设备包括：下喷头；上喷头，设置在所述下喷头上方，所述上喷头面对所述下喷头；以及支撑结构，位于所述上喷头与所述下喷头之间，所述晶圆能够被所述支撑结构支撑，其中，所述上喷头包括用于向所述晶圆上提供上部气体的上孔，所述下喷头包括用于向所述晶圆上提供下部气体的下孔，所述支撑结构包括：环形体，围绕所述晶圆；多个环支撑轴，位于所述环形体与所述下喷头之间；以及多个晶圆支撑件，从环形体的下部区域向内延伸以支撑晶圆，并且多个晶圆支撑件彼此间隔开。
包括喷头沉积设备

[发明专利]包括上喷头和下喷头在内的沉积装置-CN201811268189.7有效
发明人：朴柄善;徐枝延;任智芸;林炫锡;田炳好;姜有善;权赫镐;朴星津;严太镕;河东协 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种沉积装置，包括：上喷头和下喷头，位于处理腔室内，所述上喷头和所述下喷头面向彼此；支撑结构，位于所述上喷头和所述下喷头之间，用于支撑晶圆，所述支撑结构连接到所述下喷头；以及等离子体处理区域，位于由所述支撑结构支撑的晶圆和所述下喷头之间，其中，所述下喷头包括下孔，用于向所述晶圆的方向喷射下部气体，所述上喷头包括上孔，用于向所述晶圆的方向喷射上部气体，以及所述支撑结构包括通孔部，用于将通过所述下孔喷射的下部气体的一部分排放到所述支撑结构和所述上喷头之间的空间中。
包括喷头在内沉积装置

[发明专利]纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法-CN202210207355.2在审
发明人：金尚元;卞卿溵;赵连柱;申建旭;李殷奎;李昌锡;宋伣在;申铉振;尹祯秀;李昭荣;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：提供纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法。所述纳米晶石墨烯可包括通过堆叠多个石墨烯片而形成的多个晶粒并且具有约500ea/μm2或更高的晶粒密度和在约0.1或更大至约1.0或更小的范围内的均方根(RMS)粗糙度。当所述纳米晶石墨烯具有在这些范围内的晶粒密度和RMS粗糙度时，可提供能够作为薄层覆盖基底上的整个大面积的纳米晶石墨烯。
纳米晶石形成方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202210637213.X在审
发明人：韩赫;朴济宪;尹基炫;李彰原;林炫锡;河周延 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供了制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610756035.7有效
发明人：韩赫;朴济宪;尹基炫;李彰原;林炫锡;河周延 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]布线结构以及包括其的半导体器件-CN202111031346.4在审
发明人： 林炫锡;赵玟赫;卞卿溵;申铉振;山本薰;尹祯秀;李昭荣;郑根吾 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供一种布线结构和包括该布线结构的半导体器件。该布线结构包括在衬底上的包括掺杂多晶硅的第一导电图案、在第一导电图案上的包括金属硅化物的欧姆接触图案、在欧姆接触图案上的包括金属硅氮化物的防氧化图案、在防氧化图案上的包括石墨烯的扩散阻挡物、以及在扩散阻挡物上的包括金属的第二导电图案。
布线结构以及包括半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202110932691.9在审
发明人：李将银;李民妵;金完敦;申铉振;李贤培;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括元件隔离层，所述元件隔离层限定有源区；多条字线，所述多条字线在第一方向上横贯所述有源区；和多个位线结构，所述多个位线结构位于所述衬底上并且连接到所述有源区，所述多个位线结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述多个位线结构中的每一个位线结构包括：钌线路布线，所述钌线路布线包括底表面和与所述底表面相对的顶表面；下石墨烯层，所述下石墨烯层与所述钌线路布线的所述底表面接触并且沿着所述钌线路布线的所述底表面延伸；以及布线覆盖层，所述布线覆盖层沿着所述钌线路布线的所述顶表面延伸。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710328970.8有效
发明人：韩赫;任智芸;金度亨;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层、以及插置在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间的水平导电图案。垂直结构延伸穿过第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和水平导电图案。第一层间绝缘层和第二层间绝缘层中的每个具有含不同杂质浓度的区域。
半导体器件

[发明专利]使用蚀刻停止层的存储器装置-CN201710804253.8有效
发明人：李正吉;金知勇;李呈焕;边大锡;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置。存储器装置可以包括：栅极结构，包括在基底上交替地堆叠的多个栅电极层和多个绝缘层；多个蚀刻停止层，在所述多个栅电极层的各个下部上，分别从所述多个绝缘层延伸；多个接触件，分别连接到在蚀刻停止层的上部上方的所述多个栅电极层，其中，所述多个蚀刻停止层中的各个蚀刻停止层包括在其中的气隙。
使用蚀刻停止存储器装置

[发明专利]具有三嗪-哌嗪主链的α-螺旋类似物及其制备方法-CN201480081313.2有效
发明人： 林炫锡;吴美淑;鹃·Q·霍安;王卫 -专利权人：株式会社POSCO;浦项工科大学校产学协力团
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C07D403/14 文献下载
摘要：本发明涉及作为α‑螺旋类似物的具有三嗪‑哌嗪主链的化合物。所述化合物高效地模拟作为蛋白质二级结构的α‑螺旋结构，并因此可充当由α‑螺旋介导的多种疾病特异性蛋白质相互作用的抑制剂。因此，该化合物非常有利地用作生物探针并且具有作为疾病治疗剂的高潜力。
具有哌嗪主链螺旋类似物及其制备方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201811024862.2在审
发明人：严太镕;任智芸;朴柄善;林炫锡;姜有善;权赫镐;朴星津;徐枝延;河东协 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：提供非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法。非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及延伸穿过该堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜当中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。
非易失性存储器件选择线导电膜衬底堆叠结构垂直沟道结构层间绝缘膜顺序堆叠延伸穿过交替的堆叠制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310128627.0在审
发明人：李正吉;林泰洙;林炫锡;尹基炫;韩赫;李明范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；第一多晶硅图案，在该衬底上；金属图案，在该第一多晶硅图案上；以及界面层，在该第一多晶硅图案与该金属图案之间。该界面层可包括从金属－硅氮氧化物层、金属－硅氧化物层以及金属－硅氮化物层的组中选择的至少之一。
半导体器件及其制造方法

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