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[发明专利]直流-直流转换器-CN202280009608.3在审
发明人：裵善镐;李载昊 -专利权人： LS电气株式会社
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H02H3/087 文献下载
摘要：直流‑直流转换器包括：驱动部，包括开关部和飞跨电容器，以将输入侧的输入电压转换为输出侧的输出电压；以及保护部，连接于输出侧。在发生事故时，保护部逐步降低输出电压来切断流向开关部的事故电流。
直流转换器

[发明专利]包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器-CN201711443369.X有效
发明人： 李载昊;申铉振;李东郁;朴晟准;李基荣;李殷奎;赵常玹;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。
包括石墨量子光学传感器图像传感器

[发明专利]固态绝缘开关-CN202180038140.6在审
发明人：沈政煜;李载昊;宋雄侠;康圣熙 -专利权人： LS电气株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明涉及利用半导体的固态绝缘开关，本发明实施例的固态绝缘开关包括：主电路部，连接在两侧系统之间，该主电路部的第一半导体开关和第二半导体开关串联地配置；缓冲电路，该缓冲电路的电容器和电阻串联地配置，一端与所述第一半导体开关的前端并联连接，另一端与所述第二半导体开关的后端并联连接；续流电路，该续流电路的二极管和电阻串联地配置，一端与所述第一半导体开关和所述第二半导体开关之间的共同接点连接而另一端与接地连接；以及机械式开关，用于在断开故障电流之后确保物理绝缘。通过这种电路结构，不仅能够实现双向故障电流的断开，而且同时稳定地消耗断开时因两侧系统电感产生的能量，从而能够保护半导体开关。
固态绝缘开关

[发明专利]电容器以及包括该电容器的半导体装置-CN202111375817.3在审
发明人： 李载昊;赵龙僖;张胜愚;朴影根;李周浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本公开提供了电容器以及包括该电容器的半导体装置。一种电容器包括：第一电极；与第一电极间隔开的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。电介质层可以包括：基底材料，其包括基底金属的氧化物，该基底材料具有约2至约70的介电常数；和共掺杂剂，包括3族元素和5族元素。3族元素可以包括Sc、Y、B、Al、Ga、In和/或Tl，5族元素可以包括V、Nb、Ta、N、P、As、Sb和/或Bi。
电容器以及包括半导体装置

[发明专利]电力转换系统的DC-DC转换器-CN202080051964.2在审
发明人：裵善镐;李载昊 -专利权人： LS电气株式会社
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：公开了一种电力转换系统的DC‑DC转换器。本发明的拓扑包括：串联的第一开关至第四开关；串联的第五开关至第八开关；并联到所述第一开关和第二开关的串联的第一电容器；并联到所述第五开关和第六开关的串联的第二电容器；并联到所述第三开关和第四开关的串联的第三电容器；并联到所述第七开关和第八开关的串联的第四电容器；第一电感器，其电连接于所述第一开关与第二开关之间的第一节点和所述第五开关与第六开关之间的第二节点；以及第二电感器，其电连接于所述第三开关与第四开关之间的第三节点和所述第七开关与第八开关之间的第四节点，所述第一电感器和第二电感器是耦合电感器，所述第二开关与第三开关之间的第五节点和所述第六开关与第七开关之间的第六节点电等效。
电力转换系统 dc 转换器

[发明专利]过电流保护装置以及使用该装置的电力转换装置-CN202080052271.5在审
发明人：裵善镐;李载昊 -专利权人： LS电气株式会社
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H02H7/122 文献下载
摘要：本发明公开一种过电流保护装置以及使用该装置的电力转换装置。本发明一实施例的电力转换装置包括：控制部，通过第一输出节点向开关元件提供集电极‑发射极电压；以及过电流保护电路，串联连接在所述第一输出节点和所述开关元件之间，用于限制所述开关元件的过电流。
电流保护装置以及使用装置电力转换

[发明专利]电子装置、控制其的方法和包括其的晶体管-CN202110047413.5在审
发明人： 李载昊;朴报恩;金容诚;李周浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开提供了一种电子装置、控制其的方法和包括其的晶体管。该电子装置包括：第一电极；提供在第一电极上的第二电极；提供在第一电极和第二电极之间的铁电膜；以及提供在铁电膜和第二电极之间的电介质膜，铁电膜的阻抗和电介质膜的阻抗被确定为使得被施加在第一电极和第二电极之间的控制电压等于电容提升操作电压，并且电容提升操作电压由以下的方程式确定：其中VMAX是电容提升操作电压，Z1是铁电膜的阻抗，Z2是电介质膜的阻抗，tF是铁电膜的厚度，EFM是被施加到铁电膜的具有最大极化变化的电场。
电子装置控制方法包括晶体管

[发明专利]电容器、包括其的半导体器件和电子设备、以及制造电容器的方法-CN202011020909.5在审
发明人：宋政奎;金润洙;李载昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：公开电容器、包括其的半导体器件和电子设备、以及制造电容器的方法。所述电容器包括：底部电极；在所述底部电极上方的顶部电极；在所述底部电极和所述顶部电极之间的介电膜；以及在所述顶部电极和所述介电膜之间的掺杂Al2O3膜，其中所述掺杂Al2O3膜包括第一掺杂剂，并且包括与所述第一掺杂剂相同的元素的氧化物具有比Al2O3的介电常数高的介电常数。
电容器包括半导体器件电子设备以及制造方法

[发明专利]包括二维材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法-CN201610157055.2有效
发明人：许镇盛;李基荣;李相烨;李殷奎;李载昊;朴晟准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括：第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势，或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯，另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地，第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯，另一个可以包括金属性材料。
包括二维材料半导体器件以及制造方法

[发明专利]包括二维材料的电子器件以及制造该电子器件的方法-CN201510737327.1有效
发明人：罗昌皓;刘元钟;F.阿梅德;杨政;刘晓迟;朴晟准;李载昊 -专利权人：三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：电子器件包括具有带隙的二维(2D)材料层。该2D材料层包括两个多层2D材料区域和在其间的沟道区。第一电极电接触其中一个多层2D材料层，第二电极电接触另一个多层2D材料层。
包括二维材料电子器件以及制造方法

[发明专利]电子器件及其制造方法-CN201510765524.4有效
发明人：李珉贤;申铉振;李载昊;金海龙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了电子器件及其制造方法。该电子器件包括2D材料层以及彼此间隔开的第一电极和第二电极。2D材料层连接第一电极和第二电极。2D材料层包括多个2D纳米材料。2D纳米材料中的至少一些彼此交叠。
电子器件及其制造方法

[发明专利]包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件-CN201610601246.3有效
发明人：宋伣在;南胜杰;朴晟准;申建旭;申铉振;李载昊;李昌锡;赵连柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。
包括扩散阻挡多层结构器件电子器件

[发明专利]具有多位神经形态操作的神经形态方法和设备-CN201910821984.2在审
发明人：金成浩;金载兴;李载昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：一种配置为处理多位神经形态操作的神经形态设备，包括单个轴突电路、单个突触电路、单个神经元电路和控制器。单个轴突电路配置为接收n位轴突的第i位作为第一输入。单个突触电路配置为存储m位突触权重的第j位作为第二输入，并输出第一输入和第二输入之间的突触操作值。单个神经元电路配置为基于输出的突触操作值获得n位轴突和m位突触权重之间的多位神经形态操作结果的每个位值。控制器配置为分别确定对于不同时间段的每个时间段要顺序地分配给单个轴突电路和单个突触电路的第i位和第j位。
具有神经形态操作方法设备

[发明专利]包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法-CN201410433124.9有效
发明人： 李载昊;卞卿溵;宋俔在;申铉振;李珉贤;柳寅敬;朴晟准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法。石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道，通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此，在其中电压不施加到栅电极的截止状态中，由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒，载流子不会移动。结果，石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。
包括分离接触石墨器件及其制造方法

[发明专利]二维材料元件和半导体器件-CN201410616370.8有效
发明人：申铉振;朴晟准;李载昊;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明提供二维材料元件和半导体器件。根据示例实施方式，二维(2D)材料元件可以包括彼此化学地接合的第一2D材料和第二2D材料。第一2D材料可以包括第一金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以包括第二金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以接合至第一2D材料的侧面。2D材料元件可以具有PN结结构。2D材料元件可以包括具有不同带隙的多种2D材料。
二维材料元件半导体器件

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