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[实用新型]一种发光元件-CN201821768189.9有效
发明人：孙旭;范慧丽;陈翔;隗彪;包文晓;蔡吉明 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有绝缘保护层的发光元件，该发光元件包括支架、LED芯粒、金线、封装层，所述支架上表面设置有放置LED芯粒的凹陷部，所述支架包括相互绝缘的第一支架和第二支架，LED芯粒的至少一个电极通过金线与支架电极相连，所述LED芯粒通过固晶层固定于所述凹陷部内，所述封装层覆盖于所述LED芯粒的上方，其特征在于：所述封装层与所述支架、LED芯粒、金线之间还设置有一绝缘保护层。该绝缘保护层完全覆盖住整个LED芯粒和支架表面，达到保护芯粒的金属电极不被外界水汽接触造成电解迁移的目的。
支架绝缘保护层发光元件封装层金线凹陷部半导体技术领域本实用新型支架上表面电解迁移金属电极外界水汽支架表面支架电极电极保护芯固晶绝缘覆盖

[发明专利]一种图形化衬底及其制备方法-CN201610597887.6有效
发明人：寻飞林;张家宏;蔡吉明;林兓兓;李政鸿;曾双龙;吴洪浩;徐志军;李毕庆 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种图形化衬底及其制备方法，使用两次显影光刻的工艺，在增加图形高度及底座面积的同时获得适于外延生长的图形化衬底。具体技术方案为：S1、提供一基本衬底；S2、对所述基本衬底进行第一次蚀刻，得到具有周期性阵列的第一图案的图形化衬底，所述相邻第一图案底部边缘任意位置处的距离大于或等于0而小于或等于0.1微米；S3、对所述S2中的图形化衬底进行第二次蚀刻，得到具有周期性阵列的第二图案的图形化衬底，所述第二图案的底部边缘通过第二次蚀刻形成复数个蚀刻部，使得所述相邻第二图案底部边缘任意位置处的距离均大于0.1微米，以利于后续外延层的生长。
一种图形衬底及其制备方法

[实用新型]一种具有清洁功能的镀膜机-CN201821630784.6有效
发明人：罗士文;蔡家豪;査劲松;童伟;王兵;邱智中;蔡吉明 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备领域，涉及一种具有清洁功能的镀膜机，至少包括：腔体，位于腔体内侧顶部用于放置片源的金属承载盘，位于腔体外侧顶部并驱动金属承载盘旋转的第一驱动机构，位于腔体内侧底部的第二驱动机构，以及产生等离子体对片源进行镀膜的多个镀源机构，镀源机构通过第一升降杆与第二驱动机构连接，其特征在于：所述镀膜机还包括多个金属板，金属板通过第二升降杆与第二驱动机构连接，第二升降杆位于第一升降杆内部；所述镀膜机的内部还设置有进气孔和抽气孔。本实用新型通过对镀膜机进行改进，将传统的片源的清洁制程和镀膜制程集中于一体，避免了清洁后的片源在转移至镀膜机中时产生的二次脏污，简化了工艺流程。
镀膜机升降杆腔体驱动机构本实用新型清洁功能金属板镀膜镀源制程等离子体第一驱动机构半导体设备金属承载盘清洁工艺流程抽气孔传统的进气孔脏污盘旋承载金属驱动改进

[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法-CN201710391429.1有效
发明人：林继宏;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体发光元件，其至少包括衬底，以及位于所述衬底上的缓冲层、N型层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱发光层和P型层，其特征在于：于所述N型层和第一势垒层之间插入差排形成层，所述差排形成层包括交替层叠的In_xGa_1‑xN子层和n‑GaN子层，其中0.01xGa_1‑xN/n‑GaN周期性结构的差排形成层，差排形成层产生的差排密度及宽度会逐渐加深及增大而形成V型缺陷，进而影响差排密度，从而提高量子阱内量子效率。
一种半导体发光元件及其制备方法

[发明专利]一种多量子阱结构及其发光二极管-CN201710252090.7有效
发明人：江汉;蓝永凌;黄文宾;宋长伟;黄理承;寻飞林;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多量子阱结构及其发光二极管，该多量子阱结构包括应力释放层、电子收集层和发光层，所述发光层包括若干个交替生长的势垒层和势阱层，其中至少一个势垒层为GaN/Al_xIn_yGa_(1‑x‑y)N/GaN结构，0＜x≤1，0≤y＜1，其余势垒层为GaN结构；该发光二极管至少包括一衬底，及依次位于衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱结构层、电子阻挡层、P型层和P型接触层。本发明通过在多量子阱结构的各层中设置禁带宽度高于GaN的势垒层，相当于把现有结构中的电子阻挡层分散于多量子阱结构层中，对电子起到分散阻挡的作用，增强电子阻挡效果，改善大电流密度下电子溢流现象及由此引起的Droop效应，提高发光二极管的出光效率。
一种多量结构及其发光二极管

[实用新型]一种MOCVD设备的冷却装置-CN201821468148.8有效
发明人：董金矿;黄文宾;汪玉;周宏敏;史志结;林兓兓;蔡吉明 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种MOCVD设备的冷却装置，其至少包括放置石墨盘的底座，所述底座边缘凸起形成支撑架，其特征在于：所述底座上表面具有复数个间隔排列的支撑柱，所述支撑架和支撑柱用于承载石墨盘，所述支撑架内设置有贯通的冷却气体孔。本实用新型的冷却装置改变传统的单一水冷冷却方式，而采用支撑柱、冷却气体以及热传导结构对石墨盘上的晶片进行多种方式的快速冷却，从而提高冷却效率，提高LED的量产。
冷却装置石墨盘支撑架支撑柱本实用新型冷却气体半导体设备底座上表面热传导结构底座边缘间隔排列快速冷却冷却效率传统的复数晶片量产凸起底座承载贯通

[实用新型]一种刻蚀承载盘-CN201821361333.7有效
发明人：李君杰;蔡家豪;邱智中;蔡吉明 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体制造设备领域，尤其涉及一种具有导热槽的刻蚀承载盘，包括盘体和盖板，所述盘体上具有复数个放置晶片的晶片凹槽以及固定盖板的固定孔，所述盖板与晶片凹槽对应位置设置暴露晶片的通孔，其特征在于，所述盘体为铝盘，所述盘体表面设置有至少一个与盘中心呈同心圆排列的第一导热槽。本实用新型采用成本低、可塑性强、导热性能高铝材质盘体替代传统的碳化硅盘体，并且在铝盘体表面设置交叉的第一导热槽和第二导热槽，从而省略传统的置于晶片凹槽底部的氦气孔，一方面可以实现刻蚀承载盘的高效导热和散热，另一方面，同时改善了刻蚀时氦气孔中氦气吹气晶片而产生的刻蚀不均匀现象，以及提高了刻蚀速率。
刻蚀盘体导热槽晶片凹槽承载盘本实用新型传统的氦气孔盖板晶片铝盘半导体制造设备导热同心圆排列导热性能放置晶片固定盖板可塑性强盘体表面不均匀固定孔铝材质盘中心碳化硅体表面散热省略吹气复数氦气通孔暴露替代

[实用新型]一种多量子阱结构及其发光二极管-CN201821603752.7有效
发明人：蓝永凌;林兓兓;蔡吉明 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电技术领域，尤其涉及一种多量子阱结构及采用该多量子阱结构构成的发光二极管，本实用新型于势阱层之后，插入一层InAlGaN调节层来降低势阱层与势垒层之间的晶格失配，同时，于势阱层之后，利用InAlGaN调节层的高能障特征有效降低电子溢流。再利用势垒层第一AlGaN层/AlN层/第二AlGaN的结构逐步提高能障，可持续降低晶格失陪，降低电子溢流，提升多量子阱层的内量子效率，增加发光二极管的出光效率。
多量子阱结构发光二极管势阱层本实用新型调节层势垒层溢流光电技术领域多量子阱层内量子效率出光效率晶格失配再利用晶格能障半导体

[发明专利]微LED器件及其制作方法-CN201710638221.5有效
发明人：蔡家豪;郑烨;陈文志;钟丹丹;刘晶;邱智中;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种微LED器件及其制作方法，采用等离子体直接刻蚀外延片制作微米级的LED元件，无需转移LED元件，其中无需剥离衬底，而是直接在衬底内部开孔，形成通孔，作为负极的金属背板穿过通孔直接与外延片接触。而在制作衬底内的通孔时，采用纵向多次隐形切割和激光划片结合的方法，制作通孔，方法简单，操作方便。本发明设计了位于透明上盖板外周的金属触点作为正极，直接接通正、负极，可以实现点控LED元件的发光，从而无需在微米级的小尺寸LED元件进行打线及转移操作。
led 器件及其制作方法

[实用新型]一种多量子阱结构及其发光二极管-CN201821548054.1有效
发明人：徐志波;林兓兓;蔡吉明 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电技术领域，尤其涉及一种多量子阱结构及其发光二极管，该多量子阱结构由复数个发光基本单元交替层叠而成，其特征在于：每一个发光基本单元从下至上依次包括第一势阱层、第一势垒层、第二势阱层和第二势垒层，所述第一势垒层的厚度大于所述第二势垒层的厚度。本实用新型通过将多量子阱层设置成周期性结构，且每一周期均包含较厚的势垒层和薄的势垒层，其中，较厚的垒层且掺杂n型杂质，主要是修复晶体质量，同时n型掺杂提升电子注入浓度，降低电压提升亮度。较薄的垒层有利于电子空穴隧穿，提升空穴注入浓度，最终提升复合辐射效率。
势垒层多量子阱结构本实用新型发光二极管基本单元势阱层垒层发光光电技术领域空穴多量子阱层周期性结构电子空穴电子注入复合辐射降低电压交替层叠掺杂n型复数隧穿半导体修复

[实用新型]一种MOCVD机台尾气处理装置-CN201821129637.0有效
发明人：张飞;杨琳;郭晃亨;李政鸿;寻飞林;林兓兓;蔡吉明 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：一种MOCVD机台尾气处理装置，包括安装于MOCVD机台尾气管路端的颗粒过滤器、与所述颗粒过滤器连接的收纳冷凝液化物质的回收装置、与所述回收装置连接的热交换器，以及与所述回收装置连接的容纳有冷却源的冷源装置；所述颗粒过滤器、回收装置以及热交换器均为包括内腔室和外腔室的双层结构；其中所述回收装置的外腔室进口端连接于所述冷源装置的出口端；所述回收装置内腔室进口端连接于所述颗粒过滤器内腔室的出口端，所述回收装置内腔室出口端连接于所述热交换器内腔室进口端；所述热交换器内腔室出口端连接于外围管路；所述热交换器外腔室出口端连接于颗粒过滤器外腔室进口端，所述热交换器外腔室进口端连接于颗粒过滤器外腔室出口端。
回收装置颗粒过滤器外腔室出口端热交换器进口端内腔室机台热交换器内腔尾气处理装置冷源装置冷凝液化双层结构外围管路尾气管路收纳冷却源室出口室进口容纳

[实用新型]一种LED芯片结构-CN201821387931.1有效
发明人：孙旭;范慧丽;戴志祥;陈翔;蔡吉明 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种可提升抗静电能力LED芯片结构，其至少包括衬底；位于衬底上的N型半导体层；位于N型半导体层上的多量子阱层；位于多量子阱层上的P型半导体层；位于P型半导体层上的电流阻挡层；以及位于N型半导体层上的N型电极和位于透明导电层上的P型电极，其特征在于：所述P型电极设置有一引脚线沿一水平轴延伸，所述引脚线的末端设置有一截止引脚，所述截止引脚为闭合的环状结构。
多量子阱层引脚线衬底引脚半导体技术领域截止本实用新型电流阻挡层抗静电能力透明导电层闭合环状结构延伸

[发明专利]一种半导体元件及其制备方法-CN201510564961.X有效
发明人：周圣伟;卓昌正;林兓兓;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体元件，包括具有Al_xN_1‑x层和Al_yO_1‑y层（0＜x＜1，0＜y＜1）的超晶格结构缓冲层，所述超晶格结构缓冲层在芯片制程的侧壁腐蚀过程中，可减小化学溶液的腐蚀程度，提高芯片良率。同时提出一种制备方法，制备该超晶格结构缓冲层，实现本发明效果。
一种半导体元件及其制备方法

[发明专利]一种具有侧壁反射层的发光二极管制备方法及发光二极管-CN201710273545.3有效
发明人：蔡家豪;马建华;魏峰;陈明浩;吴钊;邱智中;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及具有侧壁反射层的发光二极管制备方法及采用该方法制备而成的发光二极管。该方法采用紫外激光照射相邻晶粒之间的镀膜材料，通过激光沉积原理制备发光二极管侧壁的反射层，工艺简单，节省制备成本。
一种具有侧壁反射层发光二极管制备方法

[实用新型]一种具有散热区的发光二极管-CN201821317348.3有效
发明人：蔡家豪;方斌;梅震;郑烨;邱智中;蔡吉明 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种具有散热区的发光二极管,至少包括：衬底；以及依次位于衬底上的外延层、透明扩展层、电极；其中电极包括焊盘部和与焊盘部连接的指部；其特征在于：与所述指部对应的透明扩展层内设置有第一通孔和散热区，所述散热区填充第一通孔并且两端分别与指部和外延层接触，所述第一通孔的宽度小于指部，所述指部与散热区在垂直方向上至少部分重叠。本实用新型通过在电极的指部下方设置有金刚石颗粒形成的散热区，尤其于温度聚集的指部的弯曲部或/和端部下方设置散热区，从而改善高功率LED在工作中因散热不畅导致的烧结死灯现象。
散热区指部电极通孔本实用新型发光二极管透明扩展层焊盘部外延层衬底半导体领域金刚石颗粒高功率LED 死灯现象烧结弯曲部散热填充