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[实用新型]一种MOCVD反应腔室的清理装置-CN201620116629.7有效
发明人：徐志军;王亚伟;周宏敏;刘勇;吴洪浩;寻飞林;李政鸿;谢祥彬;林兓兓;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MOCVD反应腔室的清理装置，属于半导体制造技术领域，本实用新型通过在承载盘上铰接清理手臂制作清理装置，并通过设定清理手臂与水平面的夹角α、及清理装置的旋转速度n，使清理手臂在最小转速下即可于竖直方向张开，进而对反应腔室内壁清理，减少能耗；同时实现了在不拆开反应腔室的基础上就可以将堆积于腔室内的沉积物清除干净，避免了反应腔室内部与大气接触吸附水汽、氧气等杂质。保持了反应腔室内部的洁净度，提高了在腔室维护过后机器性能的稳定性。
一种 mocvd 反应清理装置

[发明专利]一种具有金属缓冲层的发光二极管及其制备方法-CN201610381206.2在审
发明人：黄文宾;张家宏;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，涉及一种具有金属缓冲层的发光二极管及其制备方法，其至少包括一衬底及依次位于所述衬底之上的AlN缓冲层和外延层，其特征在于：所述AlN缓冲层和外延层之间还插入一金属缓冲层，所述金属缓冲层由Al颗粒层和Ni金属膜层组成，所述Ni金属膜层覆盖于复数个Al颗粒表面形成复数个不连续的片状结构，并裸露出部分底部的AlN缓冲层，所述外延层从AlN缓冲层表面延伸至片状结构表面。所述外延层以所述片状结构的金属缓冲层为掩膜进行横向外延生长，降低外延层生长的位错密度，阻止底部缺陷的延伸。
一种具有金属缓冲发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN201610320407.1在审
发明人：黄文宾;蔡吉明;黄静;林兓兓;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法，首先于有源层表面形成铟富集层，以利于后续氮化铟的沉积；后通过分步、低温成长形成一镁 Delta掺杂的P型插入层，所述P型插入层包括铟富集层、第一氮化铟层、镁富集层及第二氮化铟层，由于氮化铟材料的能隙较低，利用瞬间高镁浓度使镁源扩散进入第一氮化铟层和第二氮化铟层，增加了P型插入层掺入镁的效率，进而增加镁的空穴浓度及降低镁的激活能，调节p‑n结结区的位置，提升器件的内部量子发光效率；同时低温生长的氮化铟层可减少对有源层的破坏。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种氮化物发光二极管及其制备方法-CN201610320406.7在审
发明人：黄文宾;蔡吉明;林兓兓;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物发光二极管及其制备方法，包括：提供一衬底，对所述衬底表面进行清洁处理；依次于所述衬底表面生长缓冲层、N型层、浅量子阱层、发光层和P型层；其中，所述浅量子阱层的生长过程中通过阱层的高低温度交错生长和铟源的间断通入调节控制V型缺陷，并通过控制V型缺陷的均匀性、密度及尺寸，从而提升发光二极管的内部量子发光效率。
一种氮化物发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种半导体外延晶片及其制备方法-CN201610167109.3在审
发明人：张书豪;陈文志;韦静静;邱智中;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体外延晶片及其制备方法，通过在蓝宝石衬底和外延层之间增设一第一反射层，当采用激光从所述衬底下表面进行扫射形成爆点时，所述第一反射层反射逸出并射向衬底上表面的激光，从而防止采用激光对外延晶片分割时，激光对外延片的灼伤。
一种半导体外延晶片及其制备方法

[发明专利]氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法-CN201610122812.2在审
发明人：庄家铭;徐宸科;黄惠葵;范慧丽 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-LikeCarbon，简称DLC)构成；晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其为多晶结构，晶格系数介于GaN与DCL之间。利用DCL与氮化物的组合，克服了石英玻璃或金属基板等普通基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量。
氮化半导体生长衬底及其制作方法

[实用新型]一种等离子体刻蚀设备-CN201521101500.0有效
发明人：魏永吉;徐翊翔;刘加云;刘超超 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体刻蚀设备,用于对基片进行等离子体刻蚀，至少包括：放置载盘的非真空第一腔体、传送载盘的第二腔体、刻蚀载盘上基片的真空第三腔体，本实用新型通过在第二腔体内增设遮罩装置，当第二腔体由真空环境向非真空环境切换破气时，遮罩装置中的遮罩下降并恰好罩于载盘上，保护载盘上的基片，防止破气时进入腔体的气体中的脏污对载盘上基片的污染；另外，将第二腔体的进气孔设置于远离载盘的位置，并在进气孔上方增设栅网，同样防止扬尘产生,避免破气时对基片的污染。
一种等离子体刻蚀设备

[发明专利]一种氮化物发光二极管及其生长方法-CN201510921681.X在审
发明人：蓝永凌;张家宏;林兓兓;黄文宾 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物发光二极管及其生长方法，其中结构包括基板，及依次形成于所述基板上的氮化物缓冲层、n型层、量子阱发光层和p型层，所述n型层为未掺杂AlGaN层与n型掺杂GaN层交替堆叠形成的超晶格结构，控制所述未掺杂AlGaN层的Al组分以产生第一应力，用于抵消所述n型掺杂GaN产生的第二应力，从而降低N型层因掺杂杂质时产生的晶体缺陷及翘曲。同时提供一种氮化物发光二极管的生长方法，通过控制n型层的生长温度和压力，n型掺杂GaN层的厚度大于所述未掺杂AlGaN层的厚度，用于改善未掺杂AlGaN层表面粗糙度，形成表面平整的n型掺杂GaN层。本发明在改善器件串联电阻的同时，改善晶体缺陷及翘曲，进一步提高器件的光电性能。
一种氮化物发光二极管及其生长方法

[发明专利]半导体发光元件-CN201511012848.7在审
发明人：江汉;蓝永凌;黄文宾;林兓兓;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及半导体发光元件，该半导体发光元件，包括一基板，及依次形成于所述基板上的氮化物缓冲层、n型层、浅量子阱层、多量子阱层和p型层，其特征在于：于所述浅量子阱层与多量子阱层之间还插入一复合结构层，所述复合结构层至少包括一p型掺杂GaN层、一n型掺杂GaN层、及位于p型掺杂GaN层与n型掺杂GaN层之间的隔离层。利用复合结构层中p型杂质向所述浅量子阱层和多量子阱层迁移的特性，增加多量子阱层发光强度的同时促使浅量子阱层和复合结构层发光，增加半导体元件出光面积，继而提升其发光强度。
半导体发光元件

[发明专利]图形化蓝宝石衬底及发光二极管的制作方法-CN201510735329.7在审
发明人：李彬彬;徐翊翔;韦静静;周瑜;王振;徐凯;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底的制作方法，包括步骤：S1、提供一蓝宝石平片衬底，具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上形成掩膜层，具有周期排列的掩膜图案，所述掩膜图案具有至少一个向外延伸的凹陷，所述凹陷对应于所述蓝宝石衬底的晶格方向；S2、采用湿法刻蚀所述蓝宝石平片衬底的第一表面，形成若干个周期性排列的相互间隔的图案，构成图形化蓝宝石衬底，其中所述掩膜图案之凹陷处刻蚀速率较快。通过该方法形成的图形化蓝宝石衬底的图案表面具有复数个凹陷区，增大了图案的反光面积，提高了衬底的出光效率。
图形蓝宝石衬底发光二极管制作方法

[发明专利]图形化衬底、制备方法及发光二极管-CN201510691884.4在审
发明人：徐志波;李政鸿;谢翔麟;王肖 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种图形化衬底、制备方法及发光二极管，通过在具有复数个凸起的衬底表面沉积介质层，利用介质层的非晶体特性，使得PVD法沉积于凸起的侧面和顶面平台的氮化铝层为非晶态，而覆盖于凸起间隙的平整表面的氮化铝是由微小晶粒组成的多晶。随后该衬底应用于MOCVD法沉积氮化镓基外延层形成发光二极管时，利用在平整面上的氮化铝多晶态更易生长，而非晶态氮化铝不易沉积氮化镓基外延层的特性，外延层选择性生长于凸起间隙的平整表面氮化铝层上，而凸起侧面和顶面平台不易生长，减小侧面氮化镓基外延层生长，降低侧向生长的氮化镓基外延层与平整表面上正向生长的氮化镓基外延层合并时缺陷数量，提升最终形成的半导体元件的性能。同时，由于抑制了侧向氮化镓基外延层生长，正向生长的氮化镓基外延层更容易合并成一个平整表面。
图形衬底制备方法发光二极管

[实用新型]一种外延生长用石墨盘-CN201520765705.2有效
发明人：林继宏;林兓兓;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型提出的一种外延生长用石墨盘，具有若干个用于放置晶圆的凹槽，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽均匀分布于石墨盘的第一平台，所述第二凹槽均匀分布于石墨盘的第二平台，所述第一平台位于所述石墨盘的中心区域，所述第二平台环绕于所述第一平台，其特征在于：所述第一平台上表面高于所述第二平台的上表面。通过第一平台与第二平台上表面的高度差来改善石墨盘上晶圆波长均值的差异，提高晶圆光电性能及良品率。
一种外延生长石墨

[实用新型]一种夹取机构及分选机-CN201520529831.8有效
发明人：林桂绮;周宝宝;邱智中;余学志;邱树添 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： B25J15/06 文献下载
摘要：本实用新型属于LED分选机技术领域，涉及一种夹取机构及分选机，该夹取机构安装于该分选机上。一种夹取机构，用以夹取磁性金属工件，至少包括呈拱形的拱形本体、下夹板、升降台、上夹板，所述拱形本体下端固定连接下夹板、前端活动连接升降台，所述升降台下端固定连接上夹板且上夹板与下夹板平行；其特征在于：所述拱形本体与下夹板之间的空腔中设置通电产磁以吸附磁性金属工件的线圈；所述拱形本体空腔内或外侧设置感应磁性金属工件水平位置的传感器。本实用新型通过传感器和通电产磁、断电去磁的线圈提高其夹取磁性金属工件的准确性和稳定性。
一种机构分选

[实用新型]一种划裂一体机-CN201520796299.6有效
发明人：蔡家豪;刘红雨;王亚杰;朱发明;梁鸿顺;邱智中 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种划裂一体机，用于对晶圆进行同时划片和裂片作业，包括：放置晶圆的一水平移动和旋转的工件台，两相对移动的劈裂台，位于所述晶圆正上方的一劈刀，位于所述劈刀一侧的第一图像获取装置，其特征在于：所述劈刀另一侧设置厚度测量装置；所述晶圆下方与所述劈刀相对设置激光系统；所述激光装置侧边设置气体吹扫装置和第二图像获取装置。采用本实用新型可实现晶圆的划片和裂片同时作业，减少人力消耗、生产材料的浪费以及作业时间，提高生产效率；同时，采用变焦激光系统根据晶圆厚度进行隐形切割，减少后续劈裂进程中的异常现象，提高晶粒质量。
一种一体机

[实用新型]具有感应器的上胶机-CN201520366404.2有效
发明人：郑思辉;莊士贤;王猛;余学志;林耀辉;邱树添 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： B05C5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有感应器的上胶机，其至少包括主控装置、取放晶片的取放装置、烘烤晶片的烤盘和可升降的顶针，所述烤盘上具有若干个通孔，所述顶针穿过所述通孔升降所述晶片，其特征在于：所述至少一顶针侧壁上设置有感应晶片位置的感应器。当感应器感应到晶片未置于所有顶针上时，上胶机便发出报警信号，暂停上胶机的当前操作，提示工作人员对晶片的位置进行调整，从而避免后续处理对晶片的损坏。
具有感应器上胶机