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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]外延生长用石墨承载盘-CN201520129541.4有效
发明人：黄文宾;林忠宝;谢祥彬;林兓兓;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及外延生长用石墨承载盘，包括复数个晶片承载区和非晶片承载区，在所述石墨承载盘正面的非晶片承载区上表面设置有用于调控温场的凹槽结构，该凹槽结构包括设置在石墨承载盘边缘非晶片承载区的多个第一凹槽和设置在石墨承载盘远离边缘非晶片承载区的多个第二凹槽或该凹槽结构包括多个第一凹槽或多个第二凹槽。本实用新型通过在石墨承载盘上表面的非晶片承载区设置凹槽结构，实现石墨承载盘上表面气流和温场均匀的有益效果。
外延生长石墨承载

[实用新型]具有曝光、检测、清洗和干燥功能的一体机-CN201520253380.X有效
发明人：蔡家豪;刘宜洲;柳宗亮;陈笑龙;余学志;邱智中;邱树添 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体组件的光刻领域，提出了一种具有曝光、检测、清洗和干燥功能的一体机，其包括光罩存储区、曝光-检测单元、光罩暂存区和清洗-干燥单元，其中，所述曝光-检测单元包括曝光机和检测光罩板外观的检测装置，所述检测装置位于曝光机的承载所述光罩板的光罩载台侧边；所述光罩存储区、曝光机、光罩暂存区、清洗-干燥单元依次通过传输件连接，用于传送光罩板。本实用新型采用自动化的一体机进行光罩板的曝光使用、外观检测、清洗和干燥的操作，提高了生产效率，通过改善了光罩板外观检测的区域，减少光罩板由于边缘损坏而报废的数量。
具有曝光检测清洗干燥功能一体机

[实用新型]一种MO源瓶-CN201520195230.8有效
发明人：周圣伟;郭晃亨;张家宏;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-04-02 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：一种MO源瓶，包括盛放固态MO源的第一容器、盛放液态物质的第二容器，所述第一容器放置于所述第二容器内，共用一个封面，其特征在于：所述MO源瓶还包括称量第一容器重量的质量测量装置、产生超声波的起振装置、以及调控所述质量测量装置、起振装置的控制装置；所述质量测量装置置于所述第二容器底部，所述第一容器置于所述质量测量装置上；所述起振装置置于所述第二容器的液态物质内。本实用新型通过质量测量装置测量MO源消耗量，控制装置通过MO源消耗量调控起振装置起振，从而改善固态MO源在使用过程中产生的“沟流或扬起现象”。
一种 mo 源瓶

[实用新型]一种MO源系统管路-CN201520117808.8有效
发明人：周圣伟;郭晃亨;张家宏;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： F17D1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种MO源系统管路，利用新增加的管路三连通管路一和管路二，并且连接点与第一手动阀和第二手动阀距离较小，促使在更换MO源时利用H₂/N₂气体冲抽管路过程中，气流无需往返循环，使得利用较少的冲抽次数即可将管路冲抽干净；此外，在管路三中增加扇叶结构，使气流运行过程中形成涡流，更易将管路内壁面清洁干净。本实用新型有效缩短冲抽操作时间，提升生产的稼动率；改善了冲抽后管路内壁面的洁净度，减小了更换MO源后导致后续生长的LED光电特性异常的风险。
一种 mo 系统管路

[实用新型]一种晶圆衬底-CN201520124010.6有效
发明人：黄文宾;谢祥彬;林兓兓;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种晶圆衬底，外延生长时放置于石墨承载盘的凹槽内，并随石墨承载盘的转动而转动，用于提高衬底边缘外延生长良率以及防止外延生长飞片现象，其特征在于：所述衬底的边缘设置有L型倒角，所述L型倒角包括相互连接成为一体的垂直部分和水平部分。本实用新型提供的具有L型倒角的衬底，经实验验证，可有效改善图形化衬底边缘处由于图形不均匀而产生的良率降低的问题，同时，还可有效改善外延生长时，翘曲衬底与石墨承载盘的凹槽不能贴合而产生的飞片现象。
一种衬底

[实用新型]氮化物发光二极管组件-CN201520145705.2有效
发明人：蓝永凌;张家宏;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;黄文宾 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种氮化物发光二极管组件，包括：N型层、活性层和P型层，其特征在于，所述P型层包括于活性层上依次层叠的含铝氮化物层、未掺杂氮化物(u-GaN)层和杂质原子浓度大于1×10²¹/cm³的P型接触层。本实用新型通过控制P型接触层的成长温度和厚度，将其厚度控制于100埃以下，降低了P型层对光的吸收；同时，未掺杂氮化物层避免了电极附近处电流密度较高，进而提高发光二极管的发光效率。
氮化物发光二极管组件

[实用新型]一种氮化镓基发光二极管-CN201520127109.1有效
发明人：黄文宾;谢祥彬;林兓兓;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型一种氮化镓基发光二极管结构，包括：衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、第一N型GaN层、N型电子阻挡层、第二N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层，还包括位于第二N型GaN层上的N电极和位于P型GaN层上的P电极，其特征在于：所述N电极位于所述InGaN/GaN超晶格结构层形成的接触面上，InGaN/GaN超晶格结构层作为N型接触层，此外，超晶格结构层具有穿透效应，可以降低介于衬底和量子阱发光层之间的N型层的串联电阻值和N型层的接触电阻，使得LED器件的操作电压降低。
一种氮化发光二极管

[实用新型]一种晶片分离器-CN201520137372.9有效
发明人：曾双龙;陈建周;尚丹丹;张海艳;朱业姣;陈龙 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型属于晶片制程辅助工具技术领域，提供了一种晶片分离器，在其一实施例中晶片分离器包括隔板、分别位于所述隔板上方和下方的挡板，所述挡板与所述隔板侧边连接，用于固定第一晶片料盒和第二晶片料盒。通过在所述挡板上设置孔状结构，以及孔状结构边缘的刻度，可计量所转移晶片数目。该晶片分离器可有效快速转移晶片，并有效减小晶片在转移过程中受污染的风险。
一种晶片分离器

[实用新型]一种镀膜用晶片防护盖-CN201520078382.X有效
发明人：黄照明;梅震;晏维云;赵龙;余学志;邱树添 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种镀膜用晶片防护盖，所述防护盖由若干个以弹性件连接的防护板组成，所述防护盖位于待镀膜晶片之上。本实用新型利用弹性件的弹性作用，通过调节弹性件的伸缩使防护盖与具有一定翘曲度的晶片形状匹配，使晶片与防护盖无缝贴合，进而减少晶片非镀膜面边缘的污染现象，提高晶片良率。
一种镀膜晶片防护

[实用新型]一种下膜机-CN201420819294.6有效
发明人：林桂绮;周立;余学志;邱智中;邱树添 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： B32B38/10 文献下载
摘要：一种下膜机，用以分离加工组件，该加工组件由膜片及其内载框和外载框组成，该下膜机包括一机架以及安装于其上的送料机构、下膜机构、收料机构以及载台，其特征在于：所述下膜机构包括用以施加压力分离膜片和内外载框的下压平台、控制所述下压平台吸气和排气状态的气体控制装置；所述施压平台下方置有用于置放加工组件并具有开口结构的载台；所述开口结构下方置有回收内、外载框和膜片的收料机构。采用本实用新型提供的下膜机，可通过下压方式均匀施力将夹在内外载框之间的膜片分离，从而减少了人工操作由于用力不均匀导致的对内外载框的损害，同时采用机器作业，提高了下膜效率，减少了人力消耗。
一种下膜机

[实用新型]一种具有反射墙的发光二极管-CN201520057773.3有效
发明人：蔡家豪;童伟;古静;周晨源;何超文;余学志;邱智中;邱树添 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有反射墙的发光二极管，包括衬底，在衬底上依次生长N型层、发光层和P型层形成第一外延层，分别在P型层和N型层上形成的P电极和N电极，以及衬底背面的反射层，其特征在于：所述发光二极管还包括连续结构的反射墙，所述反射墙位于所述第一外延层外周暴露的N型层表面上。本实用新型在LED外延层外周的N型层上设置具有优异反射性的分布布拉格反射镜，当光从LED侧面发光时，可将侧光反射到LED正面出光，并调节反射墙与第一外延层的间距，调整出光角度和出光范围；并且可避免漏电和剥落现象，进而有效提高LED的外量子效率。
一种具有反射发光二极管

[实用新型]一种应用于镀膜制程的叉车-CN201420793223.3有效
发明人：张佳佳;郑烨;尚林鹏;朱发明;叶华升;邱智中;余学志;邱树添 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：一种应用于镀膜制程的叉车，包括：底座、固定于底座上的竖直滑轨、沿滑轨升降的水平升降台、安装于升降台首末端的支架、放置于所述支架上方的工件盘，其特征在于：在所述支架与所述工件盘之间设置实心的载盘。利用本实用新型提供的叉车，在镀膜制程中，可有效降低晶片的破损量和灰尘污染。
一种应用于镀膜叉车

[实用新型]一种多尺寸晶片载盘-CN201520030446.9有效
发明人：曾双龙;陈建周;赵磊;李文祥;丁志宏;陈龙;李刚;林兓兓;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多尺寸晶片载盘，其上设置有用于盛放晶片的多个第一承载区和第二承载区，其特征在于：所述第一承载区的尺寸小于所述第二承载区且深度大于所述第二承载区，所述第二承载区与多个第一承载区叠合分布于所述载盘上表面。利用本实用新型提供的晶片载盘，可实现多种不同尺寸的晶片共用同一载盘，提高了晶片载盘的空间利用率，节省了成本。
一种尺寸晶片

[发明专利]一种氮化物发光二极管制备方法-CN201410549383.8在审
发明人：谢翔麟;李政鸿;徐志波;林兓兓;卓昌正;张家宏 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种氮化物发光二极管制备方法，采用PVD法在更大深度的图形化衬底上沉积AlN薄膜层，在AlN薄膜层上利用CVD法沉积厚度较薄氮化物外延层，通过减薄外延层较小应力，改善外延片的翘曲，进而改善单片外延片的电性均匀性；同时利用大深度图形化衬底改善取光效率；且在活性层中掺入高浓度杂质，在不影响漏电的状况下可有效降低电压特性，进而改善发光二极管的整体良率。
一种氮化物发光二极管制备方法

[实用新型]一种镀膜装置-CN201420698621.7有效
发明人：蔡家豪;庄立东;罗士文;张永奎;周阳 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：一种镀膜装置，其至少包括一支撑架、多个放置并固定晶片的载盘，其特征在于：所述支撑架上设置多条轨道，轨道端部置有固定件，所述载盘边缘与轨道吻合，通过固定件固定于支撑架形成伞状载体；所述载盘包括放置晶片的晶片固定区和固定晶片的抽真空装置。利用上述镀膜装置可降低人工操作对晶片的污染，减少上下晶片的操作时间，同时可拆卸式载盘便于存放和转移。
一种镀膜装置

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