“何火军”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光刻版中沟槽的制造方法和沟槽刻蚀方法-CN201910859737.1有效
发明人： 何火军;高周妙;庞海舟;隋晓明;罗宁;赵学锋 -专利权人：杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻版中沟槽的制造方法和沟槽刻蚀方法，包括提供一光刻基板，光刻基板包括多个芯片图案区以及划片区，设置多个第一沟槽图案，多个第一沟槽图案分布在多个芯片图案区内，每个第一沟槽图案用于分别形成相应的一个芯片区中的第一沟槽，设置多个第二沟槽图案，多个第二沟槽图案分布在划片区内，每个第二沟槽图案分别用于形成划片道中的第二沟槽，第二沟槽中产生的应力与第一沟槽中产生的应力之间存在一定的角度，应力在方向上相互交叉，继而将晶圆中的多个芯片相互隔离，使得各个芯片中的应力无法叠加，从而改善了整个晶圆的翘曲形变。
光刻沟槽制造方法刻蚀

[实用新型]集成温度传感器的点火IGBT器件-CN202220114510.1有效
发明人：韩健;陈秋芬;何火军;顾悦吉;杨静 -专利权人：杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本公开提供了一种集成温度传感器的点火IGBT器件，该点火IGBT器件包括温度传感器；多个元胞，位于点火IGBT器件的元胞区中，并围绕温度传感器；以及钳位结构，位于点火IGBT器件的终端区中，终端区位于元胞区的外围，其中，温度传感器包括位于第一多晶硅层中的中心区与围绕中心区的第一环形区，中心区与第一环形区接触且掺杂类型相反以构成二极管。通过将温度传感器与点火IGBT器件集成，从而提升温度的监控效果、增加器件面积的有效利用率以及降低器件的制造成本。
集成温度传感器点火 igbt 器件

[实用新型]半导体器件-CN202121162035.7有效
发明人：韩健;顾悦吉;黄示;吕梦凡;张瑞丽;周琼琼;何火军 -专利权人：杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，包括：绝缘栅双极型晶体管，绝缘栅双极型晶体管包括元胞区和终端区，终端区位于元胞区外围；钳位结构，位于终端区，钳位结构包括多个无源半导体器件，多个无源半导体器件设置在绝缘栅双极型晶体管的栅极电极和集电极电极之间。本实用新型的半导体器件降低了器件的钳位电压，提高了器件的浪涌防护能力。
半导体器件

[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN202110204311.X有效
发明人：罗君轶;顾悦吉;张硕;黄示;何火军 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，绝缘栅双极晶体管包括半导体层，具有相对的第一表面以及第二表面；自第二表面向第一表面的延伸方向上依次堆叠的P型集电区、N型场截止层、N型漂移区、P型基区以及发射区，发射区包括P型发射区与N型发射区；多个沟槽，沿半导体层的厚度方向延伸，绝缘栅双极晶体管包括电流引导区和电流扩展区，电流扩展区中沟槽的底部周围设置有P型掺杂区，以及P型掺杂区与所述P型基区之间被沟槽隔断的N型掺杂区。本发明可以减小绝缘栅双极晶体管中沟槽底部的电位抬升所产生的栅位移电流，从而有效增强栅驱动电阻对绝缘栅双极晶体管dv/dt的控制能力，降低EMI噪声，提高器件的鲁棒性。
绝缘双极晶体管及其制造方法

[实用新型]逆导型绝缘栅双极型晶体管-CN202120057990.8有效
发明人：韩健;何火军;顾悦吉;黄示;王益来;胡一峰 -专利权人：杭州士兰集昕微电子有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，逆导型绝缘栅双极型晶体管包括：绝缘栅双极型晶体管区和至少一个快速恢复二极管区，至少一个快速恢复二极管区设置在绝缘栅双极型晶体管区中，绝缘栅双极型晶体管区包围至少一个快速恢复二极管区；至少一个缓冲区，至少一个缓冲区与至少一个快速恢复二极管区对应设置，分别位于至少一个快速恢复二极管区和绝缘栅双极型晶体管区之间，所述至少一个缓冲区分别包围至少一个快速恢复二极管区。本实用新型实施例的逆导型绝缘栅双极型晶体管减少了快速恢复二极管区对相邻绝缘栅双极型晶体管区的动态参数的影响，减小了栅极电阻，降低了器件的开关损耗，提高了器件的可靠性。
逆导型绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN202110029852.3在审
发明人：韩健;何火军;顾悦吉;黄示;王益来;胡一峰 -专利权人：杭州士兰集昕微电子有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，逆导型绝缘栅双极型晶体管包括：绝缘栅双极型晶体管区和至少一个快速恢复二极管区，至少一个快速恢复二极管区设置在绝缘栅双极型晶体管区中，绝缘栅双极型晶体管区包围至少一个快速恢复二极管区；至少一个缓冲区，至少一个缓冲区与至少一个快速恢复二极管区对应设置，分别位于至少一个快速恢复二极管区和绝缘栅双极型晶体管区之间，至少一个缓冲区分别包围至少一个快速恢复二极管区。本发明实施例的逆导型绝缘栅双极型晶体管减少了快速恢复二极管区对相邻绝缘栅双极型晶体管区的动态参数的影响，减小了栅极电阻，降低了器件的开关损耗，提高了器件的可靠性。
逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

[实用新型]一种光刻版-CN201921515122.9有效
发明人： 何火军;高周妙;庞海舟;隋晓明;罗宁;赵学锋 -专利权人：杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻版，包括光刻基板；多个第一沟槽图案，分布在多个芯片图案区内，每个第一沟槽图案用于分别形成相应的一个芯片区中的第一沟槽；以及多个第二沟槽图案，分布在划片区内，每个第二沟槽图案分别用于形成划片道中的第二沟槽，划片道用于限定每个芯片区的边缘，其中，多个第二沟槽图案中的至少部分沟槽延伸方向与所述多个第一沟槽图案的部分沟槽延伸方向不平行，使得第二沟槽中产生的应力与第一沟槽中产生的应力之间存在一定的角度，应力在方向上相互交叉，继而将晶圆中的多个芯片相互隔离，使得各个芯片中的应力无法叠加，从而改善了整个晶圆的翘曲形变。
一种光刻

[发明专利]一种P沟道VDMOS器件生产方法-CN201610693325.1有效
发明人：鄢细根;何火军;杨振;赵铝虎;潘国刚 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种P沟道VDMOS器件生产方法，包括在外延层上生成氧化层，在氧化层上覆盖光刻胶层，然后带胶N型杂质注入步骤；高温退火后在外延层上表面形成所需要的N型基区结深步骤；在氧化层上进行硼杂质注入步骤；在外延层上生成栅氧层，然后在栅氧层上进行多晶硅淀积与掺杂，并再次利用多晶栅光刻版形成多晶硅栅层步骤；在栅氧层的局部区域覆盖光刻胶，然后直接进行源P+加工，在N型基区内形成P+区步骤；以及最后淀积内金属绝缘层，同时在外延层的上表面和下表面分别设置金属层形成标准的VDMOS器件步骤。上述P沟道VDMOS器件生产方法，可实现P沟道VDMOS器件的Vth值稳定在2~4V之间，具有极高的稳定性与合理性。
一种沟道 vdmos 器件生产方法

[实用新型]一种肖特基二极管划片区氧化层-CN201820475621.9有效
发明人： 何火军;张晓新;鄢细根;赵铝虎;阚志国;潘国刚;周卫宏;张敏森;傅劲松 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基二极管划片区氧化层，所述的肖特基二极管划片区包括背面金属层，所述的背面金属层上依次设有N⁺衬底层、N^_外延层、势垒层、氧化层和正面金属层，且所述的势垒层两侧光刻有P⁺保护环；所述的氧化层包括11000埃的场氧区氧化层，且11000埃的场氧区氧化层上开设有20微米宽4000埃的标记区氧化层，且所述的20微米宽4000埃的标记区氧化层位于P⁺保护环之上；使所述的11000埃的场氧区氧化层和4000埃的标记区氧化层形成氧化层台阶。本实用新型既产生一种清晰可靠的切割基准线，又避免划片切割时硅过度裸露出来引起短路现象，解决了封装良率低下的问题。
氧化层肖特基二极管标记区场氧区划片区背面金属层本实用新型势垒层切割正面金属层短路现象衬底层基准线外延层光刻划片良率封装裸露清晰

[实用新型]一种肖特基接触二极管中的钛金属层-CN201820476741.0有效
发明人：潘国刚;周卫宏;张晓新;余庆;赵铝虎;鄢细根;周桂丽;秦永星;傅劲松;何火军 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基接触二极管中的钛金属层，所述的肖特基接触二极管包括硅衬底层、所述硅衬底层两侧有二氧化硅层，所述的两侧二氧化硅层之间的硅衬底层上溅射有钛金属层；所述的两侧二氧化硅层、钛金属层之上溅射有铝层。本实用新型通过在溅射铝前，增加一层很薄的钛金属层，通过后续钛和硅发生反应形成钛硅化物层，从而改变肖特基势垒电压。通过调整不同的钛层厚度，产生不同的势垒电压，从而实现电压的可调性。
钛金属层二氧化硅层肖特基接触二极管硅衬底层溅射本实用新型肖特基势垒钛硅化物层势垒电压可调性铝层钛层

[发明专利]一种用半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法-CN201810300435.6在审
发明人：潘国刚;张晓新;余庆;赵铝虎;周卫宏;何火军;傅劲松;鄢细根;张敏森 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体集成电路或者分立器件上的溅射前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：1）当半导体器件在完成引线孔刻蚀后，通过稀释为浓度为49wt%的HF酸漂洗去除引线孔内自然氧化层及沾污物；2)冲水处理；3）接着利用浓度为60.8%的纯硝酸浸泡处理，利用硝酸的氧化性，使硅表面产生一层很薄的氧化层；4）再进行冲水、甩干完成前处理工艺。本发明通过增加硝酸前处理，改善了半导体集成电路或者分立器件的铝硅接触电阻的稳定性，特别对于设计规则小于2um的产品的应用上有明显的改善效果。
前处理半导体集成电路分立器件硝酸引线孔冲水溅射半导体器件自然氧化层接触电阻设计规则纯硝酸硅表面酸漂洗氧化层氧化性沾污物稀释刻蚀铝硅去除甩干浸泡应用

[发明专利]一种光敏三极管加工工艺-CN201810298755.2在审
发明人：陆辉;赵铝虎;张晓新;余庆;阚志国;葛亚英;陈昂;任志远;鄢细根;何火军 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光敏三极管加工工艺，依次包括如下步骤：产品导入、场氧化、基区光刻、基区刻蚀、基区掺杂、发射区光刻、发射区刻蚀、氧化、注入掺杂、氧化层淀积、发射区推进、发射区掺杂、孔光刻、孔刻蚀、金属淀积、光刻、金属刻蚀、固化、背面研磨、背面金属；其特征在于：所述工艺通过调整外延片的晶向，采用P型100晶向外延片或者衬底片作为抛光片，提高光的敏感度；同时发射区推进过程中采用小剂量注入+扩散的工艺，来保证放大倍数的可控性又保证了发射区接触电阻。
发射区光刻刻蚀基区光敏三极管掺杂外延片晶向金属氧化层淀积背面研磨接触电阻金属淀积推进过程场氧化衬底片可控性敏感度抛光片小剂量固化背面放大保证扩散

[发明专利]一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺-CN201810298724.7在审
发明人：鄢细根;张晓新;余庆;何火军;潘国刚;周卫宏;赵铝虎;张敏森;陈晓静;阚志国 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：1）外延材料高温炉管进行反推作业，温度1200—1250度，时间为60分钟；2）漂尽反推形成的厚氧，重新生长厚场氧，保护环光刻、刻蚀、环杂质注入、退火；3）在步骤2）的基础上对有源区进行光刻、刻蚀、势垒层金属溅射、势垒层合金、漂尽势垒层金属，然后进行正面Ti/Ni/Ag多层金属蒸发；4）在步骤3）的基础上，对Ti/Ni/Ag多层金属光刻、腐蚀；5）在步骤4）基础上对衬底进行减薄，背面进行Ti/Ni/Ag多层金属蒸发。本发明通过重掺杂衬底反推技术，在不影响Vz，Ir电参数前提下，显著降低Vf值。
多层金属势垒层反推光刻肖特基二极管正向压降衬底刻蚀蒸发退火高温炉管金属溅射外延材料杂质注入电参数重掺杂厚场厚氧减薄源区合金背面腐蚀金属生长

1
共 13 条