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[实用新型]无机电致发光器件及发光装置-CN202123269150.7有效
发明人：孙志成;刘艺彬;刘晨阳;杨智通;李功明;李真真;问金月;张青青 -专利权人：北京印刷学院
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请提供一种无机电致发光器件及发光装置，涉及电致发光技术领域。其中，该无机电致发光器件形成于基底，其包括依次层叠设置在所述基底上的电极层、介质层、发光层、透明导电层及保护层；其中，所述基底为透明基底或非透明基底。本申请技术方案能够解决无机电致发光器件需要依赖透明导电基底，制备工艺复杂的技术问题。
无机电致发光器件发光装置

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202210890107.2在审
发明人：刘兆;霍丽艳;滕龙;吴洪浩;崔晓慧 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片为倒装结构，包括依次排布的蓝宝石衬底、第一增透膜、第一半导体层和发光层，发光层包括第一型GaN层、多量子阱层和第二型GaN层，通过在第一半导体层和蓝宝石衬底之间增加第一增透膜，以减少向蓝宝石衬底的出光方向上的反射光，增加透射光，从而提高对倒装LED芯片出射光的萃取效率，提升倒装LED芯片的外量子效率；并且，设置第一增透膜为MgxZn(1‑x)O层，使得MgxZn(1‑x)O层在起到增透作用的同时，还与GaN外延层的晶格失配更小，从而降低发光层的缺陷密度，提升倒装LED芯片的内量子效率，结合起来大大提高倒装LED芯片的发光效率。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202210683945.2在审
发明人：谢昆达;林芳芳;韩涛;杨欣欣;温兆军;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电器件技术领域，特别涉及一种发光二极管、发光装置。所述发光二极管包括：半导体外延叠层，其包含依次层叠设置的第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层；界面过渡层，位于所述半导体外延叠层之上；所述界面过渡层与所述半导体外延叠层之间设有第一绝缘层；金属层，覆盖部分所述界面过渡层表面，并与所述半导体外延叠层电性连接。本发明提供的发光二极管具有高可靠性。
发光二极管发光装置

[实用新型]一种倒装miniLED芯片及半导体器件-CN202221317208.2有效
发明人：马婷;贾钊;窦志珍;兰晓雯;杨琦;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种倒装miniLED芯片及半导体器件，该外延结构从下至上依次包括衬底、外延层，外延层由下至上依次包括p型半导体层、发光层及n型半导体层，p型半导体层具有粗化表面、且在粗化表面上沉积有衬底键合层，衬底键合层具有抛光面、且通过抛光面将外延层键合在衬底上，在n型半导体层的上表面沉积有第一绝缘层，在第一绝缘层上依次层叠设有透明导电层以及反射层。本实用新型通过设置第一绝缘层，隔绝P电极与外延层的接触，无需蚀刻出较大的台面以便生长P电极，相应减小P电极占用面积，减小发光区蚀刻面积，增大发光面积以提亮；透明导电层具有良好的电流扩展；反射层使得正面的光能反射至背面出光，减少光损失，从而极大提高芯片亮度。
一种倒装 miniled 芯片半导体器件

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN202210591556.7在审
发明人：程旷男 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种显示面板及其制作方法，通过在保护层和阵列基板上形成防护层，防护层包括覆盖第一保护层靠近第一端子的侧边的第一防护层、以及覆盖第二保护层靠近第二端子的侧边的第二防护层，避免后续制程中形成的导电金属层经由保护层边缘气泡渗透至第一保护层覆盖的第一端子、以及第二保护层覆盖的第二端子，引起电路短路。
显示面板及其制作方法

[发明专利]显示面板及其制作方法、以及显示装置-CN202210607211.6在审
发明人：王英涛;贾倩;杨锦 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种显示面板及其制作方法、以及显示装置。在一具体实施例中，显示面板包括：设置在基板上的驱动电路层，包括阵列排布的多对焊盘，每一对焊盘包括阳极焊盘和阴极焊盘；以及设置在驱动电路层上的发光器件层，包括多个阵列排布的显示单元，每个显示单元与一对焊盘对应焊接，其中，每个显示单元包括至少一个无机发光二极管，每个无机发光二极管包括：形成在衬底上的调光结构，以使无机发光二极管发出的光经调光结构汇聚后出射。该实施例通过提供具有调光结构的无机发光二极管，使得无机发光二极管发出的光经调光结构汇聚后出射，提高了出光率，具有广泛的应用前景。
显示面板及其制作方法以及显示装置

[发明专利]一种高稳定性倒装LED芯片及其制备方法-CN202210467157.X在审
发明人：唐恝;旷明胜;范凯平;何俊聪;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性倒装LED芯片的制备方法，其包括：在衬底上形成N‑GaN层、MQW层和P‑GaN层；刻蚀形成贯穿至N‑GaN层的第一孔道，继续刻蚀形成贯穿至衬底的第二孔道；依次形成电流扩展层、钝化保护层、金属反射层、金属导电层、第一绝缘层、N电极层、第二绝缘层和焊盘层，研磨减薄后劈裂，即得高稳定性倒装LED芯片。实施本发明，可提升芯片良率和稳定性。
一种稳定性倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]LED显示面板布线结构及其制造方法-CN202210561982.6在审
发明人：徐苗;周雷;陈禧;宁洪龙;邹建华;陶洪;王磊;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及LED布线装置的技术领域，提供了一种LED显示面板布线结构及其制造方法，透明衬底；透光缓冲层，覆盖在所述透明衬底上；所述透光缓冲层为绝缘材料制成；第一导电焊盘，设置在所述透光缓冲层上；第二导电焊盘，设置在所述透光缓冲层上；所述第二导电焊盘具有第一导电部；透光绝缘粘接层，铺设在所述透光缓冲层上；所述透光绝缘粘接层具有覆盖在所述第一导电部上的预定粘接区；导电层，铺设在所述透光绝缘粘接层上；所述导电层具有覆盖在所述预定粘接区上的第二导电部；以及焊接部，通过激光依次穿过所述透明衬底和所述透光缓冲层并焊接所述第一导电部和所述第二导电部所形成。
led 显示面板布线结构及其制造方法

[发明专利]倒装发光元件-CN202110291462.3有效
发明人：熊伟平;王鑫;吴志伟;高迪;吴俊毅;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开一种倒装发光元件，其结构自下而上包含：透明衬底、透明键合层、外延层、绝缘保护层、第一焊接电极、第二焊接电极，所述外延层包含p型导电层、量子阱、n型导电层，其中p型导电层与透明键合层相接，接触面为粗化面，所述外延层边缘被蚀刻，直至透明键合层也被蚀刻减薄形成台阶，减薄后的透明键合层表面至少低于所述粗化面的最低点，n型导电层、量子阱的部分区域被蚀刻，直至露出p型导电层，所述绝缘保护层覆盖上述结构，第一焊接电极、第二焊接电极通过绝缘保护层通孔分别与p型导电层、n型导电层接触。本发明提高倒装发光元件的可靠性。
倒装发光元件

[发明专利]一种芯片结构及其制造方法-CN202210654582.X在审
发明人：林志伟;陈凯轩;柯志杰;蔡建九;刘英策;艾国齐 -专利权人：厦门未来显示技术研究院有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片结构及其制造方法，该芯片结构包括：外延结构，外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和透明导电层，第一型半导体层远离有源层一侧设置的第一电极和第二电极，第一电极与第一型半导体层相连，第二电极与透明导电层相连，在平行于第一型半导体层表面的方向上，第一电极和第二电极之间设置有绝缘结构，以使第一电极和第二电极绝缘。从而通过设置绝缘结构，可以降低芯片电极短路风险，提高芯片的可靠性。
一种芯片结构及其制造方法

[发明专利]薄膜、安装结构、LED芯片结构、LED灯和光束角度调节方法-CN202110529187.4有效
发明人：郑盛梅 -专利权人：衢州职业技术学院
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及灯具技术领域，公开了一种薄膜、安装结构、LED芯片结构、LED灯和光束角度调节方法。所述薄膜的折射率在其厚度方向上逐渐变化。在将该薄膜覆盖在LED芯片结构的芯片上的出光面上后，由于薄膜的折射率在其厚度方向上是逐渐变化的。通过上述技术方案，发光层发出的光束在经过薄膜后，角度将发生变化，从而达到改变光束角度的效果。
薄膜安装结构 led 芯片光束角度调节方法

[发明专利]半导体发光二极管及其制备方法-CN202010913769.8有效
发明人：刘小亮;朱秀山;黄敏;郑高林;何安和;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：半导体发光二极管及其制备方法。所述半导体发光二极管包括位于衬底上的半导体发光叠层，所述半导体发光叠层上具有透明导电层，所述透明导电层上具有反射层；还包括绝缘结构，所述绝缘结构至少部分位于所述透明导电层上，所述绝缘结构具有斜侧面，所述绝缘结构的所述斜侧面围在所述透明导电层上表面边缘，所述反射层的侧面覆盖在所述绝缘结构的所述斜侧面上。所述半导体发光二极管内部的反射层不易发生剥离问题。
半导体发光二极管及其制备方法

[发明专利]Micro LED芯片结构及其制备方法、显示装置-CN202110674991.1有效
发明人：伊晓燕;张兴飞;梁萌;张逸韵;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种Micro LED芯片结构及其制备方法、显示装置，该芯片结构包括：第一衬底；反射镜，设置在第一衬底上；外延结构，设置在反射镜的表面上，包括位于外延结构顶部的n‑GaN层，用于发出光信号；钝化层，覆盖外延结构侧壁，并覆盖反射镜表面剩余部分；钝化层与n‑GaN层形成平面，剩余部分为反射镜表面未被外延覆盖的部分；介质层，设置在钝化层与n‑GaN层形成的平面上，用于当外部电压高于阈值电压时，为Micro LED芯片结构提供电注入通道；透明电极层，设置在介质层上，用于多个Micro LED芯片结构之间形成电连接，并用于透过外延结构发出的光信号。本发明采用非接触式的电注入结构，采用透明电极层作为光传输通道和芯片结构的电极，避免因单独制备互联电路而引起的光的吸收损耗。
micro led 芯片结构及其制备方法显示装置

[发明专利]一种用于表征绝缘钝化层致密性的方法-CN202210521636.5在审
发明人：张星星;张雪;李美玲;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种表征绝缘钝化层致密性的方法，包括提供一绝缘基板，在绝缘基板上蒸镀一层导电金属层，在导电金属层上沉积绝缘钝化层，绝缘钝化层上设有多个孔隙，在绝缘钝化层的表面涂布一层导电性的孔隙显色层，孔隙显色层覆盖绝缘钝化层；将导电金属层以及孔隙显色层分别外接电源的正极和负极，控制电源的通电时间使得孔隙显色层出现显色现象并形成斑点；根据斑点密度、斑点直径及通电时间计算得到孔隙的孔隙密度和直径大小。本发明中的表征绝缘钝化层致密性的方法，通过穿透绝缘钝化层的孔隙发生电化学反应，通过孔隙的密度和直径大小直观表征出绝缘钝化层的致密性。
一种用于表征绝缘钝化致密方法

[发明专利]具高气密性的发光二极管及其制造方法-CN202210371718.6在审
发明人：卢福星;林智荣 -专利权人：厦门普为光电科技有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种具高气密性的发光二极管，其包含基板、反射环及发光二极管芯片。反射环设置于基板上，使反射环与基板间形成容置空间。发光二极管芯片设置于基板上，并位于容置空间中。其中，基板的表面具有第一有机物涂层，反射环的表面具有第二有机物涂层，发光二极管芯片的表面具有第三有机物涂层，容置空间填充有填充材料。上述的多个有机物涂层能增加发光二极管的气密性，故可有效地延长发光二极管的使用寿命。
气密性发光二极管及其制造方法