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[实用新型]一种封装结构、LED灯及LED显示器-CN202221472409.X有效
发明人：侯昌信;陈永铭;桑建;刘泽强;邱长波 -专利权人：广州市鸿利显示电子有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED显示屏技术领域，特别涉及一种封装结构、LED灯及LED显示器，所述封装结构包括透光层、黑胶层及基板，所述基板上间隔设置有发光芯片；所述发光芯片之间形成有间隙，所述黑胶层填充在所述间隙之内且厚度低于所述芯片高度，所述透光层覆盖所述黑胶层以及所述发光芯片。通过此设计，使得黑胶不会残留在发光芯片表面，减少了后续对发光芯片上残留黑胶的冲洗步骤，提高了生产效率，且透光层能降低灯光直射效果，改善灯光柔和度。
一种封装结构 led 显示器

[发明专利]微型发光二极管元件结构-CN202210589384.X在审
发明人：陈立宜 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种微型发光二极管元件结构，包括基板、微型发光二极管、隔离层以及上电极。微型发光二极管和隔离层的凹面之间的接触周缘的高度大于隔离层平坦表面的高度且小于微型发光二极管的高度。隔离层的高度沿远离微型发光二极管的方向自接触周缘的高度减小至平坦表面的高度。在截面中，平坦表面和连接接触周缘和转折周缘的虚拟直线之间的夹角大于120度。转折周缘为凹面与平坦表面之间的边界。本发明中靠近微型发光二极管侧面的隔离层结构特征防止了覆盖微型发光二极管顶表面的上电极产生龟裂。
微型发光二极管元件结构

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202211017967.1在审
发明人：洪加添;陈威;何勇 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，在N型半导体层远离衬底的一面沉积绝缘层，且绝缘层围绕量子阱层、P型半导体层以及N电极设置，因此在PN分界处优先覆盖绝缘材料，能够在Mesa刻蚀之后ITO层溅射之前生成绝缘层，减少PN分界处因ITO导电物质产生的微漏电；并且通过设置绝缘层，相较于现有技术能够提高ITO层的面积，增加发光效率并提高芯片亮度，同时在应用端也能充分避免PN分界处的其他导电杂质驻留。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管及显示装置-CN202211156812.6在审
发明人：贾月华;柯韦帆;郭荣妍;郭桓邵;彭钰仁;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及显示装置，其中发光二极管包括外延结构，该外延结构具有出光面及与所述出光面相对的背面，所述出光面包括边缘区域以及被所述边缘区域环绕的中间区域，所述边缘区域覆盖有绝缘层，其中，所述中间区域的面积占所述出光面面积的60％～99％。绝缘层在出光面上的宽度介于5μm～20μm，由此能够保证发光二极管足够的出光率，同时还可以适当增加绝缘层的厚度，以增强对发光二极管的侧壁保护，防止出现IR漏电，影响器件的性能。
一种发光二极管显示装置

[发明专利]发光芯片模组、其制备方法、阵列基板以及显示面板-CN202110529087.1有效
发明人：李翔;舒适;何伟;于勇;徐传祥;岳阳;邹浩伟;李伟;姚琪;黄海涛 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请涉及显示技术领域，公开一种发光芯片模组、其制备方法、阵列基板以及显示面板。发光芯片模组包括依次排列的发光层、缓冲层以及保护层，所述发光层内的具有多个发光单元，所述缓冲层或所述保护层包括多个孔穴，多个所述孔穴分别对齐所述发光层内的各个所述发光单元，在所述孔穴内填充有光学单元，各所述发光单元经对应的所述光学单元向所述保护层方向发射光线，所述光学单元将经过的光线由其光心向外周散射。本申请实施例能在维持输出性能的前提下，充分保证色转层的信赖性。
发光芯片模组制备方法阵列以及显示面板

[发明专利]一种提升发光效率的LED制作方法-CN202211210269.3在审
发明人：林传强;李超;季辉 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种提升发光效率的LED制作方法，包括步骤：在蓝宝石衬底片表面沉积Al2O3过渡层；平铺聚苯乙烯微球；溅射AlN层；采用温度渐变的方式进行退火处理，使得所述多个聚苯乙烯微球均变成空心球壳；生长n型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。本发明可以有效提高LED芯片的发光效率及发光强度。
一种提升发光效率 led 制作方法

[发明专利]发光元件与应用其的显示装置-CN202110647203.X在审
发明人：陈日康;郭修邑 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种发光元件与应用其的显示装置，发光元件包括发光二极管晶片，发光二极管晶片具有相对的第一表面和第二表面，及数个侧壁连接第一表面和第二表面。发光元件还包括设置于第一表面和侧壁上的第一绝缘层，并覆盖第一表面以及覆盖侧壁的一部分。发光元件还包括物理接触第一表面并自第一绝缘层突出的数个电性连接垫、及设置于第二表面和侧壁的另一部分上的第二绝缘层。第二绝缘层具有包覆部和数个突出部。包覆部完全覆盖第二表面和覆盖侧壁的另一部分。突出部设置于侧壁上并自包覆部突出并横向延伸。绝缘层全面地覆盖发光二极管晶片以提供更完整的保护和电性隔离，而提升发光元件的品质。突出部的结构设计可有助于提升形成发光元件制程的可靠度。
发光元件应用显示装置

[发明专利]改善电流传导的发光二极管芯片及其制备方法-CN202210795091.7有效
发明人：兰叶;王江波;张威 -专利权人：华灿光电(浙江)有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善电流传导的发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括：基板、发光结构、第一电极和第二电极和钝化层；发光结构包括依次层叠于基板上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，第二半导体层具有凹槽，第一电极位于凹槽内，第二电极位于第二半导体层上，钝化层至少位于第二半导体层、第一电极、凹槽和第二电极上，钝化层具有分别露出第一电极和第二电极的两个通孔；至少一个通孔的内壁具有斜槽，斜槽从钝化层远离基板的表面延伸至靠近基板的表面，斜槽远离通孔的侧壁在钝化层远离基板的表面的正投影位于斜槽内。本公开实施例能改善电流传导的问题。
改善电流传导发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法-CN201880039087.X有效
发明人：延斯·埃贝克 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提出一种发光二极管芯片。该发光二极管芯片包括：‑外延的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有有源区(2)，所述有源区在运行中产生电磁辐射(S)；以及‑钝化层(3)，所述钝化层包括氧化镁和氮化镁，其中钝化层(3)施加在半导体层序列(1)的侧面(1c)上并且钝化层(3)至少覆盖有源区(2)。
发光二极管芯片用于制造方法

[发明专利]具有集成光学过滤元件的彩色LED-CN202180031837.0在审
发明人： R·阿米蒂奇;I·威尔德森 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种红色LED包括具有有源InGaN层的半导体LED层，该有源InGaN层的本征发射光谱具有在从580nm至620nm范围内的LDom。滤光器位于半导体LED层之上，以过滤本征发射光谱的较短波长，并将LDom向较长波长移动5nm至20nm。
具有集成光学过滤元件彩色 led

[发明专利]改善断裂的发光二极管及其制备方法-CN202210928874.8在审
发明人：兰叶;王江波;张威 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善断裂的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：基板、外延层、钝化层和至少两个焊点块；所述外延层包括依次层叠于所述基板上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述钝化层位于所述第二半导体层上，所述钝化层远离所述基板的表面具有第一过孔和多个第二过孔；所述焊点块位于所述钝化层远离所述基板的表面，一个所述焊点块通过所述第一过孔与所述第二半导体层连接，至少一个所述焊点块通过所述第二过孔与所述第一半导体层连接。本公开实施例能改善外延层强度差容易断裂的问题。
改善断裂发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种微LED及其制备方法-CN202110675865.8有效
发明人：曹玉飞;江汉;张弛;陈传国;林潇雄;褚志强 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明揭示了一种微LED及其制备方法。微LED包括衬底、外延层、电流阻挡层、透明导电层、第一金属pad、第二金属pad、绝缘层、DBR反射层、第一金属电极及第二金属电极。绝缘层设置于所述透明导电层上，且包覆所述透明导电层除去所述第一金属pad的区域。本发明的微LED在透明导电层与DBR反射层之间增加了一层绝缘层，绝缘性更佳，能够改善第一金属pad与第二金属pad之间的漏电，并且，进一步的，绝缘层为通过PVD技术镀膜而成的AlN层，如此条件制备而得的AlN层拥有较好的膜质密度，能起到更好的绝缘性，杜绝第一金属pad和第二金属pad之间的漏电，同时增强DBR反射层和透明导电层之间的粘附效果，从而提升微LED的可靠性。
一种 led 及其制备方法

[实用新型]显示面板及电子设备-CN202222200548.3有效
发明人：董小彪;盛翠翠;李蒙蒙;韩赛赛;夏继业;姚志博 -专利权人：成都辰显光电有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请涉及显示设备制造技术领域，提供一种显示面板及电子设备，所述显示面板包括驱动板和发光器件；所述驱动板包括背板，位于背板一侧的胶层，所述胶层上设有用以容置所述发光器件的开口，位于所述开口中的键合电极，所述发光器件与所述键合电极电连接；所述胶层远离所述背板的一侧到所述背板表面的距离大于所述键合电极远离所述背板的一侧到所述背板表面的距离。所述电子设备包括前述的显示面板。通过所述开口限制被容纳的粘接材料的流动，从而可以避免键合时所述发光器件与所述键合电极发生错位。
显示面板电子设备

[发明专利]像素单元及显示面板-CN202210286686.X有效
发明人：鲜济遥;袁海江 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种像素单元及显示面板，像素单元包括：设置于阵列基板上的发光结构和量子点发光层，发光结构和量子点发光层在阵列基板上的正投影不存在交叠且具有间隔；发光结构和量子点发光层的间隔处设置有隔热层，发光结构发射的光线能够穿过隔热层照射至量子点发光层。因此，发光结构与量子点发光层通过隔热层间隔设置，能够减少发光结构传递到量子点发光层的热量，进而提高量子点发光层的使用寿命，以提高像素单元的使用寿命。
像素单元显示面板

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN202110604191.2有效
发明人：蔡琳榕;杨力勋 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管依次包括：基板、第一反射层、第一绝缘层、金属阻挡层、第二反射层以及外延层，外延层中的有源层形成发光区，金属阻挡层包括第一部分及第二部分，第一部分位于形成发光二极管的外延层的发光区的下方，第二部分位于形成发光二极管的电极的电极区的下方。在基板的第一表面的投影中，金属阻挡层的第一部分的至少部分边缘线位于发光区的边缘线的内侧，金属阻挡层的第二部分的边缘线位于发光区的边缘线的外侧。本发明能够解决金属阻挡层对于光的吸收、遮挡问题，还能防止在后期形成电极时，刻蚀液超出金属阻挡层的阻挡范围向底层渗漏，有利于器件的可靠性。
一种发光二极管及其制备方法