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[发明专利]发光元件和包括该发光元件的显示装置-CN202211017892.7在审
发明人：沈泳出;金鎭完;金东旭;徐东均;李昞柱;李承根;车炯来 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提供了一种发光元件和包括该发光元件的显示装置。所述发光元件可以包括：发光元件芯，包括第一半导体层、第二半导体层和在第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；以及单晶绝缘层，在发光元件芯的侧表面周围。
发光元件包括显示装置

[发明专利]发光器件及其制备方法-CN202211400174.8在审
发明人：张威;吴志浩;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光器件及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光器件包括衬底、发光结构和覆盖层，所述发光结构位于所述衬底的承载面上，所述覆盖层覆盖在所述发光结构外，且所述覆盖层在所述承载面的正投影与所述承载面的边缘之间具有间隙。由于覆盖层在衬底的承载面的正投影与承载面的边缘之间具有间隙，也就是说覆盖层并没有完全覆盖衬底，衬底的边缘露在覆盖层之外，因此在进行划片时，可以在衬底上没有被覆盖层覆盖的区域进行，从而避免发光二极管芯片在划片时出现难以分离的情况，有利于良率的提升。
发光器件及其制备方法

[发明专利]基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED-CN202310227642.4有效
发明人：郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。LED外延片包括硅衬底，设于硅衬底背面的调节层，依次设于硅衬底正面的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其中，调节层为NiZnSe层。实施本发明，可提升基于硅衬底的LED外延片的成品率以及其发光效率。
基于衬底 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种Micro-LED芯片及其制备方法-CN202310082604.4在审
发明人：黄凯;闫金健;李金钗;杨旭;张荣 -专利权人：厦门大学;嘉庚创新实验室
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种Micro‑LED芯片及其制备方法，其中，Micro‑LED芯片包括：衬底层；N型半导体层，位于所述衬底层一侧表面；有源层，位于部分所述N型半导体层背离所述衬底层的一侧表面；P型半导体层，位于所述有源层背离所述N型半导体层的一侧表面；氢钝化层，覆盖所述P型半导体层的侧壁和所述有源层的侧壁。所述Micro‑LED芯片的发光效率高且可以避免漏电流的产生。
一种 micro led 芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管和包括该发光二极管的显示装置-CN202180058053.7在审
发明人：李从元;柳济源;柳喆锺;赵显敏 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提供了一种发光元件和包括该发光元件的显示装置。发光二极管包括：第一半导体层；第二半导体层；活性层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；保护层，设置为围绕第一半导体层、第二半导体层和活性层中的至少一个的外表面；绝缘层，设置为围绕保护层的外表面，其中，保护层包括二维(2D)材料。
发光二极管包括显示装置

[发明专利]一种发光二极管的制作方法及发光二极管-CN202111473250.3有效
发明人：苟先华;张彬彬;肖峰;张涛;苏财钰 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的制作方法及发光二极管，且发光二极管的制作方法至少包括：提供一衬底；在所述衬底上形成半导体外延结构；在所述半导体外延结构上形成钝化层，且所述钝化层包括重复性层叠设置的氧化硅薄膜和氧化钛薄膜；以及在所述钝化层上形成电极，且所述电极与所述半导体外延结构电性连接。通过本发明提供的一种发光二极管的制作方法及发光二极管，可提高发光二极管的性能。
一种发光二极管制作方法

[发明专利]发光显示装置及其制造方法-CN202310170752.1在审
发明人：金高恩;申荣训 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光显示装置及其制造方法，其中发光显示装置包括：薄膜晶体管上的钝化层，该钝化层具有氢；钝化层上的发光二极管，该发光二极管具有阳极、阳极上的发光层、以及发光层上的阴极；以及发光二极管上的氢吸收层，该氢吸收层包括质量百分比为0.08％至50％的无机材料。
发光显示装置及其制造方法

[发明专利]发光结构及其制作方法-CN202111222881.8在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光结构及其制作方法，发光结构包括：GaN基LED结构以及位于GaN基LED结构的侧壁的含氮钝化层；GaN基LED结构包括：第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层，第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反。根据本发明的实施例，在GaN基LED结构的侧壁外延生长的含氮钝化层，可钝化第一半导体层与第二半导体层的侧壁，降低非辐射复合。此外，还可防止发光层两侧的第一半导体层与第二半导体层发生漏电，甚至短路，从而改善LED结构的动态特性，延长LED的使用寿命。
发光结构及其制作方法

[发明专利]改善电压异常的发光二极管及其制备方法-CN202211729186.5在审
发明人：李云峰;胡根水;肖和平;朱迪;刘康;陈建南;朱志佳;薛龙;覃金莲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善电压异常的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、外延层、电极、钝化层和焊点块，外延层位于衬底上，电极位于外延层远离衬底的表面，钝化层位于外延层远离衬底的表面且覆盖部分电极的表面；电极包括依次层叠于外延层上的第一金属层和第二金属层，第一金属层包括Au金属，第二金属层不包括Au金属，钝化层具有露出第二金属层表面的通孔，第二金属层的表面具有沉孔，通孔与沉孔连通；焊点块与钝化层远离衬底的表面贴合且依次通过通孔、沉孔与第二金属层连接。本公开实施例能改善焊点块与电极接触面上易形成高电压的问题，提升发光二极管的良率。
改善电压异常发光二极管及其制备方法

[发明专利]使用金属纳米粒子的等离子体散射增强微型LED的光耦出-CN202180051693.5在审
发明人：贝特侯德·哈恩 -专利权人：元平台技术有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种微型发光二极管(Micro‑light Emitting Diode，微型LED)包括：衬底；台面结构，该台面结构包括形成在该衬底上的多个半导体层；以及绝缘材料层，该绝缘材料层位于该台面结构的侧壁上。该台面结构包括被配置为发出第一波长的光的发光区。该绝缘材料层包括透明绝缘材料和浸入该透明绝缘材料中的金属纳米粒子。该透明绝缘材料和该金属纳米粒子被配置为，使得第一波长的光的等离子体散射回该台面结构中，使得第一波长的光可以在该台面结构中随机化，从而提高该微型LED的光提取效率和外部量子效率。
使用金属纳米粒子等离子体散射增强微型 led 光耦出

[发明专利]涂白LED灯丝及其制作工艺和LED灯泡-CN202211557156.0在审
发明人：皮保清;刘吉伟;赵云峰;贺雪昭;徐亚辉 -专利权人：中山市木林森电子有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请提供一种涂白LED灯丝及其制作工艺和LED灯泡，将原有涂在玻壳内部的涂白粉优化涂至灯丝表面，使其在灯丝表面形成涂白层，与灯丝结合一次性成型，简化现有玻壳内部涂粉工艺，降低客户端使用和制作成品成本，大大的提高了涂白灯丝灯的稳定性，使得色漂及其光电参数处于可管控状态，生产制作工艺简单，成本较低，提高客户端使用范围，降低客户端使用成本，可满足现有市场客户端对灯丝灯涂白泡的产品要求。
涂白 led 灯丝及其制作工艺灯泡

[发明专利]发光显示装置及其制造方法-CN202310170789.4在审
发明人：金高恩;申荣训 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光显示装置及其制造方法，其中发光显示装置包括：薄膜晶体管上的钝化层，该钝化层具有氢；钝化层上的发光二极管，该发光二极管具有阳极、阳极上的发光层、以及发光层上的阴极；以及发光二极管上的氢吸收层，该氢吸收层包括质量百分比为0.08％至50％的无机材料。
发光显示装置及其制造方法

[发明专利]一种表面空间光场分布可调控的半极性面发光二极管-CN202211500179.8在审
发明人：张韵;聂胜;项文辞;帅凌霄 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种表面空间光场分布可调控的半极性面发光二极管，在衬底上采用半导体外延和沉积技术制备的半极性面LED结构，所述半极性面LED结构沿着衬底生长方向依次为本征GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层和透明导电层。本发明可使发光二极管能够实现由椭圆形状光场分布到圆形形状光场分布的可控转变。
一种表面空间分布调控极性发光二极管

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202211741516.2在审
发明人：杨克伟;曲晓东;罗桂兰;赵斌;江土堆;尤翠萍;陈凯轩;刘文辉 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：在所述基板与所述外延叠层之间设有金属键合层、绝缘层、金属连接层、粘附层、金属反射层、介质层；所述介质层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，并延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；且，所述介质层具有裸露所述第二型半导体层的介质孔；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，形成于所述外延叠层的水平表面；所述粘附层设置于所述金属反射层的边缘；所述金属连接层通过覆盖所述粘附层的方式，与所述金属反射层形成接触。从而，实现了在所述金属反射层边缘的上下表面都具有限制效果的材料层，可避免化学试剂侵蚀所述金属反射层，以很好地保护金属反射层与介质层在边缘处的图形完整性。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]改善侧向出光的发光二极管、阵列及其制备方法-CN202211729176.1在审
发明人：兰叶;朱广敏;王江波;吴志浩;张威 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善侧向出光的发光二极管、阵列及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、钝化层和遮光层，所述钝化层环绕包覆所述外延层的侧壁，所述遮光层环绕包覆所述钝化层；所述外延层的侧壁具有多个导光部，所述遮光层中具有与所述导光部一一对应的封闭腔体，所述封闭腔体与对应的所述导光部相对，所述封闭腔体中远离所述外延层的内壁用于反光；在所述遮光层靠近所述外延层的一侧至所述遮光层远离所述外延层的一侧的方向上，所述封闭腔体的宽度为所述外延层发出的光的波长的整数倍。本公开能改善发光二极管侧向出光的问题，提升发光二极管出光效果。
改善侧向发光二极管阵列及其制备方法