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[发明专利]一种LED芯片及其制造方法-CN200910225750.8有效
发明人：孙夕庆;张彦伟;刘凯;朱文凯 -专利权人：中微光电子(潍坊)有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯片，包括衬底，衬底的底面和侧面分别设有反射镜，限制了光线从蓝宝石衬底的侧面和底面逸出，向蓝宝石衬底的侧面和底面发射的蓝光在芯片内部经反射、增强后从芯片表面发出，提高了LED芯片的整体出光率，基于该蓝光LED芯片制作的白光LED单灯的封装工艺变得简单，降低了生产成本，基于该蓝光LED芯片制作的白光LED单灯表面色温均匀。
一种 led 芯片及其制造方法

[发明专利]一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法-CN200910256023.8无效
发明人：郝霄鹏;巩海波;吴拥中;夏伟;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法，包括以下步骤：(1)在衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层；(2)在P-GaN外延层上生长沉积ITO薄膜层；(3)将ITO靶材溶于盐酸溶液并稀释至合适浓度作为ITO的前驱体；(4)在生长沉积了ITO薄膜的外延片上铺一层单层的PS球，然后在PS球单层膜和ITO层之间的空隙填充ITO的前驱体溶液；(5)将带ITO前驱体溶液的外延片120℃干燥1小时，在500℃煅烧30分钟，自然降至室温；(6)经光刻、腐蚀ITO和ICP干法刻蚀，使N-GaN层暴露；(7)制作出P电极和N电极；(8)将衬底减薄，解理后形成单个芯片。本发明制备的LED出光率能提高50％左右，具有成本低、工艺简单的特点，适合规模化生产。
一种光子晶体结构 gan led 制作方法

[发明专利]一种荧光粉膜层制作方法及其得到的荧光粉膜层封装方法-CN200910193468.6无效
发明人：张佰君;蚁泽纯;凌敏捷;吴昊;冼钰伦 -专利权人：中山大学
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种荧光粉膜层制作方法及其得到的荧光粉膜层封装方法。本发明的特点是在封装过程中采用旋涂荧光粉胶的方法独立制作荧光粉膜层，再将荧光粉膜层覆盖在涂有隔热材料的LED芯片上，最后固化隔热材料完成白光LED荧光粉的涂覆。该LED的芯片数量为一个或多个。本发明工艺简单，制作成本不高，能准确控制荧光粉膜层的厚度，大大提高LED产品的光色一致性，适用于大规模的工业化生产，并且采用热隔离的封装方式能改善LED的散热问题，减少光衰，使光色更为稳定。
一种荧光粉制作方法及其得到封装方法

[发明专利]暖白光发光二极管及其锂化物荧光粉-CN200910207038.5无效
发明人：纳姆·索辛;罗维鸿 -专利权人：罗维鸿
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种暖白光发光二极管及其锂化物荧光粉，所述锂化物荧光粉是用于暖白光二极管中，其是由元素周期表中第I、III主族元素的氧化物为基体，用电子d层与f层发生跃迁的元素作激活元素，且该荧光粉的基体由锂和钇的同类铝酸盐的固体溶液构成，其化学式为Liα(Gd1-xYx)3Al5+αO12+2α:TR；当该基体被一短波辐射激发时，该激活元素的离子会辐射出黄橙色光，与一氮化铟镓半导体异质结发出的短波辐射相混合后形成暖白光。所述暖白光发光二极管使用该荧光粉，以确保部分透射能达到该铟镓氮化物异质结第一级蓝光辐射的15～30％，第二级橙黄色辐射的70～85％。此外，本发明还揭示一种荧光粉的制备方法。
白光发光二极管及其锂化物荧光粉