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[发明专利]微型发光二极管、制备方法及显示屏-CN202210382288.8在审
发明人：蔡世星;岳大川;籍亚男;谢峰 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开涉及发光显示技术领域的微型发光二极管、显示屏及制备方法，该微型发光二极管包括：保护层，设置于改善层背离第二半导体层的一侧；保护层至少包括绝缘保护层。由此，通过在改善层上设置绝缘保护层，绝缘保护层作为硬件掩膜层，可隔离等离子和化学试剂，避免改善层在后续工艺中遭到损伤或破坏；绝缘保护层作为蚀刻阻挡层，使后续膜层的蚀刻深度停留在绝缘保护层，形成一个平稳的蚀刻区间，保证了蚀刻深度的均匀性和精准性；增设保护层后，器件得到保护，工艺窗口更大，从而提升了制造良率。
微型发光二极管制备方法显示屏

[发明专利]发光元件、显示装置及其制造方法-CN202080081191.2在审
发明人：郑载勳;洪惠贞;姜锺赫;柳熙娟;赵诚赞;赵显敏 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提供了发光元件、显示装置及其制造方法。所述发光元件包括：掺杂成具有第一极性的第一半导体层；掺杂成具有不同于所述第一极性的第二极性的第二半导体层；设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层；以及设置成至少包围所述有源层的外表面的绝缘层，其中所述绝缘层包括绝缘膜和元件分散剂，所述绝缘膜包围所述有源层，所述元件分散剂包括磁性金属并且键合至所述绝缘膜的外表面。
发光元件显示装置及其制造方法

[发明专利]正装发光二极管和显示装置-CN202210423283.5在审
发明人：王庆;王绘凝;夏宏伟;刘鹏;卢超;洪灵愿;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：正装发光二极管，包括衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；半导体堆叠层，形成在所述第一表面上，并用于辐射光线；光学薄膜堆叠层，形成在半导体堆叠层上；所述光学薄膜堆叠层包括第一绝缘性堆叠层，所述第一绝缘性堆叠层包括重复叠置的相对低折射率的第一材料层和相对高折射率的第二材料层，所述的第一绝缘性堆叠层的几何厚度为500~1000 nm，可作为背光显示装置的光源，保证背光显示的光源较高的光均匀性。可替代传统的小尺寸的倒装的发光二极管，可以降低整个背光显示装置的成本。
发光二极管显示装置

[实用新型]一种UV LED器件-CN202220616092.6有效
发明人：汤焕;杜元宝;张耀华;王国君;张庆豪;朱小清 -专利权人：宁波升谱光电股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种UV LED器件，包括：基板；与所述基板电连接的UV LED芯片；罩体，所述罩体与所述基板之间通过第一共晶层连接，并罩设在所述UV LED芯片外侧；所述罩体的内表面为具有全反射图形的表面。本申请中的UV LED器件中罩体与基板之间通过第一共晶层连接，无需设置铜杯，一方面简化制作工艺，降低制作成本，同时还可以避免铜层对准偏移、毛边的问题，提升器件的工艺精度，另一方面由于没有铜杯，罩体直接围绕在UV LED器件的周围，使得UV LED器件具有较高的出光效率和更大的出光角度，并且罩体的内表面为具有全反射图形的表面，可以降低UV LED芯片发出光的全反射的光损，进一步提升出光效率。
一种 uv led 器件

[发明专利]一种耐腐蚀性高的半导体发光元件-CN202210335045.9在审
发明人：刘志锋;黎小华 -专利权人：深圳市华莱光电科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管技术领域，且公开了一种耐腐蚀性高的半导体发光元件，包括衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、透明层和两个电极，所述衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层和透明层呈从下至上依次铺设，所述透明层的顶部设置有耐腐蚀层，所述电极呈对称设置于所述耐腐蚀层的顶部，两个所述电极的外部均套设有防护罩，两个所述电极的两侧均设有与所述防护罩的内侧壁卡接设置的卡紧机构，所述防护罩的顶部设有穿线孔。该一种耐腐蚀性高的半导体发光元件，具备较高的耐腐蚀性，提高了发光二极管的使用寿命。
一种腐蚀性半导体发光元件

[发明专利]发光基板及其制造方法-CN202210258122.5在审
发明人：赵永超 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请公开一种发光基板及其制造方法，方法包括：提供一阵列基板，阵列基板包括基板和设置于基板上的导电垫；形成覆盖导电垫和基板的油墨层，油墨层包括预设区域，预设区域与导电垫的位置相对应；采用第一预设波长的光从第一侧对预设区域之外的油墨层进行照射的同时，从第二侧对预设区域之外的油墨层进行加热，第一侧为基板远离油墨层的一侧、油墨层远离基板的一侧中的一者，第二侧为基板远离油墨层的一侧、油墨层远离基板的一侧中的另一者；去除预设区域的油墨层，得到图案化油墨层；将发光单元绑定于导电垫上，得到发光基板。
发光及其制造方法

[实用新型]一种应用于MiniLED封装的多层膜-CN202220187593.7有效
发明人：李磊;孙自才;黄魏;刘志军;胡安平;张鹏飞;殷俏芬 -专利权人：东莞市溢美材料科技有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于MiniLED封装的多层膜，多层膜至少含有两层结构：黑色层和半透明层，且多层膜在高温时能够软化流动，所述黑色层起到填充MiniLED芯片之间覆盖基板原色的功能，半透明层覆盖芯片顶部；以精密涂布技术先制得厚度均匀、黑色均一的多层胶膜，再辅助良好的压合工艺解决MiniLED显示模组黑色均匀性和拼装时模组侧漏光的问题，同时解决使用液态树脂带来的厚度公差大、黑色液态树脂覆盖MiniLED芯片顶部等问题，一次压合成型提升了生产效率和良率。
一种应用于 miniled 封装多层

[发明专利]一种砷化镓基LED管芯透明导电层的返工方法-CN202011547531.4在审
发明人：徐晓强;程昌辉;吴向龙;闫宝华;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓基LED管芯透明导电层的返工方法，包括步骤：(1)提供一待返工LED管芯；(2)使用光刻胶对金属电极进行保护；(3)将胶体腐蚀溶液均匀的涂覆在TCL膜层以及保护的金属电极表面形成腐蚀胶膜，对TCL膜层进行恒温腐蚀，之后冷却至常温，进行去胶处理；(4)使用光刻胶对步骤(3)处理后的LED管芯的金属电极进行保护，之后制作TCL膜层，将金属电极区域的TCL膜层去掉并进行去胶处理；(5)将步骤(4)处理后的LED管芯进行高温退火，返工完成。本发明的返工方法流程工序简单，缩短了LED管芯的返工周期，大大降低生产成本，返工后的管芯表面洁净，无侧蚀金属现象，测试光电参数均正常。
一种砷化镓基 led 管芯透明导电返工方法

[发明专利]微型发光二极管-CN202210258939.2在审
发明人：陈佶亨;许广元;王信介;吴俊德;陈奕静;史诒君 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种微型发光二极管，包括第一堆栈层、第二堆栈层、第三堆栈层、接合层、至少一蚀刻终止层以及多个电极。第一堆栈层设置于第三堆栈层上方，第二堆栈层设置于第一堆栈层与第三堆栈层之间，第一堆栈层、第二堆栈层及第三堆栈层为三种不同发光颜色的半导体发光堆栈层。第一堆栈层包括第一有源层。第二堆栈层包括第二有源层。第三堆栈层包括第三有源层。接合层设置于第二堆栈层与第三堆栈层之间。至少一蚀刻终止层至少设置于第一有源层与第二有源层之间。多个电极分别电性连接第一堆栈层、第二堆栈层及第三堆栈层，其中至少一电极接触蚀刻终止层。
微型发光二极管

[发明专利]一种柔性晶膜屏的封装结构及封装工艺-CN202210404920.4在审
发明人：吴淑汉;叶秉元;刘平;李敏康 -专利权人：广州市耐贝西照明有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性晶膜屏的封装结构及封装工艺，该封装结构包括柔性PCB板，所述柔性PCB板的正面设置有多个LED灯珠，所述柔性PCB板的正面设有第一透明EVA热熔胶层，所述柔性PCB板与所述第一透明EVA热熔胶层热熔粘接，所述第一透明EVA热熔胶层上设有第一保护层。通过所述第一透明EVA热熔胶层热熔粘接在柔性PCB板上，从而避免采用灌胶或开挖槽孔的方式，该连接结构能够快速形成，封装时间可缩短至十数分钟乃至数分钟，有效提高生产效率；第一透明EVA热熔胶层与柔性PCB板之间没有间隙，所产出的柔性晶膜屏的显示效果好；第一透明EVA热熔胶层的耐候性强，避免胶体容易变黄、通透性变差等情况，提高柔性晶膜屏的使用寿命。
一种柔性晶膜屏封装结构工艺

[发明专利]AlGaInP基红光发光二极管芯片及其制备方法-CN202210087945.6在审
发明人：兰叶;王江波;朱广敏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种AlGaInP基红光发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该AlGaInP基红光发光二极管芯片包括：基板、发光结构、分布式布拉格反射镜层、钝化层、第一焊点块和第二焊点块；发光结构、分布式布拉格反射镜层和钝化层依次层叠在基板上，钝化层上具有露出分布式布拉格反射镜层的第一通孔和第二通孔，第一通孔的孔壁和第二通孔的孔壁具有凹凸结构；第一焊点块位于第一通孔内，且与第一通孔的孔壁贴合，第二焊点块位于第二通孔内，且与第二通孔的孔壁贴合。本公开实施例能改善焊点块与过孔之间产生相对松动的问题，让发光结构良好地固定在芯片内，提升芯片的可靠性。
algainp 红光发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]具有复合过渡层的发光二极管外延片及其制备方法-CN202110520704.1有效
发明人：王群;郭炳磊;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了具有复合过渡层的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。复合过渡层中SiO2子层层叠在n型GaN层上，SiO2子层本身材料的热膨胀系数小，减小对多量子阱层的影响。保证多量子阱层的发光质量。SiO2子层在衬底的表面的正投影呈网状，SiO2子层阻挡部分的位错。AlGaN子层生长时，两个方向生长所产生的位错可以相互湮灭，AlGaN子层内的缺陷较少，保证多量子阱层的质量的同时有效阻隔了位错延伸至多量子阱层内。多量子阱层的晶体质量得到提高，可以减小非辐射复合，提高发光二极管的发光效率。
具有复合过渡发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种具有析氢层的半导体发光元件-CN202210235369.5在审
发明人：阚钦 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种具有析氢层的半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，多量子阱、p型半导体和析氢层，所述析氢层在p型半导体上方，并浸没在电化学溶液中，通过电化学方法在外加偏压下吸附p型半导体的Mg‑H络合物中的H原子，降低氢结合能和氢吸附吉布期自由能并进行脱附，形成H2排出表面，提升Mg的离化率和降低Mg的受主激活能，提升p型半导体的空穴浓度。
一种具有析氢层半导体发光元件

[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法-CN202110330165.5有效
发明人：林云真;刘源;沈燕;郝亚磊;尹灵峰 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。斥水膜层层叠在钝化保护层上的同时，斥水膜层还延伸至n电极的外周壁与p电极的外周壁上，则斥水膜层直接覆盖了钝化保护层的第一通孔与第二通孔，与n电极及p电极之间的间隙，将间隙与外界进行隔绝，避免水汽从第一通孔与第二通孔所在的位置进入发光二极管芯片的内部，可以减小发光二极管芯片受到水汽的影响，延长发光二极管芯片的使用寿命。且斥水膜层本身位于在钝化保护层的表面，也可以减小水汽通过钝化保护层进入芯片内部的可能，也可以一定程度上延长钝化保护层本身的使用寿命，也可以提高发光二极管芯片的使用寿命。
发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种银基键合的反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片的制备方法-CN201911200435.X有效
发明人：徐晓强;程昌辉;张兆喜;闫宝华;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种银基键合的反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：制作临时衬底、制作永久衬底、键合、制作保护层、衬底腐蚀、制作粗话层、制作主电极以及制作管芯。本发明使用二氧化硅作为保护层，在晶片正反两面生长，实现侧面的完全包裹将Ag金属与溶液接触的部分完全保护起来，使金属Ag没有与溶液接触的机会，从而可以按照目前的常规腐蚀液进行腐蚀，而不会产生腐蚀不均匀的现象，通过本发明实施例制作出衬底和阻挡层腐蚀彻底的管芯结构，制作的管芯电压良率可达到100％，亮度大幅度提升。
一种银基键合极性 gaas algainp 红光 led 芯片制备方法