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[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器系统-CN202211225557.6在审
发明人：汪亚;杜明利;刘藩东;华文宇;胡宽;明帆;朱宏斌;程琦;赖睿彬 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器系统，所述半导体结构包括：半导体层，所述半导体层中设置有沿第一方向延伸的多个有源柱、位于所述有源柱一侧的栅极结构、位于相邻的两个有源柱之间的第一绝缘层、设置在所述有源柱沿所述第一方向上一个端部处的第一电极；所述第一方向为所述半导体层的厚度方向；第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述半导体层上；多个连接结构，每个所述连接结构至少部分位于所述第二绝缘层中；所述连接结构与所述第一电极连接，且所述连接结构在第二方向的宽度大于所述第一电极在所述第二方向的宽度；所述第二方向与所述第一方向垂直。
半导体结构及其制作方法存储器系统

[发明专利]半导体器件及其形成方法、存储器-CN202211241987.7在审
发明人：邵光速 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件及其形成方法、存储器，其中，所述半导体器件包括：位于衬底表面、且沿第二方向间隔排布的多个第一导电结构；第一导电结构沿第一方向延伸；位于第一导电结构之上、且沿第一方向间隔排布的多个第二导电结构；第二导电结构沿第二方向延伸；第一方向与第二方向相交、且平行于衬底所在的平面；至少位于第二导电结构之间的第一空气间隙、以及位于第一空气间隙底部的底部密封层；其中，底部密封层的厚度能够调节；位于第一导电结构之间的第二空气间隙。
半导体器件及其形成方法存储器

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202211305392.3在审
发明人：蔡志勇;张子玉;潘杰;罗兴安;周毅;汪亚;邢彦召;明帆;朱宏斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、在所述衬底上的多个呈阵列排布的硅柱和所述硅柱之间的绝缘结构；在所述硅柱和所述绝缘结构上形成金属层；对所述金属层进行退火处理，使得每个所述硅柱的顶端形成金属硅化物层；对所述金属硅化物层和所述硅柱进行刻蚀，以将每个所述硅柱刻蚀为两个晶体管柱。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置及其制作方法-CN202211008223.3在审
发明人：张钦福;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储装置及其制作方法，其包括衬底；多个埋藏字线；与多个存储节点插塞。衬底内包括多个有源区与浅沟槽隔离。埋藏字线埋设在衬底内，穿过浅沟槽隔离或有源区内。存储节点插塞设置在衬底上并接触有源区，存储节点插塞包括多个第一插塞，分别包括由下而上依序堆迭的绝缘材质与导电材质。半导体存储装置的至少一个有源区是同时接触两个第一插塞；或者，半导体存储装置还包括存储节点焊盘，物理性接触至少二个第一插塞。由此，本发明有利于形成组件可靠度较佳的半导体存储装置。
半导体存储装置及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810083257.6有效
发明人：金范庸;李勋;吉德信 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法包括：形成高宽高比的底电极；通过在底电极的表面上顺序地执行第一等离子体工艺和第二等离子体工艺来形成界面层；在界面层之上形成电介质层；以及在电介质层之上形成顶电极。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]半导体装置-CN202221456133.6有效
发明人：童宇诚;张钦福 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体装置，包括衬底、存储节点焊盘、支撑结构以及电容结构。存储节点焊盘、支撑结构设置在衬底上，支撑结构包括第一支撑层以及第二支撑层。电容结构设置在衬底上，并包括多个电容。各电容依序包括底电极层、电容介电层、以及顶电极层，其中，各底电极层具有向上延伸的两部分，两部分之一分别包括延伸于各存储节点焊盘与第一支撑层之间的第一厚度、以及延伸于第一支撑层与第二支撑层之间的第二厚度，第一厚度大于第二厚度。由此，可改善存储节点的结构可靠性，进而优化半导体装置的功能与效能。
半导体装置

[发明专利]形成动态随机存取器件的方法以及结构-CN202180031384.1在审
发明人：索尼·瓦吉斯 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：公开DRAM器件及形成DRAM器件的方法。一种非限制性方法可包括提供器件，器件包括：多个成角度结构，由衬底形成；位线及介电质，位于所述多个成角度结构中的每一者之间；及漏极，沿着所述多个成角度结构中的每一者设置。所述方法可还包括：在所述多个成角度结构之上提供图案化掩模层的多个掩模结构，所述多个掩模结构被定向成垂直于所述多个成角度结构。所述方法可还包括：以非零角度对器件进行刻蚀以形成多个柱结构。
形成动态随机存取器件方法以及结构

[发明专利]三维间距倍增-CN202180031844.0在审
发明人：妮琴·K·英吉;弗雷德里克·费什伯恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-05-05 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了存储器器件及制造存储器器件的方法。描述了器件及方法，其中三维间距倍增将高深宽比蚀刻宽度从单元宽度去耦，从而产生小单元有源区域间距以允许小DRAM裸片尺寸。
三维间距倍增

[发明专利]半导体结构及其制备方法、存储器-CN202211228865.4在审
发明人：蔡志勇;张子玉;潘杰;明帆;罗兴安;周毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决晶体管与存储单元之间的耦接良率较低的问题。半导体结构包括存储单元、晶体管和导接件。存储单元和晶体管在第一方向上相互间隔设置。晶体管包括靠近存储单元设置的第一极、远离存储单元设置的第二极、以及被配置为控制第一极与第二极之间导通或断开的控制极。导接件的一端与存储单元耦接，导接件的另一端与晶体管的第一极耦接。其中，导接件包括电接触层，电接触层直接或间接与晶体管的第一极耦接，电接触层的面积大于晶体管的第一极中靠近存储单元一侧的表面的面积。上述半导体结构应用于存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
半导体结构及其制备方法存储器

[发明专利]次级感测放大器与半导体存储装置-CN202110702813.5在审
发明人：长峰久之 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种次级感测放大器与半导体存储装置，其中该次级感测放大器包括半导体基板、第一对互补晶体管、第二对互补晶体管以及至少一接地晶体管。第一和第二对互补晶体管以及接地晶体管形成于所述半导体基板上。第一对互补晶体管以次级感测放大器的一中心线为对称轴而呈线对称地配置，且第一对互补晶体管的栅极耦合至一节点。第二对互补晶体管也相对于前述中心线呈线对称地配置，其中第二对互补晶体管的电流方向是相同的。第一对互补晶体管的源极和漏极分别耦合至第二对互补晶体管的栅极和源极。接地晶体管则与第二对互补晶体管串联。
次级放大器半导体存储装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910944195.8有效
发明人：钱仕兵 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其形成方法。该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有掺杂区和多个间隔排列的埋入式字线；埋入式字线穿过所述掺杂区；相邻两埋入式字线之间具有接触孔；在接触孔表面形成刻蚀淀积层；对刻蚀淀积层进行刻蚀处理，将刻蚀淀积层与半导体衬底相接面刻蚀成曲面；去除刻蚀淀积层。本发明通过刻蚀将半导体衬底表面刻蚀成曲面后，增大了接触孔中半导体衬底与位线接触层的接触面积，同时使两者具有较佳的附着性，从而降低位线接触面电阻，提高动态随机存取存储器的存取速度。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202211120741.4在审
发明人：邵光速;肖德元 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底；堆叠结构，位于衬底上，包括沿第一方向间隔排布的多个存储单元，存储单元包括晶体管，晶体管包括有源结构和栅极结构，有源结构包括沟道区、以及沿第二方向位于沟道区相对两侧的第一源漏区和第二源漏区，沟道区环绕栅极结构的外周分布；字线结构，位于衬底上，包括沿第一方向间隔排布的多条字线，字线包括沿第一方向延伸的字线主体部，且字线主体部与栅极结构电连接；位线结构，位于衬底上，包括沿第一方向间隔排布的多条位线，位线包括沿第一方向延伸的位线主体部，且第一源漏区环绕位线主体部的外周分布。本公开改善了半导体结构的电性能，简化了半导体结构的制造工艺。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211018529.7在审
发明人：华文宇;蓝天;张帜 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：晶体管阵列，所述晶体管阵列包括沿第一方向并列排布的多个晶体管，所述晶体管包括沿第二方向依次设置的漏极、沟道和源极；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；多个第一导电线，每个所述第一导电线沿第三方向延伸，且每个所述第一导电线与一个所述晶体管的漏极耦接；其中，所述第三方向垂直于所述第二方向，所述第三方向与所述第一方向相交；填充层，位于相邻的所述多个晶体管和所述多个第一导电线之间，用于电隔离所述多个晶体管，还用于电隔离所述多个第一导电线；所述填充层内还包括：多个空腔，每个所述空腔至少位于相邻的两个所述第一导电线之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]形成电容器的方法-CN202111213265.6在审
发明人：龚耀雄;赖朝文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种形成电容器的方法，包括在基板上形成堆叠，其包括支撑层、在支撑层上的第一材料层和在第一材料层上方的第二材料层，其中至少第一材料层包括可灰化材料。方法还包括图案化堆叠以在堆叠中形成第一开口、在第一开口中形成包括第二开口的第一电极、移除第二材料层以暴露第一电极的外侧表面的上部、灰化第一材料层以暴露第一电极的外侧表面的下部，以及在第一电极的第二开口中和第一电极的外侧表面上形成介电层和第二电极。由于本公开的形成电容器的方法使用灰化工艺移除堆叠下部的材料层，使得堆叠中的电极在支撑层中可以避免摇摆，从而增加电容器的可靠度。
形成电容器方法

[发明专利]一种新型DRAM集成电路的结构-CN201911306287.X有效
发明人：廖永波;李平;林凡;李垚森;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种新型DRAM集成电路的结构，涉及集成电路技术和半导体技术。本发明是基于一种新型的纵向柱状TMOS器件结构,最下层为N+掺杂衬底和N‑外延层作为漏极，中间是P外延层作为栅极沟道，最上方是N+锗硅外延层作为源极。柱状结构的外圈被氧化层包围，其中三面覆盖多晶硅层作为栅极，剩下一面覆盖金属层与MOS管的漏极形成电容。多晶硅上有一个引线孔，接字线。锗硅层上是另一个引线孔，接位线。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种DRAM结构，提供一种新型DRAM集成电路的结构，实现器件的小面积、高电流密度、低导通电阻，从而提高集成电路的集成度、存取速度，以及实现器件和集成电路安全工作电压的提高，而器件和集成电路的功耗仍比传统的器件和集成电路的功耗低。
一种新型 dram 集成电路结构