“H01L27/08”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果1837个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种堆叠式增强型GaN HEMT器件及其制备方法-CN202211257095.6在审
发明人：沈玲燕;程新红;郑理;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆叠式增强型GaN HEMT器件及其制备方法，所述器件采用背栅SOILDMOS与D‑mode GaN HEMT形成堆叠式Cascode结构，实现增强型。本发明的阈值电压由背栅SOILDMOS决定，可以通过调节硅离子注入和BOX层厚度实现增强型，同时相比于传统系统级封装(SystemInaPackage，SIP)的cascade增强型GaN器件，本发明提出的堆叠式结构实现了SOC(SystemOnaChip)，减小了寄生参数，节约了芯片面积，降低了器件成本，更有利于器件的高频、小型化应用。
一种堆叠增强 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]倾斜外延掩埋接触件-CN202180038008.5在审
发明人：李桃;康宗圣;谢瑞龙;A·雷茨尼采克;O·格鲁斯臣科夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了半导体器件设计，具有掩埋电源轨(602)，该掩埋电源轨具有倾斜外延掩埋接触件(1702)。在一个方面，半导体FET器件包括：至少一个栅极，设置在衬底(202)上；源极和漏极(906)，在至少一个栅极的相对侧上，其中，源极和漏极(906)中的至少一个具有倾斜表面(1402)；掩埋电源轨(602)，其嵌入在衬底(202)中；以及掩埋接触件(1702)，其将掩埋电源轨(602)连接到至少一个源极和漏极(906)的倾斜表面(1402)。侧壁间隔体(502)将掩埋电源轨(602)与衬底(202)分隔开。该至少源极和漏极(906)的倾斜表面(1402)的顶部在该掩埋接触件(1702)的顶表面上方。还提供了形成半导体FET器件的方法。
倾斜外延掩埋接触

[发明专利]半导体器件-CN202210585531.6在审
发明人：赵珉熙;柳民泰;柳成原;李元锡;朴玄睦;李基硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在基板上的导电线；在导电线上的第一栅电极；在第一栅电极上通过栅极隔离绝缘层分隔开的第二栅电极；在第一栅电极的侧表面上的第一沟道层，并且第一栅极绝缘层在它们之间；在第一栅电极的另一侧表面上的第一源极/漏极区；第二沟道层，在第二栅电极的在与第一沟道层相反的一侧的另一侧表面上并且第二栅极绝缘层在它们之间；在第二沟道层上的第二源极/漏极区；以及第三源极/漏极区，在第一沟道层上以及在第二栅电极的与第一沟道层在同一侧的侧表面上。
半导体器件

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202110775010.2在审
发明人：孙雨萌 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。本发明实施例用以解决相关技术中的问题。第一导电区和第二导电区位于第一栅极结构的两侧，在垂直于衬底的方向上，第一导电区与第二导电区具有不同的高度位置。当向第一栅极结构施加适当的电压时，第一导电区和第二导电区之间且靠近第一栅极结构的一侧形成能够导电的第一沟道区，由于第一导电区与第二导电区具有不同的高度位置，相比于第一导电区与第二导电区平行于衬底表面方向的距离，第一沟道区的长度增大，有利于减少半导体结构的漏电现象，提高半导体结构的性能。
半导体结构制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110811957.4在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括衬底以及凸立于衬底的多个鳍部，衬底沿多个鳍部的排列方向上包括相邻的第一区域和第二区域；其中，沿鳍部的排列方向上，第一区域的鳍部朝向远离第二区域的一侧倾斜，第二区域的鳍部朝向远离第一区域的一侧倾斜；隔离层，位于衬底上且围绕鳍部，隔离层覆盖鳍部的部分侧壁；栅极结构，位于隔离层上且横跨鳍部；第一源漏掺杂区，位于第一区域的栅极结构两侧的鳍部内；第二源漏掺杂区，位于第二区域的栅极结构两侧的鳍部内，沿鳍部的排列方向上，第二源漏掺杂区与第一源漏掺杂区之间具有间隔。本发明实施例降低第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区之间发生桥接的几率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法-CN202110111817.6有效
发明人：徐敏;张卫;王晨;徐赛生 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法，其中的制备方法，包括：在所述P型衬底上形成若干N阱；在所述P型衬底上依次外延多个外延层；基于所述多个外延层，形成每个GaN基开关管的器件层；其中的第一GaN基开关管的器件层形成在所述N阱上，第二GaN基开关管的器件层形成在所述N阱外的所述P型衬底上；在所述第一GaN基开关管的器件层与所述第二GaN基开关管的器件层上分别形成第一衬底连接部与第二衬底连接部。本发明兼顾了高侧管、低侧管的集成需求，以及高侧管、低侧管衬底电压变化的一致性。
gan 开关集成单元结构制备方法

[实用新型]集成电路-CN202222095836.7有效
发明人：李致葳;黄文宏;游国丰;陈建豪;陈学儒;陈昱璇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路包含具有第一区和第二区的基底；位于第一区中的第一全绕式栅极装置，第一全绕式栅极装置包含沿第一方向纵向延伸的第一通道构件，以及包覆第一通道构件的通道区的第一栅极结构，第一栅极结构包含第一界面层；以及位于第二区中的第二全绕式栅极装置，第二全绕式栅极装置包含沿第一方向纵向延伸的第二通道构件，以及包覆第二通道构件的通道区的第二栅极结构，第二栅极结构包含第二界面层，第二界面层具有邻近第二通道构件的第一部分和在第一部分上方的第二部分，第一部分的密度小于第二部分的密度。
集成电路

[发明专利]半导体装置-CN202210806228.4在审
发明人：朴俊模;朴鍊皓;崔圭峰;朴恩实;李俊锡;李晋硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括分别在第一方向上延伸并布置在第一线上的第一有源鳍和第二有源鳍，基底具有在第一有源与第二有源鳍之间的凹部；器件隔离膜，在基底上；第一栅极结构和第二栅极结构，分别在第一有源鳍和第二有源鳍上，并且在第二方向上延伸；以及场分离层，具有在第一有源鳍与第二有源鳍之间且在凹部中的第一部分以及在第二方向上从第一部分的两侧延伸到器件隔离膜的上表面的第二部分。凹部具有在与第一方向和第二方向相交的第三方向上比器件隔离膜的上表面低的底表面，并且器件隔离膜的上表面的区域具有平坦的表面。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202210807743.4在审
发明人：高明东;千健龙;金洞院;金贤锡;李尚炫;李炯锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案和第二有源图案，位于衬底上，沿第一方向延伸，并沿第二方向间隔开；栅电极，位于第一有源图案和第二有源图案上并沿第二方向延伸；第一栅极分离结构，位于第一有源图案与第二有源图案之间，沿第一方向延伸，并分离栅电极；以及第一元件分离结构，位于栅电极之间，沿第二方向延伸，并分离第二有源图案，其中，距第一栅极分离结构的第一部分的第一边的距离小于距第一栅极分离结构的第二部分的第一边的距离，并且到第一部分的第二边的距离小于到第二部分的第二边的距离。
半导体器件

[发明专利]用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件-CN202011085015.4有效
发明人：张立森;梁士雄;杨大宝;宋旭波;吕元杰;顾国栋;徐鹏;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括多个同向并联的肖特基结。本发明提供的用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管，采用多个同向肖特基结并联的形式，进而增加总电容数值，提高电容测试精度，通过测试多个二极管电容的准确值，再进行线性拟合得到单结二极管的准确结电容。
用于赫兹频段电容测试肖特基二极管半导体器件

[实用新型]半导体结构-CN202221995861.4有效
发明人：赖彦良;陈春宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括装置区域以及围绕装置区域的密封结构。密封结构包括围绕装置区域的外环以及设置在外环与装置区域之间的缓冲区域。缓冲区域包括具有沿第一方向纵向延伸的多个第一栅极结构的第一部分和具有沿第一方向纵向延伸的多个第二栅极结构的第二部分。缓冲区域的第二部分设置在缓冲区域的第一部分与外环之间。沿着大致垂直于第一方向的第二方向，每个第一栅极结构的宽度大于每个第二栅极结构的宽度。
半导体结构

[发明专利]半导体装置-CN202210429276.6在审
发明人：朴星一;朴宰贤;金庚浩;尹喆珍;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了半导体装置。所述半导体装置包括：下沟道图案和上沟道图案，沿与基底的顶表面垂直的第一方向堆叠在基底上；下源极/漏极图案，在基底上并在下沟道图案的第一侧和第二侧；上源极/漏极图案，堆叠在下源极/漏极图案上并在上沟道图案的第三侧和第四侧；第一阻挡图案，在下源极/漏极图案与上源极/漏极图案之间；以及第二阻挡图案，在第一阻挡图案与上源极/漏极图案之间。第一阻挡图案包括第一材料，并且第二阻挡图案包括第二材料，其中，第一材料和第二材料不同。
半导体装置

[发明专利]竖直相邻器件之间带隔离部的半导体装置及电子设备-CN202110477558.9有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了一种竖直相邻器件之间带隔离部的半导体装置及包括这种半导体装置的电子设备。根据实施例，该半导体装置可以包括：衬底；依次叠置在衬底上的第一竖直型半导体器件和第二竖直型半导体器件，第一竖直型半导体器件和第二竖直型半导体器件各自包括在竖直方向上依次叠置的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区；以及用于电隔离第一竖直型半导体器件与第二竖直型半导体器件的隔离结构，其中，隔离结构包括pn结。
竖直相邻器件之间隔离半导体装置电子设备

[实用新型]一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET-CN202222210041.6有效
发明人：张长沙;李昀佶;李佳帅;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET，包括：第一栅极绝缘层设于碳化硅衬底上侧面；第二栅极绝缘层设于碳化硅衬底下侧面；第一栅极金属层设于第一栅极绝缘层上；第二栅极金属层设于第二栅极绝缘层上；第一N型区设于碳化硅衬底左侧，第一N型区内设有上下对称的第一源区以及第二源区；第二N型区设于所述碳化硅衬底右侧，第二N型区内设有上下对称的第三源区以及第四源区；第一源极金属层连接至第一源区；第二源极金属层连接至第二源区；第一漏极金属层连接至第三源区；以及，第二漏极金属层连接至第四源区，提高器件的电流能力，增加器件驱动能力。
一种提高电流能力对称碳化硅 mosfet

[发明专利]集成电路装置-CN202210962225.X在审
发明人：庄宗翰;林志昌;陈仕承;张荣宏;姚茜甯;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路装置，包括基板、基板之上第一纳米结构通道及基板与第一纳米结构通道之间的第二纳米结构通道。内间隔物位于第一纳米结构通道与第二纳米结构通道之间。栅极结构抵接第一纳米结构通道、第二纳米结构通道与内间隔物。衬层位于内间隔物与栅极结构之间。
集成电路装置