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[发明专利]半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图-CN202110753619.X在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸立于衬底的多个鳍部，鳍部沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，衬底包括多个存储单元区，存储单元区包括相邻接且中心对称的第一子单元区和第二子单元区，第一子单元区和第二子单元区均包括传输门晶体管区、下拉晶体管区和上拉晶体管区，在存储单元区中，衬底上形成有栅极结构，栅极结构横跨鳍部，并覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；去除位于第一子单元区和第二子单元区的交界处的栅极结构，形成隔断开口，隔断开口用于在第二方向上分割栅极结构；在隔断开口中形成隔断结构。隔断开口都形成于同一延长线上，可以通过同一张光罩在同一步骤中形成。
半导体结构及其形成方法以及掩膜版版图

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210244533.9在审
发明人：刘铭棋;郭俊聪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含衬底、至少一个电介质层及电容器结构。所述至少一个电介质层经放置于所述衬底上方，且所述至少一个电介质层包含步阶边缘轮廓。所述电容器结构经放置于所述衬底上方。所述电容器结构包含底部电极、电容器电介质层及顶部电极。所述底部电极覆盖所述至少一个电介质层的所述步阶边缘轮廓且具有基本上保形于所述至少一个电介质层的所述步阶边缘轮廓的第一步阶轮廓。所述电容器电介质层覆盖所述底部电极且具有基本上保形于所述第一步阶轮廓的第二步阶轮廓。所述顶部电极覆盖所述电容器电介质层。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210956764.2在审
发明人：姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德;马哈维;张惠政;林耕竹;陈维宁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括第一类型的第一晶体管装置，其包括第一纳米结构、第一对源极/漏极结构及在第一纳米结构上的第一栅极电极；形成在第一晶体管装置上方的第二类型的第二晶体管装置，其包括在第一纳米结构上方的第二纳米结构、在第一对源极/漏极结构上方的第二对源极/漏极结构及在第二纳米结构上及第一纳米结构上方的第二栅极电极；在第一纳米结构及第二纳米结构之间的第一隔离结构；与第一对源极/漏极结构的顶表面接触的第二隔离结构；以及第二隔离结构及第二对源极/漏极结构之间的籽晶层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210956769.5在审
发明人：姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德;马哈维;张惠政;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一类型的第一晶体管装置及第二类型的第二晶体管装置。第一晶体管装置包括第一纳米结构、第一对源极/漏极结构及第一纳米结构上的第一栅极结构。第二类型的第二晶体管装置形成在第一晶体管装置上方。第二晶体管装置包括第一纳米结构上方的第二纳米结构、第一对源极/漏极结构上方的第二对源极/漏极结构及第二纳米结构上及第一纳米结构上方的第二栅极结构。半导体装置还包括与第一及第二纳米结构接触的第一隔离结构及与第一对源极/漏极结构的顶表面接触的第二隔离结构。
半导体装置

[发明专利]集成电路装置-CN202210961883.7在审
发明人：詹易叡;潘冠廷;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：集成电路装置包括基板与位于第一栅极结构及该第二栅极结构之间的鳍片隔离结构。第一栅极结构包绕位于第一鳍片上方的第一垂直纳米结构通道堆叠。第二栅极结构包绕位于第二鳍片上方的第二垂直纳米结构通道堆叠。鳍片隔离结构从第一栅极结构的上表面延伸至基板的上表面。沟槽隔离结构位于第一鳍片与鳍片隔离结构之间且具有与鳍片隔离结构不同的蚀刻选择性。
集成电路装置

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN202210610190.3在审
发明人：崔宰铭;李敬雨;金娜延;林圣勋;郑圣烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：下部结构；所述下部结构上的第一层间电介质(ILD)；第一图案区，在所述第一ILD内在第一方向上延伸，所述第一图案区在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此分隔开，所述第一图案区中的每个第一图案区包括至少一个第一图案，并且所述至少一个第一图案在所述第一方向上的两端是凹陷的；以及第二图案区，在所述第一ILD内在所述第一方向上延伸，所述第二图案区在所述第二方向上彼此分隔开并且在所述第二方向上与所述第一图案区交替，所述第二图案区中的每个第二图案区包括至少一个第二图案。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202211329278.4在审
发明人：李永亮;贾晓峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在半导体器件包括的至少两个晶体管具有的阈值电压的绝对值不同的情况下，降低该半导体器件的制造难度。所述半导体器件包括：半导体基底、第一环栅晶体管和第二环栅晶体管。沿平行于第一环栅晶体管包括的第一栅堆叠结构的宽度方向，第一环栅晶体管包括的第一沟道区具有至少两列间隔设置的第一沟道部。沿平行于第二环栅晶体管包括的第二栅堆叠结构的宽度方向，第二环栅晶体管包括的第二沟道区具有至少两列间隔设置的第二沟道部。相邻两列第二沟道部的间距不同于相邻两列第一沟道部的间距。第二沟道区中至少一列第二沟道部的宽度不同于第一沟道区中至少一列第一沟道部的宽度。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路及制作集成电路的方法-CN202210134654.8在审
发明人：刘思麟;洪照俊;王奕翔;赖韦霖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：一种集成电路及制作集成电路的方法，集成电路包括第一与第二金属‑绝缘体‑半导体电容器及金属‑绝缘体‑金属电容器。第一与第二金属‑绝缘体‑半导体电容器各自的第一端分别接收较高电压域的第一参考电压及较高电压域的第二参考电压。第一金属‑绝缘体‑半导体电容器的第二端与金属‑绝缘体‑金属电容器的第一端导电连接，第二金属‑绝缘体‑半导体电容器的第二端与金属‑绝缘体‑金属电容器的第二端导电连接。金属‑绝缘体‑金属电容器的第一端接收较低电压域的第一电源电压，第二金属‑绝缘体‑半导体电容器的第一端接收较低电压域的第二电源电压。
集成电路制作方法

[发明专利]一种功率器件以及相应的制作方法-CN202211055320.8在审
发明人：施雯;李茂林;银发友 -专利权人：杭州云镓半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种功率器件以及相应的制作方法，包括多个基本器件单元，每一个基本器件单元包括栅极、位于栅极两侧的源极和漏极；其中，至少一个基本器件单元的源极包括第一源极和第二源极，其他基本器件单元的源极仅包括第一源极；所述第一源极和第二源极隔离设置，且所述第一源极和对应基本器件单元的栅极、漏极构成MainFET，所述第二源极和对应基本器件单元的栅极、漏极构成SenseFET；本发明提出的一个新型的分布式的功率器件电流采样结构，和传统电流采样结构相比，在提高SenseFET电流检测准确定度的同时又能减少因SenseFET引起的功耗。
一种功率器件以及相应制作方法

[发明专利]集成电路及其建造方法-CN202210080638.5在审
发明人：刘铭棋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开实施例涉及一种集成电路及其建造方法。所述集成电路包括第一绝缘层、衬底、第二金属互连结构、衬底通孔以及堆迭深沟渠电容结构。第一绝缘层包括堆迭于底部管芯上方的第一金属互连结构。衬底设置在第一绝缘层上方。第二金属互连结构设置在衬底上方。衬底通孔将第一金属互连结构直接连接至第二金属互连结构。堆迭深沟渠电容结构设置在衬底中。深沟渠电容结构包括自衬底的第一侧延伸的第一多个沟渠以及自衬底的第二侧延伸的第二多个沟渠。
集成电路及其建造方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN201610943990.1有效
发明人：傅淑芳;黄崎峰;陈家忠;梁其翔;蔡辅桓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置，包括由衬底延伸的鳍片、第一源极/漏极特征、第二源极/漏极特征以及在鳍片上的栅极结构。栅极结构以及第一源极/漏极特征之间的距离不同于栅极结构以及第二源极/漏极特征之间的距离。
半导体装置制造方法

[发明专利]具有背侧自对准导电过孔条的集成电路结构-CN202210524267.5在审
发明人： L·P·古勒尔;C·P·普尔斯;C·H·华莱士;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有背侧自对准导电过孔条的集成电路结构以及制造具有背侧自对准导电过孔条的集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括在纳米线的第一堆叠体上方的第一子鳍状物结构。第二子鳍状物结构在纳米线的第二堆叠体上方。第一栅极电极围绕纳米线的第一堆叠体。第二栅极电极围绕纳米线的第二堆叠体。导电沟槽触点结构在第一栅极电极与第二栅极电极之间。导电过孔条在导电沟槽触点结构上，导电过孔条具有与第一子鳍状物结构和第二子鳍状物结构的背侧表面共面的背侧表面。
具有对准导电集成电路结构

[发明专利]电子电路-CN202211194090.3在审
发明人： M·艾曼·谢比卜;文杰·张 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请涉及电子电路。垂直沟槽MOSFET中的垂直检测器件。根据本发明的实施例，电子电路包括：配置为切换至少1安培电流的垂直沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管以及配置为提供MOSFET的漏极到源极电流的指示的电流检测场效应晶体管。电流检测FET的电流检测比为至少15000并且可以大于29000。
电子电路

[发明专利]半导体集成电路-CN201780047089.9有效
发明人：荻田知治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明用于抑制半导体集成电路中的露电流，其中，多个半导体基板通过硅贯通孔层叠。在硅基板中注入P型杂质和N型杂质中的一者，直至达到预定浓度。在多个沟道中，在一个硅基板表面中注入P型杂质和N型杂质中的另一者，直至达到高于所述预定浓度的浓度。电极分别形成在沟道中。在阱层中，在另一硅基板表面和多个沟道之间注入与被注入硅基板中的杂质相同的杂质，直至达到高于所述预定浓度的浓度。
半导体集成电路

[发明专利]半导体装置-CN201810552747.6有效
发明人：刘谦成;张嘉德;沈冠杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括一第一鳍式场效晶体管(FinFET)装置，第一鳍式场效晶体管装置包括形成在一基板的多个鳍片、以及形成在鳍片上的一半导体材料的一外延层、以及横跨鳍片的一第一栅极结构，其中，外延层形成非平面的源极/漏极区域。半导体装置包括一第二鳍式场效晶体管装置，第二鳍式场效晶体管装置包括从形成在基板的一大抵平面(substantially planar)的鳍片、形成在大抵平面的鳍片上并且形成大抵平面的源极/漏极区域的半导体材料的一外延层、以及横跨大抵平面的鳍片的一第二栅极结构。
半导体装置