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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]稳流半导体集成电路器件及其制造方法-CN94117896.X在审
发明人：齐藤丰;小山内润;小岛芳和;石井和敏 -专利权人：精工电子工业株式会社
申请日： 1994-09-29 - 公布日： 1995-07-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种低成本CRD(稳流二极管)，产生的电流值波动较小，且有较小的芯片尺寸。用于半导体集成电路器件的CRD由耗尽型N沟道MOS晶体管构成，该晶体管中栅、源与基片电气连接。栅绝缘膜小于500埃，栅的沟道长度(L长度)大小8μm。该CRD包括具有与IP对应的第一W宽度的沟道的漏区，对期望的IP是不足够的，还具有第二W宽度的第二漏区，在该漏区中存在多种沟道的W宽度，对这些沟道宽度按需要进行选择使其与第一漏区并联连接。
半导体集成电路器件及其制造方法

[发明专利]MOS电路的保护装置-CN88108454.9无效
发明人：乌尔里克·塞里斯;伯克哈德·吉贝尔 -专利权人：德国ITT工业股份有限公司
申请日： 1988-10-20 - 公布日： 1993-09-15 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：在本保护装置中，焊接区(P)与被保护的晶体管之间的电阻是采用扩展区(e)来实现的，扩展区完全处于焊接区(P)之下并沿扩展区的整个周边延伸出去。细长区(Z)沿扩展区(e)的周边延伸，通过互连通路(b)与电路地端相接，细长区(Z)与互连通路(b)之间是低阻连接。
mos 电路保护装置

[实用新型]智能高压大功率器件-CN91213190.X无效
发明人：茅盘松;朱静远 -专利权人：东南大学
申请日： 1991-02-07 - 公布日： 1991-09-25 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：智能高压大功率器件是一种具有自动限流保护的高压大功率VDMOS器件，由高压大功率分源VDMOSFET、电阻和过流限制器件组成，过流限制器件可以由双极型晶体管或MOS管构成，整个器件制作在同一硅片衬底上，可采用常规的VDMOSFET工艺实现，它既保持了高压大功率VDMOSFET的特性，又具有自动过流保护功能，大大提高了器件的可靠性，有利于简化器件应用电路，提高整机的可靠性，降低整机的成本。
智能高压大功率器件

[发明专利]垂直倒相器电路-CN86108046.7无效
发明人：阿什温·H·萨;巴拉布·K·查特尔基 -专利权人：得克萨斯仪器公司
申请日： 1986-10-28 - 公布日： 1990-04-04 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明实施例中包括一种垂直倒相器(31，32，33)。在一块N型衬底的表面，形成一层P型材料层，再依次形成一层N型层；一层P型层；一层N型和一层P型层(在制备过程中，可以掺各种不同的杂质，这并不超出本发明的范畴)。再沿着以上述方法形成的叠层的一侧蚀刻一条沟槽，在P型和N型层的中间形成一接线端。再形成另一沟槽，其中有一栅极绝缘体和一栅极(A，B)。该栅极作为以上述方法形成的N型沟道和P型沟道晶体管的栅极。
垂直倒相器电路

[发明专利]动态随机存取存贮器单元(dram)和生产方法-CN85103376.8无效
发明人：查特基;马利;理查森 -专利权人：得克萨斯仪器公司
申请日： 1985-05-13 - 公布日： 1989-07-05 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：这里揭示的是动态随机存取贮器(dRAM)单元和单元阵列，连同它们的生产方法，单元包括一个场效应管，一个在衬底的沟内形成的贮能电容器和在衬底上用外延生长法形成的场效应管子沟道。场效应管的源极和漏极同衬底绝缘。管子应该靠近沟或在沟侧壁的上半部分。信号电荷贮存在与衬底绝缘的电容器的板极上。
动态随机存取存贮器单元 dram 生产方法

[其他]双栅形高压MOS集成电路-CN87208602无效
发明人：童勤义;吴伟 -专利权人：南京工学院
申请日： 1987-05-25 - 公布日： 1988-07-20 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：双栅型高压MOS集成电路属半导体集成电路领域，它采用多个相同的双栅型高压NMOS器件组成，每个器件都采用双栅结构，利用双栅结构增大寄生双极晶体管的有效基区宽度，抑制寄生双极晶体管的激活，从而防止负阻击穿，与此同时，在电流能力不变条件下，面积仅比单栅器件有少量增加；本实用新型结构简单，制备方便，可采用标准n阱CMOS工艺实现，它可在等离子体显示、场致发光、打印和复印执行机构等自动控制和测量系统中作为驱动器而得到广泛应用。
双栅形高压 mos 集成电路

[其他]垂直倒相器电路-CN86108046无效
发明人：阿什温·H·萨;巴拉布·K·查特尔基 -专利权人：得克萨斯仪器公司
申请日： 1986-10-28 - 公布日： 1987-07-01 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明实施例中包括一种垂直倒相器(31，32，33)。在一块N型衬底的表面，形成一层P型材料层，再依次形成一层N型层；一层P型层；一层N型和一层P型层(在制备过程中，可以掺各种不同的杂质，这并不超出本发明的范畴)。再沿着以上述方法形成的叠层的一侧蚀刻一条沟槽，在P型和N型层的中间形成一接线端。再形成另一沟槽，其中有一栅极绝缘体和一栅极(A，B)。该栅极作为以上述方法形成的N型沟道和P型沟道晶体管的栅极。
垂直倒相器电路

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